1.3.2晶体三极管

一，结构：基区B（薄，浓度低），反射区E（浓度高），集电区C（面积大）

二，晶体管的电流放大作用

放大状态：发射结正偏，集电结反偏

1，发射结（正向电压）：扩散运动形成发射极电流IE，电子：发射区→基区

空穴：基区→发射区（比较小，可忽略）

2，基区：自由电子和空穴复合→IB（极少部分），由于VBB作用，复合运动不断进行

3.集电极（反向电压）：漂移运动形成IC

（VCC作用下）

 IE=IEN（电子电流）+IEP（空穴电流)=IBN(基极复合）+ICN(集电极复合)+IEP（空穴电流）

IC=ICN(反射区到基区未复合的电子在集电区复合产生的电流)+ICBO（基区和集电区的漂移运动）

IB＝IBN+IEP（空穴由基区到反射区）-ICBO（集电区和基区的漂移运动）//KCL可推导

4.晶体管的电流放大系数β=△Ic△Ib

三，晶体管的共射特性曲线

1，输入特性曲线（Ube=常数）

①当Uce=0V时，集电极与发射极短路，即发射结与集电结并联，输入特性曲线与PN结的伏安特性相类似，呈指数关系，

②当Uce增大时，由发射区注入基区的非平衡少子有一部分越过基区和集电结形成集电极电流ic，使得在基区参与复合运动的非平衡少子随Uce的增大(即集电结反向电压的增大)而减小；因此，要获得同样的Ib，就必须加大Ube，使发射区向基区注入更多的电子。

③当Uce到达一定值时，集电结电场足够强，可以把发射区注入基区的非平衡少子大部分收集到集电区，所以再增大Uce，Ic不可能明显增大，导致Ib也基本不变，曲线也不再右移。

2，输出特性曲线（Ib=常数）

Uce增大→集电结电场增强（收集基区非平衡少子能力增强）→Ic增大，再增大Uce（集电结可以把发射区注入基区的非平衡少子大部分收集到集电区）→Ic几乎不变

①截止区（发射结电压小于开启电压，集电结反偏）Iceo（穿透电流）

②放大器（发射结正偏，集电结反偏）

③饱和区（双结正偏）Uce＜Ube且Ube＞Uon        //Ic小于β*Ib

④虚线：Ucb=0

四，晶体管的主要参数

1，直流参数：电流放大系数

2，交流参数

五，温度对其影响

//图1.3.8温度上升→扩散运动加剧

//图1.3.9温度加强非平衡少子的运动，Ic增大

六，光电三极管：光的强度控制集电结电流