模拟电路基础知识笔记(106条精心总结),收藏这些就够了!

大家总说模电学不会,IC修真院为大家整理了106个模拟电路基础小常识,看看你掌握了多少,文末可以获取全部哦。

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1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体,其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。

2、 射极输出器属共集电极放大电路,由于其电压放大位数约等于1,且输出电压与输入电压同相位,故又称为电压跟随器(射极跟随器)。

3、 理想差动放大器其共模电压放大倍数为0,其共模抑制比为∞。

4、 一般情况下,在模拟电器中,晶体三极管工作在放大状态,在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。

5、 限幅电路是一种波形整形电路,因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。

6、 主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1 。

7、 多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。

8、 带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。

9、 时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态,还与输出端的原状态有关。

10、 当PN结外加反向电压时,空间电荷区将变宽。反向电流是由少数载流子形成的。

11、 半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电特性。

12、 利用二极管的单向导电性,可将交流电变成脉动的直流电。

13、 硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内,当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时,硅稳压管两端的电压基本不变。

14、 电容滤波只适用于电压较大,电流较小的情况,对半波整流电路来说,电容滤波后,负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍,对全波整流电路而言较为1.2倍。

15、 处于放大状态的NPN管,三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE,而PNP管处于放大状态时,三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。总之,使三极管起放大作用的条件是:集电结反偏,发射结正偏。

