m0_74279742的博客

原创 2.6放大电路的派生电路

1.基本共源放大电路（有沟道，在横流区）→转移特性曲线（横流区）//斜率gm(跨导)合理的通路，前面的管子是什么等效的管子就是什么；第一级：射极输出器（前端输入电阻大）共基（通频带宽） ，共射（放大）

原创 1.3.2晶体三极管

②当Uce增大时，由发射区注入基区的非平衡少子有一部分越过基区和集电结形成集电极电流ic，使得在基区参与复合运动的非平衡少子随Uce的增大(即集电结反向电压的增大)而减小；③当Uce到达一定值时，集电结电场足够强，可以把发射区注入基区的非平衡少子大部分收集到集电区，所以再增大Uce，Ic不可能明显增大，导致Ib也基本不变，曲线也不再右移。Uce增大→集电结电场增强（收集基区非平衡少子能力增强）→Ic增大，再增大Uce（集电结可以把发射区注入基区的非平衡少子大部分收集到集电区）→Ic几乎不变。

原创 1.3.1场效应管（FET）

输入电阻高，只有多子参与导电分类：节型场效应管和绝缘栅型场效应管。

原创 二极管的伏安特性曲线

T升高→正向曲线左移，方向曲线下移（敏感）

原创 常用半导体器件

电子N-P（空穴和电子产生复合）→杂质离子不移动形成空间电荷区→空间电荷区形成内电场→阻止多子扩散运动，促进少子漂移运动→多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡→形成PN结。PN结偏置电压的变化会导致PN结空间电荷区的电荷数量和两侧的载流子数量均发生变化，现象与电容相似。空间电荷区变宽，加强内电场→阻碍扩散运动，加强漂移运动→漂移电流（少子运动产生，非常小，科忽略）２ . PN 结外加正向电压时 ，正向电阻小 ，表现为导通状态；纯净的具有晶体结构的半导体，一般材料为硅（Si）和锗（Ge）

原创 &在C语言中的应用

原创 51学习记录——中断(硬件)和定时器

硬件调用：flash rom(放程序)里面有一部分特殊的空间，中断向量表(记录中断服务程序入口)//放入口地址，再跳到中断函数。参考文档：https://blog.csdn.net/as480133937/article/details/97396383。TCON特殊功能寄存器(SFR):存放标志，记录中断请求(有中断写1，无中断写0)IP(SFR):中断优先级寄存器//0为低优先级组，1为高优先级组。IE(SFR):中断的屏蔽//Enable，开中断和关中断。内部中断源：定时器timer(T0，T1)