模拟电路笔记

$eq?i_%7BD%7D%3DI_%7BS%7D%28e%5E%7B%5Cfrac%7Bu_%7BD%7D%7D%7BnV_%7BT%7D%7D%7D-1%29%5Capprox%20I_%7BS%7De%5E%7B%5Cfrac%7Bu_%7BD%7D%7D%7BnV_%7BT%7D%7D%7D$

其中n为发射系数，其值在1~2之间，默认为1，即

$eq?i_%7BD%7D%3DI_%7BS%7D%28e%5E%7B%5Cfrac%7Bu_%7BD%7D%7D%7BV_%7BT%7D%7D%7D-1%29%5Capprox%20I_%7BS%7De%5E%7B%5Cfrac%7Bu_%7BD%7D%7D%7BV_%7BT%7D%7D%7D$

$eq?V_%7BT%7D$ 为温度电压当量，常温下（300K）， $eq?V_%7BT%7D%3D0.026V%3D26mV$

$eq?I_%7BS%7D$ 为反向饱和电流，通常很小。

3.二极管动态电阻

$eq?%5Cbecause%20%5Cfrac%7B1%7D%7Br_d%7D%3Dg_d%3D%5Cfrac%7B%5Cmathrm%7Bd%7Di_D%7D%7B%5Cmathrm%7Bd%7Du_D%7D%3D%5Cfrac%7BI_S%7D%7BV_T%7De%5E%7B%5Cfrac%7Bu_D%7D%7BV_T%7D%7D%7C_Q%5Capprox%20%5Cfrac%7Bi_D%7D%7BV_T%7D%7C_Q%3D%5Cfrac%7BI_D%7D%7BV_T%7D$

$eq?%5Ctherefore%20r_d%3D%5Cfrac%7B1%7D%7Bg_d%7D%3D%5Cfrac%7BV_T%7D%7BI_D%7D$

二、MOS管

1.MOS管的参数

（1）直流参数

①阈值电压 $V_%7BTP%7D$ （或者统一为 $eq?V_%7BGS%28th%29%7D$ ）

②饱和漏极电流 $eq?I_%7BDSS%7D$ （耗尽型）； $eq?I_%7BDO%7D$ （增强型）

③直流输入电阻 $eq?R_%7BGS%7D$

（2）交流参数

①输出电阻 $eq?r_%7Bds%7D$

$eq?r_%7Bds%7D%5Capprox%20%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Clambda%20i_%7BD%7D%7D$

$eq?r_%7Bds%7D$ 一般在几十千欧到几百千欧之间。当λ=0时，有 $eq?r_%7Bds%7D$ →∞。

②低频互导 $eq?g_%7Bm%7D$

$eq?g_%7Bm%7D%3D2%5Csqrt%7BK_%7Bn%7Di_%7BD%7D%7D%3D%5Cfrac%7B2%7D%7BV_%7BTN%7D%7D%5Csqrt%7BI_%7BDO%7Di_%7BD%7D%7D$

$eq?g_%7Bm%7D%3D2%5Csqrt%7BK_%7Bn%7Di_%7BD%7D%7D%3D%5Cfrac%7B2%7D%7BV_%7BTN%7D%7D%5Csqrt%7BI_%7BDSS%7Di_%7BD%7D%7D$

2.工作条件

（1）NMOS管（以N沟道增强型为例）

当 $eq?u_%7BGS%7D%3C%3DV_%7BTN%7D$ 时，NMOS管处于截止区，此时NMOS不工作。

当 $eq?u_%7BGS%7D%3E%3DV_%7BTN%7D$ 且 $eq?u_%7BDS%7D%3Cu_%7BGS%7D-V_%7BTN%7D$ 时，NMOS管处于变阻区。

当 $eq?u_%7BGS%7D%3E%3DV_%7BTN%7D$ 且 $eq?u_%7BDS%7D%3E%3Du_%7BGS%7D-V_%7BTN%7D$ u时，即

$eq?u_%7BDS%7D%3E%3Du_%7BGS%7D-V_%7BTN%7D%3E%3D0$ ，

NMOS管处于饱和区(恒流区)。

$eq?i_%7BD%7D%3DK_%7Bn%7D%28u_%7BGS%7D-V_%7BT%7D%29%5E%7B2%7D%3DI_%7BDO%7D%28%5Cfrac%7Bu_%7BGS%7D%7D%7BV_%7BTN%7D%7D-1%29%5E%7B2%7D$ (以流入漏极为正方向)

式中 $eq?I_%7BDO%7D%3DK_%7Bn%7DV_%7BTN%7D%5E%7B2%7D$ ，它是 $eq?u_%7BGS%7D%3D2V_%7BTN%7D$ 时的 $eq?%7Ci_%7BD%7D%7C$ 。

（2)PMOS管（以P沟道耗尽型为例）

当 $eq?u_%7BGS%7D%3E%3DV_%7BTN%7D$ 时，PMOS管处于截止区，此时PMOS不工作。

当 $eq?u_%7BGS%7D%3C%3DV_%7BTN%7D$ 且 $eq?u_%7BDS%7D%3Eu_%7BGS%7D-V_%7BTN%7D$ 时，PMOS管处于变阻区。

当 $eq?u_%7BGS%7D%3C%3DV_%7BTN%7D$ 且 $eq?u_%7BDS%7D%3C%3Du_%7BGS%7D-V_%7BTN%7D$ u时，即

$eq?u_%7BDS%7D%3C%3Du_%7BGS%7D-V_%7BTN%7D%3C%3D0$ ，

PMOS管处于饱和区(恒流区)。

$eq?i_%7BD%7D%3D-K_%7Bp%7D%28u_%7BGS%7D-V_%7BT%7D%29%5E%7B2%7D%3D-I_%7BDSS%7D%28%5Cfrac%7Bu_%7BGS%7D%7D%7BV_%7BTN%7D%7D-1%29%5E%7B2%7D$ (以流入漏极为正方向)

式中 $eq?I_%7BDSS%7D%3DK_%7Bp%7DV_%7BTP%7D%5E%7B2%7D$ ，它是 $eq?u_%7BGS%7D%3D0$ 时的 $eq?%7Ci_%7BD%7D%7C$ 。

3.各种连接方式的优缺点

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记忆方法：

共射四高，硬记。

共集类比电压串联负反馈，（稳定电流）电压增幅为一，电流增幅很大；输出电阻很小，输入电阻很大。

共基类比电流并联负反馈，（稳定电流）电流增幅为一，电压增幅很大；输出电阻很大，输入电阻很小。

4.注意

若考虑沟道长度调制效应，以增强型NMOS管为例子，则

$eq?i_%7BD%7D%3DK_%7Bn%7D%28u_%7BGS%7D-V_%7BT%7D%29%5E%7B2%7D%281+%5Clambda%20u_%7BDS%7D%29%3DI_%7BDO%7D%28%5Cfrac%7Bu_%7BGS%7D%7D%7BV_%7BTN%7D%7D-1%29%5E%7B2%7D%281+%5Clambda%20u_%7BDS%7D%29$ (以流入漏极为正方向)

三、三极管

1.三极管基本公式

当发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于放大区，有 $eq?i_%7BC%7D%3D%5Cbeta%20i_%7BB%7D$ ，

H参数小型号模型

$eq?r_%7Bbe%7D%3Dr_%7Bbb%7B%7D%27%7D+%281+%5Cbeta%20%29%5Cfrac%7BV_%7BT%7D%7D%7BI_%7BEQ%7D%7D%3Dr_%7Bbb%7B%7D%27%7D+%5Cfrac%7BV_%7BT%7D%7D%7BI_%7BBQ%7D%7D$