16、 在P型半导体中,多数载流子是空穴,而N型半导体中,多数载流子是自由电子。

17、 二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。

18、 当环境温度升高时,二极管的反向电流将增大。

19、 晶体管放大器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,三极管应始终工作在放大区。

20、 一般来说,硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。

21、 当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时,该晶体二极管相当于阻值很大的电阻。

22、 电子秤中使用的半导体器件是利用了半导体的力敏性。

23、 画交流放大器的直流通路时,电容器做开路处理;画交流通路时,电源和电容器应作短路处理。

24、 PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止,这种特性称为PN结的单向导电性。

25、 工作在放大状态中三极管可视为放大器件,工作在截止饱和状态的三极管可视为开关器件。

26、 差动放大器只对差模信号有电压放大作用,而对共模信号无电压放大作用。射极输出器的特点是电压放大倍数略小于1,且接近于1。所以对信号源影响小,带负载能力强。

27、 晶体三极管属于电流控制器件,场效应管属于电压控制器件。

28、 三极管属于双极型半导体器件,场效应管属于单极型半导体器件。

29、 理想运放的两个重要结论是:一、是运放的两个输入端的电位相等。二、运放的两个输入端的输入电流相等,并且等于零。

30、 一个自激振荡器只有满足相位平衡条件和振幅平衡条件才能产生振荡。

看完之后大家学会了吗?如果你还是没有学习思路的话,也可以跟行业内工程师具体了解一下学习的方向和方法。上面所涉及到的资料也可以分享给大家。

这里给大家放个口:模拟电路基础知识笔记

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### 回答1: CMOS模拟集成电路设计学习笔记 CMOS模拟集成电路设计学习是电子工程领域中的重要一环。CMOS(互补金属氧化物半导体)技术在现代集成电路设计中起着至关重要的作用。在学习CMOS模拟集成电路设计过程中,我对以下几个方面有所收获。 首先,电路的基本理论知识是学习CMOS模拟集成电路设计的基础。了解电路设计中的电压、电流、电阻、电容等基本概念,掌握基本的电路分析方法和技巧,对于有效地进行CMOS模拟集成电路设计非常重要。 其次,掌握CMOS技术的原理和特点。CMOS技术是使用N型和P型MOS管并排组成的电路结构,相比于其他技术,CMOS技术具有功耗低、抗干扰能力强等优势。了解CMOS技术的工作原理和特点,能够更好地应用于模拟集成电路的设计和优化过程中。 再次,学习射极耦合放大器(CAS)的设计和优化方法。CAS是模拟电路设计中常用的基本模块,具有放大增益高、抗干扰能力强等特点。通过学习CAS的设计和优化方法,能够更好地理解和应用于CMOS模拟集成电路设计中。 此外,了解电流镜、共源共排模式放大器、差分放大器、反馈电路等常见的CMOS模拟集成电路结构和设计技巧,对于深入理解CMOS模拟集成电路设计原理和方法非常有帮助。 最后,实践是学习CMOS模拟集成电路设计的重要环节。通过自己动手设计具体的电路实例,理解并解决实际问题,能够增加对理论知识的应用和理解。 总之,学习CMOS模拟集成电路设计需要掌握电路基本知识、了解CMOS技术原理和特点、学习常见的电路结构和设计技巧,并进行实践应用。通过不断学习和实践,我相信在CMOS模拟集成电路设计领域中会有更大的进步。 ### 回答2: cmos模拟集成电路设计是现代电子领域的重要研究方向之一。在学习过程中,我了解到cmos模拟集成电路设计的基本原理和方法,以及在实际应用中的一些注意事项。 首先,cmos模拟集成电路是一种使用cmos(互补金属氧化物半导体)技术制造的集成电路,其中的晶体管由n型和p型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS和PMOS)组成。cmos模拟集成电路设计主要涉及到电流源、放大器、运算放大器、滤波器等模块的设计。 在设计过程中,要考虑电路的性能指标,如增益、带宽、噪声等。同时,为了提高电路的稳定性和可靠性,需要注意电路中的电源抑制、温度补偿、布线规划等方面的问题。 另外,cmos模拟集成电路设计还需要掌握一些基本的设计工具和方法。如Spice仿真工具的使用,可以通过仿真验证设计的正确性和性能指标。还有一些常用的设计技巧,如工作在互补模式、差分放大器、共模反馈电路等,可以有效提高电路的性能。 在实际应用中,cmos模拟集成电路设计广泛应用于各个领域。例如,用于通信系统中的放大器、滤波器等电路设计,用于传感器中的信号处理电路设计等。因此,掌握cmos模拟集成电路设计的知识和技能对于从事电子工程的相关人员来说是非常重要的。 总之,cmos模拟集成电路设计学习笔记包括了基本原理和方法,设计工具和技巧,以及实际应用等方面的内容。通过学习和掌握这些知识和技能,可以提高我们在cmos模拟集成电路设计方面的能力和水平。 ### 回答3: CMOS模拟集成电路设计学习笔记是我在学习过程中记录的一本笔记总结了我对CMOS模拟集成电路设计的理解和经验。 首先,CMOS模拟集成电路是一种重要的集成电路设计技术,它利用CMOS工艺制造出的器件来实现各种模拟电路功能。学习CMOS模拟集成电路设计,首先需要了解CMOS工艺的基本原理和特点。CMOS工艺是一种使用N型细长沟道和P型细长沟道场效应管组成的半导体工艺,它具有电压驱动强、功耗低、噪声小等优点。此外,还需要学习CMOS工艺的制造工艺流程和工艺参数的选择。 在设计CMOS模拟集成电路时,首先需要进行电路的建模与分析。我学习了基本的电路理论与分析方法,如放大电路、逻辑电路、反馈电路等,并学会了使用理想运放进行电路近似分析。此外,还学习了CMOS器件的模型和特性,如MOSFET的输出特性曲线、小信号模型等。通过电路建模与分析,可以更好地理解电路的工作原理和设计要素。 然后,学习了CMOS模拟电路的常见设计技术和方法。其中,包括源随器的设计与优化、偏置电路设计、放大电路设计、运算放大器设计等。在设计过程中,我学会了使用EDA工具进行电路仿真和验证,以及对电路进行性能指标的评估。通过反复实践和调试,我逐渐掌握了设计方法和技巧。 最后,我还学习了一些高级的CMOS模拟集成电路设计技术,如电压参考电路设计、数据转换电路设计、低功耗设计等。这些技术使得我能够设计更加复杂和高性能的CMOS模拟集成电路,提高了我的设计能力和水平。 通过CMOS模拟集成电路设计学习笔记的记录和总结,我不仅巩固了自己的知识和理解,还积累了更多的设计经验。这本笔记对于我今后的工作和学习都具有重要的参考价值。
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