常用半导体器件

一、半导体

本征半导体

纯净的具有晶体结构的半导体，一般材料为硅（Si）和锗（Ge）

杂质半导体
１ . 半导体中有两种载流子 ；自由电子和空穴 。 P 型半导体（磷P）的多数载流子
是空穴 ；N 型半导体（硼）的多数载流子是自由电子 。

２ . PN 结外加正向电压时 ，正向电阻小 ，表现为导通状态 ；加反向电压时 ，
反向电阻很大 ，表现为截止状态 。 这就是 PN 结的单向导电性 。

3 . PN结的形成

两侧载流子存在浓度差→多子扩散运动空穴:P-N;电子N-P（空穴和电子产生复合）→杂质离子不移动形成空间电荷区→空间电荷区形成内电场→阻止多子扩散运动，促进少子漂移运动→多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡→形成PN结

 二，PN结的单向导电性

1，PN结加正向电压（导通）：多数载流子进入空间电荷区，削弱内电场→扩散运动加强，漂移运动减弱→在电源作用下，扩散运动不断进行，形成正向电流。

2，PN结加反向电压（截止）

空间电荷区变宽，加强内电场→阻碍扩散运动，加强漂移运动→漂移电流（少子运动产生，非常小，科忽略）

3，PN结的电流方程 

4. PN结的反向击穿特性

• 反向击穿现象：PN结上加的反向电压增大到某一数值的时候，反向电流激增的现象。
• 击穿类别：可逆击穿和不可逆击穿
• 低参杂，高电压（雪崩）：耗尽层宽，电子有足够的距离加速
• 高参杂，低电压（齐纳）：耗尽层窄，不大的反向电压即可形成高场强

三、PN结的电容特性

PN结偏置电压的变化会导致PN结空间电荷区的电荷数量和两侧的载流子数量均发生变化，现象与电容相似。

按照产生机理得到不同，可分为势垒电容和扩散电容：

• 势垒电容

 

• 扩散电容

  

五、PN结的光电效应