当发射结正偏，集电结正偏时，三极管处于饱和区，有 $eq?i_%7BC%7D%3C%5Cbeta%20i_%7BB%7D$ ；

当发射结反偏，集电结反偏时，三极管处于截止区，此时三极管不工作。

2.复合管

（1）复合管判断方法

①定义：用多只三极管或者场效应管构成的等效三极管。

②组成原则

（A）每只管子的各极电流都要有合适的通路，且每个管子都要工作在放大区或者恒流区。

（B）为实现电流放大，不能将前一个管子的基极接到下一个管子的基极。

③注意事项

如果使用MOS管和BJT组成BiMOS管，注意BJT不能放在MOS管的前面。

（2）例题

（A）管违反了组成原则的①，第一个管子的集电极电路和第二个管子的基极电路无法构成合适通路。

（B）管违反了注意事项，将BJT放在MOS管的前面。

（D）管违反了定义，无法构成等效三极管。

四、频率响应

使 $eq?%5Cdot%7BA_%7Bu%7D%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Csqrt%7B2%7D%7D%5Capprox%200.707$ 的频率称为截止频率，分别有下限截止频率 $eq?f_L$ 和是上限截止频率 $eq?f_H$ ，并将 $eq?f_L%5Csim%20f_H$ 之间的频率范围称为通频带。

1.RC电路的频率响应

（1）RC高通

$eq?%5Cdot%7BA_%7Bu%7D%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV_o%7D%7D%7B%5Cdot%7BV_i%7D%7D%3D%5Cfrac%7BR%7D%7BR+%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20C%7D%7D%3D%5Cfrac%7Bj%5Cfrac%7Bf%7D%7Bf_L%7D%7D%7B1+j%5Cfrac%7Bf%7D%7Bf_L%7D%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B1-j%5Cfrac%7Bf_L%7D%7Bf%7D%7D$

（2）RC低通

$eq?%5Cdot%7BA_%7Bu%7D%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV_o%7D%7D%7B%5Cdot%7BV_i%7D%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20C%7D%7D%7BR+%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20C%7D%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B1+j%5Cfrac%7Bf%7D%7Bf_H%7D%7D$

（3）高通电路与低通电路的波特图

从电容上引出来的电压是滞后于电流的。

高通电路： $eq?%5Cdot%7BV%7D_o$ 超前 $eq?%5Cdot%7BV%7D_i$ 相位 $eq?90%5E%7B%5Ccirc%7D%5Csim%200%5E%7B%5Ccirc%7D$

低通电路： $eq?%5Cdot%7BV%7D_o$ 滞后 $eq?%5Cdot%7BV%7D_i$ 相位 $eq?0%5E%7B%5Ccirc%7D%5Csim%2090%5E%7B%5Ccirc%7D$

2.直接耦合单管放大电路的频率响应

（1)等效π模型

其中 $eq?r_%7B%7Bb%7D%27c%7D%5Capprox%20500k%5COmega$ ，相当于断路； $eq?r_%7Bce%7D$ 相对于 $eq?R_L$ 也很大，相当于断路；得到下图（a）。

再利用密勒定理：

$eq?%5Cbecause%20I_%7BC_u%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27c%7D%7D%7B%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20C_u%7D%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bv%27e%7D-%5Cdot%7BV%7D_%7Bce%7D%7D%7B%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20C_u%7D%7D$ 且 $eq?I_%7BC_u%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27e%7D%7D%7B%5Cfrac%7B1%7D%7B%7Bj%5Comega%20C_u%7D%27%7D%7D$

$eq?%5Ctherefore%20%7BC_u%7D%27%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27e%7D-%5Cdot%7BV%7D_%7Bce%7D%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27e%7D%7DC_u$

定义 $eq?%5Cdot%7BK%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bce%7D%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27e%7D%7D$ ，则有 $eq?%7BC_u%7D%27%3D%281-%5Cdot%7BK%7D%29C_u$

得到下图（b）。

其中 $eq?%7BC_%7Bu%7D%7D%27%27$ 的容抗相对于 $eq?R_L$ 非常大，相当于断路，得到下图（c）。

其中 $eq?%7BC_%5Cpi%20%7D%27%3DC_%5Cpi%20+%7BC_u%7D%27%3DC_%5Cpi%20+%281-%5Cdot%7BK%7D%29C_u$ 。

（2）π模型的主要参数

$eq?r_%7Bb%7Bb%7D%27%7D$ ：基区体电阻（手册给出）

$eq?r_%7B%7Bb%7D%27e%7D$ ：发射结电阻

$C_%7B%7Bb%7D%27c%7D%28C_%7Bob%7D%29$ ：集电结反偏电容（手册给出）

$C_%7B%7Bb%7D%27e%7D$ ：发射结电容

$eq?f_T$ ：BJT的特征频率，使 $eq?%7C%5Cdot%7B%5Cbeta%20%7D%7C$ 下降到1（即0dB）时的频率（手册给出）

$eq?%5Cbeta%20_0$ ：BJT在中频区和低频区的电流放大系数（手册给出）

$eq?g_m$ ：互导

（3）公式推导

① $eq?r_%7B%7Bb%7D%27e%7D$

$eq?r_%7B%7Bb%7D%27e%7D%3D%281+%5Cbeta%20_%7B0%7D%29%5Cfrac%7BV_T%7D%7BI_%7BEQ%7D%7D$

② $eq?g_m$

在中频区，π模型和H参数模型是等价的，即

$eq?%5Cbecause%20g_m%5Cdot%7BV%7D_%7B%7Bb%7D%27e%7D%3Dg_m%5Ccdot%20%5Cdot%7BI%7D_br_%7B%7Bb%7D%27e%7D%3D%5Cbeta%20_%7B0%7D%5Cdot%7BI%7D_%7Bb%7D$

$eq?%5Ctherefore%20g_m%3D%5Cfrac%7B%5Cbeta%20_0%7D%7Br_%7B%7Bb%7D%27e%7D%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B%281+%5Cbeta_0%29%5Cfrac%7BV_T%7D%7BI_%7BEQ%7D%7D%7D%5Capprox%20%5Cfrac%7BI_%7BEQ%7D%7D%7BV_T%7D$

③ $eq?C_%5Cpi$ （注意 $eq?%7BC_%5Cpi%7D%27$ 的求解是在 $eq?%5Cdot%7BV%7D_%7Bce%7D%3D0$ 的基础上进行的）

（A） $eq?%5Cdot%7B%5Cbeta%7D$ 的频率响应

$eq?%5Cbecause%20%5Cdot%7B%5Cbeta%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BI%7D_c%7D%7B%5Cdot%7BI%7D_b%7D%7C_%7BV_%7BCE%7D%7D%3D%5Cfrac%7Bg_m%5Cdot%7BV%7D_%7B%7Bb%7D%27e%7D%7D%7BV_%7B%7Bb%7D%27e%7D%28%5Cfrac%7B1%7D%7Br_%7B%7Bb%7D%27e%7D%7D+j%5Comega%20%7BC_%5Cpi%20%7D%27%29%7D%3D%5Cfrac%7Bg_m%7D%7B%5Cfrac%7B1%7D%7Br_%7B%7Bb%7D%27e%7D%7D+j%5Comega%20%7BC_%5Cpi%20%7D%27%7D%3D%5Cfrac%7Bg_mr_%7B%7Bb%7D%27e%7D%7D%7B1+j%5Comega%20r_%7B%7Bb%7D%27e%7D%7BC_%5Cpi%20%7D%27%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B1+j%5Comega%20r_%7B%7Bb%7D%27e%7D%7BC_%5Cpi%20%7D%27%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B1+j%5Cfrac%7Bf%7D%7Bf_%5Cbeta%7D%7D$

