1.3.1场效应管（FET）

输入电阻高，只有多子参与导电

分类：节型场效应管和绝缘栅型场效应管

一，绝缘栅型场效应管（MOS）FET

1，N沟道增强型 MOS

结构：g栅极，s源极，d漏极

工作原理：

 习惯上和B（衬底）连在一起的为源极s

(1)UDS=0，UGS>0  

空穴全踢走，P里面的少子（自由电子）被吸上来→N沟道         宽度（电阻 Rds）和UGS相关→得到一个用电压控制的可变电阻。Ugs决定Rgs

 （2）Ugs>Ugs（th）    //大于开启电压，沟道开始形成，保持Ugs不变，让Uds！=0且一直增加（图a）

 

 左边电压差Ugs，右边电压差为Ugs-Uds，不断增大Uds→当Ugs-Uds=Ugs（th）→预夹断（图b）

再增大Uds→缝隙变长→Rds电阻变大（如图c）→出现恒流        //原因：增加的电压都去抵消增加的电阻

可变电阻区（Ugs和Uds共同决定Id）预夹断后进入→恒流区（Ugs决定Id）        //Ugs可以控制Id

 2，N沟道耗尽型MOS管

二氧化硅里面自带正电荷，天生有沟道

Ugs加正向电压沟道变大，加反向电压沟道变小，反向电压加到Ugs（OFF）//夹断电压//→截止

二，结型场效应管 

1，N沟道结型场效应管 

Ugs之间加反压， PN结反偏（电阻高）→ 耗尽层变宽→沟道便窄（图a→c）

（图c）:加到Ugs（OFF）真夹断，用不了了

2，工作原理

a→c：Uds不断增大，出现预夹断

a→c：可变电阻区（Ugs不变电阻不变）→恒流区（Ugs决定Id）        //Ugs可以控制Id

 为什么Ugs不能大于0？         //大于0，PN结就导通了 （啥都不存在了）

三，场效应管的特性曲线与参数

1，转移特性曲线

图a（转移特性）：恒流区         图b（输出特性曲线）                

耗尽型也有类似方程，只需Ido换成Idss，Ugs（th）换成Ugs（OFF）

上面2图：N沟道结型管 

总的思路：控制在恒流区→ 小信号去影响Ugs→转移特性曲线→输出Id

参数： 

直流参数：Ugs (th)        Ugs（OFF）        Idss        Rgs(DC)

 

四，交流参数