STM32F103C8T6烧录的引脚设置

一、BOOT设置

     STM32F10XXX中，有如下三种启动模式：

      所以，在使用串口烧录时应：

      1.将BOOT1置0，BOOT0置1，使芯片进入烧录状态。

      2.按下复位键，进行复位。（STM32F103C8T6为低电平复位）

   3.如上图所示进行配置，点击开始编程，成功后显示右侧成功信息。

   4.将BOOT0置0，退出烧录模式，进入运行模式。

   5.按下复位按键，进行复位，开始运行程序。

二、高电平、低电平复位详解

a)高电平复位

  上电复位电路本质上就是RC串联充电电路。
  上电后，由于电容两端电压不能突变，上电一瞬间电容等效为短路，因此RST为高电平，电位等于VCC，复位、之后通过电阻R1对电容进行充电，与此同时电阻两端电压开始减小，根据时间常数τ=RC，对于上图中的电路尔而言，大概需要4τ-5τ，也就是经0.4S-0.5S左右可近似认为电容充电完毕，此时电容两端电压差近似为VCC，电阻两端电压差为0V，从而RST就为低电平，近似为0V，单片机开始工作。
b)低电平复位

  上电后，由于电容两端电压不能突变的特性，上电一瞬间，RST端点位近似为GND，即低电平【瞬间电容击穿也仅是击穿到地，仍为低电平】，复位完成。之后，经过4τ-5τ的时间后，电容充电完毕，电容两端电压差近似VCC，电阻两端电压差为0V，相当于导线，从而RST端电位近似于VCC，后正常工作。

 三、串口连接

 开发板     USB转TTL

  VCC-----------VCC

  GND----------GND

  TXD-----------RXD

  RXD----------TXD

四、分享与讨论

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