其中 $eq?f_%5Cbeta%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%5Cpi%20r_%7B%7Bb%7D%27e%7D%7BC_%5Cpi%7D%27%20%7D$

（B） $eq?f_%5Cbeta$ 和 $eq?f_T$ 的关系

$eq?%5Cbecause%20f%3Df_T$ 时， $eq?%7C%5Cdot%7B%5Cbeta%7D%7C%3D%7C%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B1+j%5Cfrac%7Bf_T%7D%7Bf_%5Cbeta%7D%7D%7C%3D1$

$eq?%5Ctherefore$ 若 $eq?%5Cfrac%7Bf_T%7D%7Bf_%5Cbeta%7D%3D%5Cbeta_0$ ，则有 $eq?%7C%5Cdot%7B%5Cbeta%7D%7C%3D%7C%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B1+j%5Cfrac%7Bf_T%7D%7Bf_%5Cbeta%7D%7D%7C%5Capprox%201$

$eq?%5Ctherefore%20f_T%3D%5Cbeta_0f_%5Cbeta$

（C） $eq?C_%5Cpi$ 和 $eq?f_T$ 的关系

$eq?%5Cbecause%20f_T%3D%5Cbeta%20_0f_%5Cbeta%3D%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B2%5Cpi%20r_%7Bb%27e%7D%7BC_%5Cpi%20%7D%27%7D$

$eq?%5Ctherefore%20%7BC_%5Cpi%20%7D%27%3D%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B2%5Cpi%20r_%7Bb%27e%7Df_T%7D$

又 $eq?%5Cbecause%20%7BC_%5Cpi%20%7D%27%3DC_%5Cpi%20+%7BC_u%7D%27%3DC_%5Cpi%20+%281-%5Cdot%7BK%7D%29C_u%3DC_%5Cpi%20+%281-%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bce%7D%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27e%7D%7D%29C_u$ 且此时 $eq?%5Cdot%7BV%7D_%7Bce%7D%3D0$

$eq?%5Ctherefore%20C_%5Cpi%20%3D%7BC_%5Cpi%20%7D%27-C_u%3D%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B2%5Cpi%20r_%7Bb%27e%7Df_T%7D-C_u$

④ $eq?%5Cdot%7B%5Calpha%20%7D$ 的频率响应

$eq?%5Cbecause%20%5Cdot%7B%5Calpha%20%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7B%5Cbeta%7D%7D%7B1+%5Cdot%7B%5Cbeta%7D%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B1+j%5Cfrac%7Bf%7D%7Bf_%5Cbeta%7D%7D%7D%7B1+%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B1+j%5Cfrac%7Bf%7D%7Bf_%5Cbeta%7D%7D%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B1+%5Cbeta_0+j%5Cfrac%7Bf%7D%7Bf_%5Cbeta%7D%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cfrac%7B%5Cbeta_0%7D%7B1+%5Cbeta_0%7D%7D%7B1+j%5Cfrac%7Bf%7D%7B%281+%5Cbeta_0%29f_%5Cbeta%7D%7D$

$eq?%5Ctherefore%20f_%5Calpha%20%3D%281+%5Cbeta_0%29f_%5Cbeta$ ，即共基放大电路的频带宽了 $eq?%281+%5Cbeta_0%29$ 倍。

3.阻容式耦合单管放大电路的频率响应

注：其中 $eq?%7BC_%5Cpi%7D%27$ 很小，通常为pF级， $eq?C$ 通常为uF级，所以：

在低频段时， $eq?%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20%7BC_%5Cpi%20%7D%27%7D%5Crightarrow%20%5Cinfty$ ，将 $eq?%7BC_%5Cpi%7D%27$ 断路；

在中频段， $eq?%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20%7BC_%5Cpi%20%7D%27%7D%5Crightarrow%20%5Cinfty$ 、 $eq?%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20C%7D%5Crightarrow%200$ ，将 $eq?%7BC_%5Cpi%7D%27$ 断路、 $eq?C$ 短路；

在高频段， $eq?%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20C%7D%5Crightarrow%200$ ，将 $eq?C$ 短路。

（1）中频段

易知 $%28r_%7Bbb%27%7D+r_%7Bb%27e%7D%29$

①有负载

$R_L%29%20%5Cfrac%7Br_%7Bb%27e%7D%7D%7Br_%7Bbb%27%7D+r_%7Bb%27e%7D%7D$

$eq?%5Cdot%7BA%7D_%7BusM%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_i%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_i%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_i%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7BR_i%7D%7BR_i+R_s%7D$

②空载（这里为了方便区分，将空载的 $eq?%5Cdot%7BV%7D_o$ 写作 $eq?%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%27$ ，将空载时的 $eq?%5Cdot%7BA%7D_%7BusM%7D$ 写作 $eq?%7B%5Cdot%7BA%7D_%7BusM%7D%7D%27$ ）

$eq?%5Cfrac%7B%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%27%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_i%7D%3D%5Cfrac%7B-g_m%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27e%7D%5Ccdot%20R_c%7D%7B%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27e%7D%7D%7Br_%7Bb%27e%7D%7D%28r_%7Bbb%27%7D+r_%7Bb%27e%7D%29%7D%3D-g_m%5Ccdot%20R_c%5Ccdot%20%5Cfrac%7Br_%7Bb%27e%7D%7D%7Br_%7Bbb%27%7D+r_%7Bb%27e%7D%7D$

$eq?%7B%5Cdot%7BA%7D_%7BusM%7D%7D%27%3D%5Cfrac%7B%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%27%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%3D%5Cfrac%7B%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%27%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_i%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_i%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%3D%5Cfrac%7B%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%27%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_i%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7BR_i%7D%7BR_i+R_s%7D$

（2）低频段

（b）图是对（a）图的戴维南等效电路， $eq?%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%27$ 是 $eq?R_L$ 、 $eq?C$ 断开时的等效电压。

很明显（b）图为高通电路，有下限截止频率： $eq?f_L%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%5Cpi%20%28R_c+R_L%29C%7D$

$eq?%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%7B%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%27%7D%3D%5Cfrac%7Bj%5Cfrac%7Bf%7D%7Bf_L%7D%7D%7B1+j%5Cfrac%7Bf%7D%7Bf_L%7D%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B1-j%5Cfrac%7Bf_L%7D%7Bf%7D%7D$

$eq?%5Cdot%7BA%7D_%7BusL%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%7B%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%27%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7B%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%27%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%3D%7B%5Cdot%7BA%7D_%7BusM%7D%27%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7B1%7D%7B1-j%5Cfrac%7Bf_L%7D%7Bf%7D%7D$

（3）高频段

（c）图是对（a）图的戴维南等效电路， $eq?%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%27$ 是 $eq?%7BC_%5Cpi%7D%27$ 断开时的等效电压。

易知 $%28r_%7Bbb%27%7D+r_%7Bb%27e%7D%29$

很明显（c）图为低通电路，有上限截止频率： $eq?f_H%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%5Cpi%20R%7BC_%5Cpi%7D%27%7D$

$eq?%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27e%7D%7D%7B%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%27%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B1+j%5Cfrac%7Bf%7D%7Bf_H%7D%7D$

