输入电阻高,只有多子参与导电
分类:节型场效应管和绝缘栅型场效应管
一,绝缘栅型场效应管(MOS)FET
1,N沟道增强型 MOS
结构:g栅极,s源极,d漏极
工作原理:
习惯上和B(衬底)连在一起的为源极s
(1)UDS=0,UGS>0
空穴全踢走,P里面的少子(自由电子)被吸上来→N沟道 宽度(电阻 Rds)和UGS相关→得到一个用电压控制的可变电阻。Ugs决定Rgs
(2)Ugs>Ugs(th) //大于开启电压,沟道开始形成,保持Ugs不变,让Uds!=0且一直增加(图a)
左边电压差Ugs,右边电压差为Ugs-Uds,不断增大Uds→当Ugs-Uds=Ugs(th)→预夹断(图b)
再增大Uds→缝隙变长→Rds电阻变大(如图c)→出现恒流 //原因:增加的电压都去抵消增加的电阻
可变电阻区(Ugs和Uds共同决定Id)预夹断后进入→恒流区(Ugs决定Id) //Ugs可以控制Id
2,N沟道耗尽型MOS管
二氧化硅里面自带正电荷,天生有沟道
Ugs加正向电压沟道变大,加反向电压沟道变小,反向电压加到Ugs(OFF)//夹断电压//→截止
二,结型场效应管
1,N沟道结型场效应管
Ugs之间加反压, PN结反偏(电阻高)→ 耗尽层变宽→沟道便窄(图a→c)
(图c):加到Ugs(OFF)真夹断,用不了了
2,工作原理
a→c:Uds不断增大,出现预夹断
a→c:可变电阻区(Ugs不变电阻不变)→恒流区(Ugs决定Id) //Ugs可以控制Id
为什么Ugs不能大于0? //大于0,PN结就导通了 (啥都不存在了)
三,场效应管的特性曲线与参数
1,转移特性曲线
图a(转移特性):恒流区 图b(输出特性曲线)
耗尽型也有类似方程,只需Ido换成Idss,Ugs(th)换成Ugs(OFF)
上面2图:N沟道结型管
总的思路:控制在恒流区→ 小信号去影响Ugs→转移特性曲线→输出Id
参数:
直流参数:Ugs (th) Ugs(OFF) Idss Rgs(DC)