$eq?%5Cdot%7BA%7D_%7BusH%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27e%7D%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27e%7D%7D%7B%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%27%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7B%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%27%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_s%7D%3D%5Cdot%7BA%7D_%7BusM%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7B1%7D%7B1+%5Cfrac%7Bf%7D%7Bf_H%7D%7D$

注：

①高频段的 $eq?V_%7Bb%27e%7D$ 和中频段的 $eq?V_%7Bb%27e%7D$ 是不一样的，但是 $eq?V_%7Bb%27e%7D$ 在化简中会被消去，所以并不会影响最终的结果。

②根据公式

$eq?%7BC_%5Cpi%20%7D%27%3DC_%5Cpi%20+%7BC_u%7D%27%3DC_%5Cpi%20+%281-%5Cdot%7BK%7D%29C_u%3DC_%5Cpi%20+%281-%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bce%7D%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_%7Bb%27e%7D%7D%29C_u$

我们可知 $eq?%7BC_%5Cpi%7D%27$ 是会随着 $eq?%5Cdot%7BK%7D$ 的变化而变化的，而 $eq?%5Cdot%7BK%7D$ 是会随着频率变化的，故 $eq?%7BC_%5Cpi%7D%27$ 会随着频率变化。

在我们求出 $eq?C_%5Cpi$ 后，再求出 $eq?%5Cdot%7BK%7D$ ，我们就可以得到上限截止频率 $eq?f_H$ 。

但是在高频段的 $eq?%5Cdot%7BK%7D$ 特别难求，所以我们用中频段的 $eq?%5Cdot%7BK%7D$ 来代替高频段的 $eq?%5Cdot%7BK%7D$ ，虽然有一定误差，但是是可以容忍的。

（4）阻容式耦合单管放大电路的波特图

共射放大电路：

中频段时， $eq?%5Cdot%7BV%7D_o$ 落后 $eq?%5Cdot%7BV%7D_i$ 相位 $eq?180%5E%7B%5Ccirc%7D$ ；

低频段时，高通电路， $eq?%5Cdot%7BV%7D_o$ 落后 $eq?%5Cdot%7BV%7D_i$ 相位 $eq?90%5E%7B%5Ccirc%7D%5Csim%20180%5E%7B%5Ccirc%7D$ ；

高频段时，低通电路， $eq?%5Cdot%7BV%7D_o$ 落后 $eq?%5Cdot%7BV%7D_i$ 相位 $eq?180%5E%7B%5Ccirc%7D%5Csim%20270%5E%7B%5Ccirc%7D$ ；

（5）增益带宽积

通频带 $eq?f_%7BBW%7D%3Df_H-f_L%5Capprox%20f_H$

$eq?%7C%5Cdot%7BA%7D_%7BusM%7D%5Ccdot%20f_H%7C%5Capprox%20%5Cfrac%7B1%7D%7B2%5Cpi%28r_%7Bbb%27%7D+R_s%29C_u%7D$

4.多级放大电路

注意两级放大电路的截止频率不是简单的截止频率的相差，而是要根据截止频率的定义： $eq?%5Cdot%7BA_%7Bu%7D%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Csqrt%7B2%7D%7D%5Capprox%200.707$ ，进而计算得出两级放大电路的截止频率。

$eq?f_L%5E%7B2%7D%3D%5Csum_%7Bi%3D1%7D%5E%7Bk%7Df_%7BLi%7D%5E%7B2%7D$ ，上限截止频率同理。

五、集成电路

1.微电流源

$eq?%5Ctherefore%20V_%7BBE1%7D-V_%7BBE2%7D%3D%5CDelta%20V_%7BBE%7D%3DI_%7BE2%7DR_%7Be2%7D$

$eq?%5Ctherefore%20I_%7BO%7D%3DI_%7BC2%7D%5Capprox%20I_%7BE2%7D%3D%20%5Cfrac%7B%5CDelta%20V_%7BBE%7D%7D%7BR_%7Be2%7D%7D$

又 $eq?%5Cbecause%20I_%7BREF%7D%5Capprox%20I_%7BC1%7D%5Capprox%20I_%7BE1%7D%3DI_Se%5E%7B%5Cfrac%7BV_%7BBE1%7D%7D%7BV_T%7D%7D$ 且 $eq?I_%7BO%7D%3D%20I_%7BC2%7D%5Capprox%20I_%7BE2%7D%3DI_Se%5E%7B%5Cfrac%7BV_%7BBE2%7D%7D%7BV_T%7D%7D$

$eq?%5Ctherefore%20%5CDelta%20V_%7BBE%7D%3DV_%7BBE1%7D-V_%7BBE2%7D%3DV_Tln%28%5Cfrac%7BI_%7BREF%7D%7D%7BI_O%7D%29$

$eq?%5Ctherefore%20R_%7Be2%7DI_O%3DV_Tln%28%5Cfrac%7BI_%7BREF%7D%7D%7BI_O%7D%29$

2.差分放大电路

（1）基本概念

将两个输入信号看成差模和共模的叠加，有

$eq?u_%7Bi1%7D%3Du_%7Bic%7D+%5Cfrac%7B1%7D%7B2%7Du_%7Bid%7D$

$eq?u_%7Bi2%7D%3Du_%7Bic%7D-%5Cfrac%7B1%7D%7B2%7Du_%7Bid%7D$

差模输入： $eq?u_d%3Du_%7Bi1%7D-u_%7Bi2%7D$

共模输入： $eq?u_%7Bid%7D%3D%5Cfrac%7Bu_%7Bi1%7D+u_%7Bi2%7D%7D%7B2%7D$

（2）待更新

3.变跨导式模拟乘法器

$eq?u_O%3DKu_Xu_Y$

六、负反馈

1.反馈的定义

把放大电路的输出量的一部分或全部，通过反馈网络以一定的方式又引回到放大电路的输入回路中去，以影响电路的输入信号作用的过程

注意:我们的反馈都是在交流小信号的基础上进行的

2.深度负反馈

实质:忽略净输入量

表现形式:虚短(不是真正的短路，只是端口电压相等，即 $eq?u_%7Bp%7D%3Du_%7Bn%7D$ 。

注:虚断是输入电阻无穷大的表现，是电路本身具有的性质。

3.反馈的判断

（1）正负反馈的判断（瞬间极性法）

可以用电压也可以用电流，但是能用电压推荐用电压，较好判断。

①三极管、场效应管的极性(以NPN、NMOS管为例，PNP、PMOS管极性相反)

（A）共射(共源) $eq?A_u%3C%200$ ，基极与集电极反相

（B）共集(共漏) $eq?A_u%3E%200$ ，基极与发射极同相

（C）共基(共栅) $eq?A_u%3E0$ ，发射极与集电极同相

经验:基极做输入极时，与发射极同相，与集电极反相；

发射极做输入极时，与集电极同相。

②电阻两端的极性

找到瞬时电流方向，沿着电流方式是压降增，逆电流方向是压降减。

根据参考点和压降的增减来判断另一段的极性。

③电容两端的极性（暂定，有些牵强）

电容不改变传递过来的极性，但是如果是如右图所示的电路，则要根据电流方向判断

端点1（-），端点2接地，那么 $eq?C_1$ 必然放电，电流方向为逆时针，此时我们可以根据电流方向， $eq?C_2$ 也放电，则端点3为（+）。

（2）负反馈组态的判断

①串联反馈和并联反馈

串联反馈的反馈信号与输入信号在不同的端子上，反馈信号是电压信号。

并联反馈的反馈信号与输入信号在同一个端子上，反馈信号是电流信号。

②电压反馈与电流反馈

电压负反馈与电流负反馈最本质的区别电压负反馈稳定的是输出端的电压，电流负反馈稳定的是输出端的电流。

通常是令输出端的电压信号为零，判断是否还存在负反馈，若不存在，则是电流负反馈；若存在，则是电压负反馈。

4.负反馈放大电路的增益

$eq?%5Cbecause%20A%3D%5Cfrac%7Bx_o%7D%7Bx_%7Bid%7D%7D%3D%5Cfrac%7Bx_o%7D%7Bx_i-x_f%7D$

又 $eq?%5Cbecause%20F%3D%5Cfrac%7Bx_f%7D%7Bx_o%7D$

$eq?%5Ctherefore%20A_f%3D%5Cfrac%7Bx_o%7D%7Bx_i%7D%3D%5Cfrac%7Bx_o%7D%7Bx_%7Bid%7D+x_f%7D%3D%5Cfrac%7Bx_o%7D%7B%5Cfrac%7Bx_o%7D%7BA%7D+F%5Ccdot%20x_o%7D%3D%5Cfrac%7BA%7D%7B1+AF%7D$

闭环增益： $eq?A_f%3D%5Cfrac%7BA%7D%7B1+AF%7D$

环路增益： $eq?AF%3D%5Cfrac%7Bx_f%7D%7Bx_id%7D$

反馈深度： $eq?1+AF$

5.负反馈对放大电路的性能影响

（1）稳定增益

当反馈深度很大，即 $eq?1+AF%3E%3E1$ 时，称为深度负反馈，此时有

$eq?A_f%3D%5Cfrac%7BA%7D%7B1+AF%7D%5Capprox%20%5Cfrac%7B1%7D%7BF%7D$

（2）对输入电阻和输出电阻的影响

①输入电阻

（A）串联负反馈对输入电阻的影响

由图（a）可知，开环输入电阻为： $eq?R_i%3D%5Cfrac%7Bv_%7Bid%7D%7D%7Bi_i%7D$

有负反馈时的闭环输入电阻为： $eq?R_%7Bif%7D%3D%5Cfrac%7Bv_%7Bi%7D%7D%7Bi_i%7D%3D%5Cfrac%7Bv_%7Bid%7D+v_f%7D%7Bi_i%7D%3D%5Cfrac%7B%281+AF%29v_%7Bid%7D%7D%7Bi_i%7D%3D%281+AF%29R_i$

（B）并联负反馈对输入电阻的影响

由图（c）可知，开环输入电阻为： $eq?R_i%3D%5Cfrac%7Bv_%7Bi%7D%7D%7Bi_%7Bid%7D%7D$

有负反馈的闭环输入电阻为： $eq?R_%7Bif%7D%3D%5Cfrac%7Bv_%7Bi%7D%7D%7Bi_i%7D%3D%5Cfrac%7Bv_i%7D%7Bi_%7Bid%7D+i_f%7D%3D%5Cfrac%7Bv_i%7D%7B%281+AF%29i_%7Bid%7D%7D%3D%5Cfrac%7BR_i%7D%7B1+AF%7D$

②输出电阻

（A）电压负反馈对输出电阻的影响

$eq?%5Cbecause%20R_%7Bof%7D%3D%5Cfrac%7Bv_t%7D%7Bi_t%7D%3D%5Cfrac%7Bi_tR_o+A_ox_%7Bid%7D%7D%7Bi_t%7D%3D%5Cfrac%7Bi_tR_o-A_ox_%7Bf%7D%7D%7Bi_t%7D%3D%5Cfrac%7Bi_tR_o-A_oFv_t%7D%7Bi_t%7D%3DR_o-A_oFR_%7Bof%7D$

$eq?%5Ctherefore%20R_%7Bof%7D%3D%5Cfrac%7BR_o%7D%7B1+A_oF%7D$

（B）电流负反馈对输出电阻的影响

$eq?%5Cbecause%20R_%7Bof%7D%3D%5Cfrac%7Bv_t%7D%7Bi_t%7D%3D%5Cfrac%7Bv_t%7D%7B%5Cfrac%7Bv_t%7D%7BR_o%7D+A_sx_%7Bid%7D%7D%3D%5Cfrac%7Bv_t%7D%7B%5Cfrac%7Bv_t%7D%7BR_o%7D-A_sx_f%7D%3D%5Cfrac%7Bv_t%7D%7B%5Cfrac%7Bv_t%7D%7BR_o%7D-A_sFi_t%7D%3D%5Cfrac%7BR_%7Bof%7D%7D%7B%5Cfrac%7BR_%7Bof%7D%7D%7BR_o%7D-A_sF%7D$

$eq?%5Ctherefore%20R_%7Bof%7D%3D%281+A_sF%29R_o$

七、功率放大电路

1.甲类功率放大电路

只要一半波形。

2.乙类互补功率放大电路

全都要，但是不丝滑（存在交越失真）。

（1）输出功率 $eq?P_o$

$eq?P_o%3DV_oI_o%3D%5Cfrac%7BV_%7Bom%7D%7D%7B%5Csqrt%7B2%7D%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7BI_%7Bom%7D%7D%7B%5Csqrt%7B2%7DR_L%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7BV_%7Bom%7D%5E%7B2%7D%7D%7BR_L%7D$

当 $eq?V_%7Bom%7D%5Capprox%20V_%7BCC%7D$ （饱和压降 $eq?V_%7BCES%7D$ 可以忽略不计）时，获得最大输出功率

$eq?P_%7Bom%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7BV_%7Bom%7D%5E%7B2%7D%7D%7BR_L%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7B%28V_%7Bom%7D-V_%7BCES%7D%29%5E%7B2%7D%7D%7BR_L%7D%5Capprox%20%5Cfrac%7B1%7D%7B2%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7BV_%7BCC%7D%5E%7B2%7D%7D%7BR_L%7D$

（2）管耗功率 $eq?P_T$

设输入电压 $eq?v_o%3DV_%7Bom%7Dsin%5Comega%20t$ ，则两管管耗为

$eq?P_%7BT%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Cpi%20%7D%5Cint_%7B0%7D%5E%7B%5Cpi%7Dv_%7BCE%7Di_Cd%28%5Comega%20t%29%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Cpi%20%7D%5Cint_%7B0%7D%5E%7B%5Cpi%7D%28V_%7BCC%7D-v_o%29%5Cfrac%7Bv_o%7D%7BR_L%7Dd%28%5Comega%20t%29%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Cpi%20%7D%5Cint_%7B0%7D%5E%7B%5Cpi%7D%28V_%7BCC%7D-V_%7Bom%7Dsin%5Comega%20t%29%5Cfrac%7BV_%7Bom%7Dsin%5Comega%20t%7D%7BR_L%7Dd%28%5Comega%20t%29%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Cpi%20%7D%5Cint_%7B0%7D%5E%7B%5Cpi%7D%5Cleft%20%5B%5Cfrac%7BV_%7BCC%7DV_%7Bom%7Dsin%5Comega%20t%7D%7BR_L%7D-%5Cfrac%7BV_%7Bom%7D%5E2sin%5E2%5Comega%20t%7D%7BR_L%7D%20%5Cright%20%5Dd%28%5Comega%20t%29%3D%5Cfrac%7B2%7D%7BR_L%7D%28%5Cfrac%7BV_%7BCC%7DV_%7Bom%7D%7D%7B%5Cpi%7D-%5Cfrac%7BV_%7Bom%7D%5E2%7D%7B4%7D%29$

$eq?P_%7BT%7D%3D%5Cfrac%7B2%7D%7BR_L%7D%28%5Cfrac%7BV_%7BCC%7DV_%7Bom%7D%7D%7B%5Cpi%7D-%5Cfrac%7BV_%7Bom%7D%5E2%7D%7B4%7D%29%3D%5Cfrac%7B2V_%7BCC%7DV_%7Bom%7D%7D%7B%5Cpi%20R_L%7D-%5Cfrac%7BV_%7Bom%7D%5E2%7D%7B2R_L%7D$

（3）直流电源的供给功率 $eq?P_V$

直流电源供给的功率包括输出功率和管耗功率，当 $eq?v_i%3D0$ 时， $eq?P_V%3D0$ ；当 $eq?v_i%5Cneq%200$ 时，有

$eq?P_V%3DP_o+P_T%3D%5Cfrac%7B2V_%7BCC%7DV_%7Bom%7D%7D%7B%5Cpi%20R_L%7D$

当 $eq?V_%7Bom%7D%5Capprox%20V_%7BCC%7D$ （饱和压降 $eq?V_%7BCES%7D$ 可以忽略不计），有最大供给功率

$eq?P_%7BVm%7D%5Capprox%20%5Cfrac%7B2%7D%7B%5Cpi%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7BV_%7BCC%7D%5E2%7D%7BR_L%7D$

（4）效率 $eq?%5Ceta$

$eq?%5Ceta%20%3D%5Cfrac%7BP_o%7D%7BP_V%7D%3D%5Cfrac%7B4%7D%7B%5Cpi%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7BV_%7Bom%7D%7D%7BV_%7BCC%7D%7D$

当 $eq?V_%7Bom%7D%5Capprox%20V_%7BCC%7D$ （饱和压降 $eq?V_%7BCES%7D$ 可以忽略不计），有最大效率

$eq?%5Ceta%20%3D%5Cfrac%7BP_o%7D%7BP_V%7D%5Capprox%20%5Cfrac%7B4%7D%7B%5Cpi%7D%5Capprox%200.785$

（5）功率BJT的选择

① $eq?P_%7BVm%7D$ 和 $eq?P_%7Bom%7D$ 的关系

$eq?%5Cfrac%7BdP_T%7D%7BdV_%7Bom%7D%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7BR_L%7D%28%5Cfrac%7BV_%7BCC%7D%7D%7B%5Cpi%7D-%5Cfrac%7BV_%7Bom%7D%7D%7B2%7D%29$ ，令 $eq?%5Cfrac%7BdP_T%7D%7BdV_%7Bom%7D%7D%3D0$ ，有 $eq?V_%7Bom%7D%3D%5Cfrac%7B2V_%7BCC%7D%7D%7B%5Cpi%7D$ ，此时有最大管耗

$eq?P_%7BTm%7D%3D%5Cfrac%7B2%7D%7BR_L%7D%5Cleft%20%5B%5Cfrac%7B%5Cfrac%7B2%7D%7B%5Cpi%7DV_%7BCC%7D%5E2%7D%7B%5Cpi%7D-%5Cfrac%7B%28%5Cfrac%7B2%7D%7B%5Cpi%7DV_%7BCC%7D%29%5E2%7D%7B4%7D%20%5Cright%20%5D%3D%5Cfrac%7B2%7D%7B%5Cpi%5E2%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7BV_%7BCC%7D%5E2%7D%7BR_L%7D%5Capprox%200.4P_%7Bom%7D$

单管最大管耗功率 $eq?P_%7BT_1m%7D%3DP_%7BT_1m%7D%3DP_%7BT_2m%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Cpi%5E2%7D%5Ccdot%20%5Cfrac%7BV_%7BCC%7D%5E2%7D%7BR_L%7D%5Capprox%200.2P_%7Bom%7D$

②功率BJT的选择

（A）每只功率BJT的最大允许管耗 $eq?P_%7BCM%7D$ 必须大于 $eq?0.2P_%7Bom%7D$ 。

（B）当 $eq?T_2$ 导通时， $eq?-v_%7BCE2%7D%5Capprox%200$ ，此时 $eq?v_%7BCE1%7D%5Capprox%202V_%7BCC%7D$ ，所以集电极-发射极反向耐压 $eq?%7CV_%7B%28BR%29CEO%7D%7C%3E%202V_%7BCC%7D$ 。

（C）通过功率BJT的最大集电极电路为 $eq?%5Cfrac%7BV_%7BCC%7D%7D%7BR_L%7D$ ，所以集电极-发射极最大耐受电流 $eq?I_%7BCM%7D%3E%20%5Cfrac%7BV_CC%7D%7BR_L%7D$ 。

3.甲乙类互补功率放大电路

不仅全都要，还要丝滑（提供一定的直流偏置，刚好达到门槛电压，克服交越失真）。

当输入信号为零时，即 $eq?v_i%3D0$ （静态），将 $eq?D_1$ 、 $eq?D_2$ 之间的电位设置为 $eq?%5Cfrac%7BV_%7BCC%7D%7D%7B2%7D$ ，由于 $eq?T_1$ 、 $eq?T_2$ 上下对称在，有 $eq?V_K%3DV_C%5Capprox%20%5Cfrac%7BV_%7BCC%7D%7D%7B2%7D$ 由于使用的是单电源，所以前面计算中的 $eq?P_o$ 、 $eq?P_T$ 、 $eq?$ $eq?P_V$ 、 $eq?P_%7BTm%7D$ 等等涉及 $eq?V_%7BCC%7D$ 的公式不能直接使用，要将公式中的 $eq?V_%7BCC%7D$ 换为 $eq?%5Cfrac%7BV_%7BCC%7D%7D%7B2%7D$ 。

八、有源滤波电路和信号发生电路

1、有源滤波电路

（1）基本概念

①传递函数

频域（幅频响应函数）： $eq?%5Cdot%7BA%7D%28j%5Comega%20%29%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_o%28j%5Comega%20%29%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_i%28j%5Comega%20%29%7D$ ，其中 $eq?%5Comega%20_c%3D%5Cfrac%7B1%7D%7BRC%7D$ ，称为特征角频率。

复频域：令 $eq?j%5Comega%20%3Ds$ ，得到复频域的传递函数： $eq?A%28s%29%3D%5Cfrac%7BV_o%28s%29%7D%7BV_i%28s%29%7D$ 。

②傅里叶级数

$eq?f%28t%29%3DA_0+A_%7B1m%7Dcos%28%5Comega%20_1t+%5Cvarphi%20_1%29+A_%7B2m%7Dcos%282%5Comega%20_2t+%5Cvarphi%20_2%29+%5Ccdots%20A_%7Bkm%7Dcos%28k%5Comega%20_kt+%5Cvarphi%20_k%29%3DA_0+%5Csum_%7Bk%3D1%7D%5E%7B%5Cinfty%20%7DA_%7Bkm%7Dcos%28k%5Comega%20_kt+%5Cvarphi%20_k%29$

$eq?A_0$ ：直流分量

$eq?A_%7B1m%7D$ ：基波振幅

$eq?A_%7B2m%7D$ ：二次谐波振幅

$eq?A_%7Bkm%7D$ ：k次谐波振幅（二次以上称为高次谐波）

③分类

能通过滤波电路的信号频率范围定义为通带，受阻和衰弱的信号频率范围称为阻带，通带和阻带的分界频率为截止频率。

（A）低通滤波电路；（B）高通滤波电路；（C）带通滤波电路；（D）带阻滤波电路；

（E）全通滤波电路

2.振荡电路

（1）产生振荡的条件

当 $eq?f%3Df_0$ 时，

①起振条件

$eq?%7C%5Cdot%7BA%7D%5Cdot%7BF%7D%7C%3E1$

②平衡条件

振幅平衡： $eq?%7C%5Cdot%7BA%7D%5Cdot%7BF%7D%7C%3D1$

相位平衡（瞬间极性法）： $eq?%5Cvarphi%20_A+%5Cvarphi%20_F%3D2n%5Cpi%20%2Cn%3D0%2C1%2C2%2C%5Ccdots$

③电路组成

选频电路+正反馈（通常由选频电路提供）+放大电路（不一定是开环）

（2）RC正弦振荡电路

① $%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20C%7D%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B3+j%28%5Comega%20RC-%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Comega%20RC%7D%29%7D$

当 $eq?%5Comega%20%3D%5Comega%20_0%3D%5Cfrac%7B1%7D%7BRC%7D$ 或 $eq?f%3Df_0%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%5Cpi%20RC%7D$ 时， $eq?F_%7Bumax%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B3%7D$ 且 $eq?%5Cvarphi%20_f%3D0$

② $eq?%5Cdot%7BA%7D_u%3D%5Cfrac%7B%5Cdot%7BV%7D_o%7D%7B%5Cdot%7BV%7D_i%7D%3D%5Cfrac%7BR_1+R_f%7D%7BR_1%7D%3D1+%5Cfrac%7BR_f%7D%7BR_1%7D$

令 $eq?%5Cdot%7BA%7D_u%3E3$ ，即 $eq?R_f%3E2R_1$ ，即可起振。

③ $eq?R_f$ 选用温度系数为负的热敏电阻（比如二极管），当温度升高时， $eq?R_f$ 减小，当 $eq?R_f$ 减小到 $eq?R_f%3D2R_1$ 时，输出电压恒定。

④RC振荡电路一般用来产生1Hz~1MHz范围的低频信号。

（3）LC正弦振荡电路

LC正弦振荡电路通常用来产生1MHz以上的高频信号。

①LC并联谐振电路

$%28R+j%5Comega%20L%29%3D%5Cfrac%7B%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20C%7D%28R+j%5Comega%20L%29%7D%7B%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20C%7D+R+j%5Comega%20L%7D%3D%5Cfrac%7B%5Cfrac%7B1%7D%7Bj%5Comega%20C%7D%28R+j%5Comega%20L%29%7D%7BR+j%28%5Comega%20L-%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Comega%20C%7D%29%7D%5Capprox%20%5Cfrac%7B%5Cfrac%7BL%7D%7BC%7D%7D%7BR+j%28%5Comega%20L-%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Comega%20C%7D%29%7D$
当 $eq?%5Comega%20%3D%5Comega%20_0%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Csqrt%7BLC%7D%7D$ 时， $eq?Z%5Crightarrow%20%5Cinfty$ ，即断路。用LC并联谐振电路代替共射放大电路的 $eq?R_c$ 。当发生并联谐振时， $eq?R_c$ 非常大，此时的放大倍数也非常大；而没发生并联谐振时， $eq?R_c$ 较小，放大倍数也较小。从而起到选频的作用。

②变压器反馈式LC振荡电路

$eq?%5Comega%20_0%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Csqrt%7B%7BL%7D%27C%7D%7D%5Capprox%20%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Csqrt%7BL_1C%7D%7D$ 注意：变压器的同名端没有瞬时+和瞬时-的概念，它传递的是相对极性的高低，比如说： $eq?L_1$ 的同名端相对 $eq?L_1$ 的异名端的电位高，那么 $eq?L_2$ 的同名端也相对 $eq?L_2$ 的异名端的电位高。缺点：变压器会有漏磁，使得信号部分损失。

③电感三点式LC振荡电路

$eq?%5Comega%20_0%5Capprox%20%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Csqrt%7BLC%7D%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Csqrt%7B%28L_1+L_2+2M%29C%7D%7D$

$eq?f_0%5Capprox%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Csqrt%7BLC%7D%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%5Cpi%5Csqrt%7B%28L_1+L_2+2M%29C%7D%7D$

缺点：容易有高次谐波。

④电容三点式LC振荡电路

$eq?%5Comega%20_0%5Capprox%20%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Csqrt%7BLC%7D%7D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B%5Csqrt%7BL%28%5Cfrac%7BC_1C_2%7D%7BC_1+C_2%7D%29%7D%7D$

$eq?f_0%5Capprox%20%5Cfrac%7B1%7D%7B2%5Cpi%5Csqrt%7BL%28%5Cfrac%7BC_1C_2%7D%7BC_1+C_2%7D%29%7D%7D$

缺点：难以调节。

⑤石英晶体振荡电路

$eq?C_0$ ：静态电容

$eq?L$ ：表述电磁感应的元器件，先有电的变化后有机械振荡

$eq?C$ ：表现石英晶体振荡产生的电容变化

$eq?R$ ：表现石英晶体发热的元器件

（A）当R、L、C支路发生串联谐振时：

$eq?f_s%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%5Cpi%20%5Csqrt%7BRC%7D%7D$

在此之前该电路呈容性。

（B）当频率高于 $eq?f_s$ 低于 $eq?f_p$ 时，R、L、C支路呈感性，与 $eq?C_0$ 发生并联谐振时：

$eq?f_p%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%5Cpi%20%5Csqrt%7BLC%7D%7D%5Csqrt%7B1+%5Cfrac%7BC%7D%7BC_0%7D%7D%3Df_s%5Csqrt%7B1+%5Cfrac%7BC%7D%7BC_0%7D%7D$

在此之后该电路呈容性。

⑥端子判断

（A）找到正反馈回路，正反馈回路连着的便是输入端和输出端

（B）断开正反馈回路，根据瞬间极性法判断能否振荡

3.电压比较器

将使输出电压 $eq?v_o$ 从一个电平跳变到另一个电平时对应的输入电压 $eq?v_i$ 称为门限电压或阈值电压 $eq?V_T$ 。

（1）单门限电压比较器

当 $eq?v_P%3Dv_N$ 时，可以求出门限电压 $eq?V_T$ 。

（2）迟滞比较器

当 $eq?v_1%3Ev_p$ 时， $eq?v_o%3DV_%7BOL%7D$ ；当 $eq?v_1%3Cv_p$ ， $eq?v_o%3DV_%7BOH%7D$ 。

$eq?%5Cbecause%20V_T%3Dv_p%3D%5Cfrac%7BR_1%7D%7BR_1+R_2%7DV_%7BREF%7D+%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1+R_2%7Dv_o$

$eq?%5Ctherefore%20V_%7BT+%7D%3D%5Cfrac%7BR_1%7D%7BR_1+R_2%7DV_%7BREF%7D+%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1+R_2%7DV_%7BOH%7D$

$eq?%5Ctherefore%20V_%7BT-%7D%3D%5Cfrac%7BR_1%7D%7BR_1+R_2%7DV_%7BREF%7D+%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1+R_2%7DV_%7BOL%7D$

门限宽度或回差电压： $eq?%5CDelta%20V_T%3DV_%7BT+%7D-V_%7BT-%7D%3D%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1+R_2%7D%28V_%7BOH%7D-V_%7BOL%7D%29$

（3）方波发生电路

$eq?f%28t%29%3Df%28%5Cinfty%20%29+%28f%280%5E+%29-f%28%5Cinfty%20%29%29e%5E%7B-%5Cfrac%7Bt%7D%7B%5Ctau%20%7D%7D$ ， $%5Cfrac%7BR%7D%7BL%7D$

①基本方波发生电路

设 $eq?v_C%280%5E+%29%3D-FV_Z$

$eq?%5Cbecause%20v_C%28t%29%3Dv_C%28%5Cinfty%20%29+%28v_C%280%5E+%29-v_C%28%5Cinfty%20%29%29e%5E%7B-%5Cfrac%7Bt%7D%7B%5Ctau%20%7D%7D%3DV_Z+%28-FV_Z-V_Z%29e%5E%7B-%5Cfrac%7Bt%7D%7BR_fC%7D%7D%3DV_Z%5Cleft%20%5B%201-%281+F%29e%5E%7B-%5Cfrac%7Bt%7D%7BR_fC%7D%7D%20%5Cright%20%5D$

$eq?%5Ctherefore%20v_C%28%5Cfrac%7BT%7D%7B2%7D%29%3DV_Z%5Cleft%20%5B%201-%281+F%29e%5E%7B-%5Cfrac%7BT%7D%7B2R_fC%7D%7D%20%5Cright%20%5D%3DFV_Z$

$eq?%5Ctherefore%20T%3D2R_fCln%5Cfrac%7B1+F%7D%7B1-F%7D%281+2%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1%7D%29$ ， $eq?f%3D%5Cfrac%7B1%7D%7BT%7D$

②占空比可调的方波发生电路

$eq?T_1%3D%28R_1+R_%7BP1%7D%29Cln%281+2%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1%7D%29$

$eq?T_2%3D%28R_1+R_%7BP2%7D%29Cln%281+2%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1%7D%29$

$eq?T%3D%282R_1+R_P%29Cln%281+2%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1%7D%29$

③锯齿波发生电路

迟滞比较器+积分电路

① $eq?u_%7Bp1%7D%3D%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1+R_2%7Du_%7Bi%7D+%5Cfrac%7BR_1%7D%7BR_1+R_2%7Du_%7Bo1%7D$ ，其中 $eq?u_i%3Du_o$

当电路翻转时，有 $eq?u_%7Bp1%7D%5Capprox%20u_%7Bn1%7D%3D0$ ，化简可得

$eq?u_i%3DV_T%3D-%5Cfrac%7BR_1%7D%7BR_2%7Du_%7Bo1%7D$

由于 $eq?u_%7Bo1%7D%3D%5Cpm%20V_Z$ ，所以

$eq?V_%7BT+%7D%3D%5Cfrac%7BR_1%7D%7BR_2%7DV_Z$ ， $eq?V_%7BT-%7D%3D-%5Cfrac%7BR_1%7D%7BR_2%7DV_Z$

$eq?%5CDelta%20V_T%3DV_%7BT+%7D-V_%7BT-%7D%3D2%5Cfrac%7BR_1%7D%7BR_2%7DV_Z$

② $eq?i_%7Bn2%7D%3D%5Cfrac%7Bu_%7Bo1%7D%7D%7BR%7D$

由 $eq?C%3D%5Cfrac%7B%5CDelta%20Q%7D%7B%5CDelta%20V%7D%3D%5Cfrac%7Bi%5CDelta%20t%7D%7B%5CDelta%20V%7D$ 可得， $eq?%5CDelta%20t%3D%5Cfrac%7BC%5CDelta%20V%7D%7Bi%7D$

$eq?T_1%3D%5Cfrac%7BC%5Ccdot%20%28-2%5Cfrac%7BR_1%7D%7BR_2%7DV_Z%29%7D%7B%5Cfrac%7B-V_Z%7D%7BR_6%7D%7D%3D%5Cfrac%7B2R_1R_6C%7D%7BR_2%7D$

$R_5%29C%7D%7BR_2%7D$

$R_5%29$

九、整流滤波电路

1.桥式整流

$eq?v_2%3D%5Csqrt%7B2%7DV_2sin%5Comega%20t$

（1）直流电压 $eq?V_L$ 和直流电流 $eq?I_L$

$eq?V_L%3D%5Csqrt%7B2%7DV_2%28%5Cfrac%7B2%7D%7B%5Cpi%7D-%5Cfrac%7B4%7D%7B3%5Cpi%7Dcos2%5Comega%20t-%5Cfrac%7B4%7D%7B15%5Cpi%7Dcos4%5Comega%20t-%5Cfrac%7B4%7D%7B35%5Cpi%7Dcos6%5Comega%20t%5Ccdots%20%29$

直流分量为负载电压 $eq?v_L$ 的平均值 $eq?V_L$ ，即 $eq?V_L%3D%5Cfrac%7B2%5Csqrt%7B2%7DV_2%7D%7B%5Cpi%7D%5Capprox%200.9V_2$

直流电流为： $eq?I_L%3D%5Cfrac%7B0.9V_2%7D%7BR_L%7D$

（2）整流二极管的参数

流经每个二极管的平均电流： $eq?I_D%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%7DI_L%3D%5Cfrac%7B0.45V_2%7D%7BR_L%7D$

每个二极管承受的最大反向电压为： $eq?V_%7BRM%7D%3D%5Csqrt%7B2%7DV_2$

2.滤波电路

（1）电容滤波

变压器二次电流有效值为： $eq?I_2%3D%281.5%5Csim%202%29I_L$ （通常选择1.5）

二极管

放电时间常数 $eq?%5Ctau%20_d%3DR_LC%5Cgeq%20%283%5Csim%205%29%5Cfrac%7BT%7D%7B2%7D$ （通常选择5）

当 $eq?R_L%3D%5Cinfty$ 时， $eq?V_%7BL0%7D%3D%5Csqrt%7B2%7DV_2%5Capprox%201.4V_2$

当 $eq?C%3D0$ 时， $eq?V_%7BL0%7D%3D0.9V_2$

当整流电路的内阻不大（几欧）和放电时间常数满足上式时， $eq?V_L%3D%281.1%5Csim%201.2%29V_2$ （通常选择1.2）

二极管反向击穿电压 $eq?V_%7BBR%7D%5Cgeq%202V_2$

纹波电压 $eq?V_r%3D%5Cfrac%7BI_L%7D%7B2fC%7D$

3.线性稳压电路

$eq?V_O%3DV_%7BREF%7D+I_2R_2%3DV_%7BREF%7D%281+%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1%7D%29+I_%7Badj%7DR_2$

$eq?V_O%3DV_%7BREF%7D%281+%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1%7D%29%5Capprox%201.25V%5Ccdot%20%281+%5Cfrac%7BR_2%7D%7BR_1%7D%29$

月光还是我的月光

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模拟电路笔记

当发射结反偏，集电结反偏时，三极管处于截止区，此时三极管不工作。若考虑沟道长度调制效应，以增强型NMOS管为例子，则。时，NMOS管处于截止区，此时NMOS不工作。时，PMOS管处于截止区，此时PMOS不工作。当发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于放大区，有。当发射结正偏，集电结正偏时，三极管处于饱和区，有。其中n为发射系数，其值在1~2之间，默认为1；为温度电压当量，常温下（300K），NMOS管处于饱和区(恒流区)。PMOS管处于饱和区(恒流区)。时，NMOS管处于变阻区。时，PMOS管处于变阻区。
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