（南京观海微电子）——TFT残影分析

残像的定义：

残像也叫影像残留（Image Sticking），它是指显示器长时间显示同一静止画面，在改变显示内容后留下之前画面的现象，如下示意图；实际发生的残像可能是显示屏整面的也可能是局部的。

事实上，所有的TFT-LCD显示屏或轻或重的都存在一点残像的问题，而对于使用面内转换型IPS技术的显示屏，没有像扭曲向列型一样的氧化钢锡屏蔽层。所以，使用FFS或者IPS技术的显示屏相对比较容易出现残影。

02

残像的分类：

残像也有类别之分，目前主要有以下三种不同维度的分类方式，具体总结如下表：

TFT迟滞）造成短残的原因：1、栅间绝缘层内部缺陷态；2、多晶硅和栅间绝缘层间界面缺陷态。

载流子被陷阱捕获及逃逸出陷阱这一过程随着外加电压不断重复。当外加高栅压，缺陷态捕获载流子，使得阈值电压升高，从而降低了电流；当外加低栅压，缺陷态载流子被释放，电流从而升高。

栅压不是很大，时间不是很长，界面缺陷态占主导；

高栅压，长期偏置，内部缺陷占主导。

255灰阶的棋盘格降到48灰阶后，原白格亮度低于原黑格亮度

由于TFT的迟滞效应，L255->L48，电流小于 L0->L48，因此造成了上述棋盘格短残的亮暗颠倒现象。评价短残标准可分为：

光学类：1、L48保持10秒，切换棋盘格10秒，再切回L48保持60秒，测出左侧亮度变化情况L1;

2、L48保持10秒，切换棋盘格10秒，再切回L48保持60秒，测出右侧亮度变化情况L2;编辑错误，请忽略此行：回L48保持60秒，测出左侧亮度变化情况L1;当JND<0.004时，可认为短残现象消失。

电学类：

1、Vgs从L255对应值变为L48的对应值，测量电流变化情况 I255；2、Vgs从L0对应值变为L48的对应值，测量电流变化情况 I0；当ΔIds ≤0.01可认为残影消失。

TFT中的液晶(LC)是一种极性晶体材料，电场可以使其发生相应的扭曲。

薄膜晶体管中的液晶必须由交流电驱动。如果使用DC驱动，晶体的极性将被破坏。
事实上，没有绝对对称的交流电；
当连续驱动TFT像素时，相关的轻微不平衡会将自由离子吸引到内部电极，吸附在内部电极上的离子会造成类似DC+交流的驱动效果。
TFT LCD 液晶屏 残影维修和预防
TFT LCD 液晶屏修复方法：
内容短时间固定不会出现残影的现象。如果出现残影的情况，可以按如下方式修理薄膜晶体管显示屏:
关闭TFT几个小时就有机会恢复。(可能需要48小时)
创建一个全白图像，并在屏幕上移动几个小时，而不打开背光。
网络上有很多残影修复软件，可能也有帮助。残影出现后，会更容易重现，需要采取预防措施，防止TFT LCD 残影重现。

TFT LCD 液晶屏预防方法：
屏保，在系统不运行时，让TFT的像素显示不同的内容，即显示移动屏保或不定时切换内容，避免显示静态图片超过20分钟；
清除屏幕，当系统不运行时，让TFT充满所有黑色或白色；
关闭背光，进一步延长背光LED的寿命；
关闭电源，不使用时让TFT屏幕休眠，避免任何不必要的驾驶；
信号，上电后应连续提供显示扫描信号，避免扫描暂停造成TFT驱动；
电源定时，注意开关机定时顺序。
TFT LCD 液晶屏 残影测试标准
测试(示例):
常温；黑白棋盘格显示(每格约60x60像素)；静态显示30分钟。
判断(示例):
全屏显示128(50%)灰色；等待10秒后，no 残影可视为合格。

残像的定义：

残像也叫影像残留（Image Sticking），它是指显示器长时间显示同一静止画面，在改变显示内容后留下之前画面的现象，如下示意图；实际发生的残像可能是显示屏整面的也可能是局部的。

事实上，所有的TFT-LCD显示屏或轻或重的都存在一点残像的问题，而对于使用面内转换型IPS技术的显示屏，没有像扭曲向列型一样的氧化钢锡屏蔽层。所以，使用FFS或者IPS技术的显示屏相对比较容易出现残影。

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残像的分类：

残像也有类别之分，目前主要有以下三种不同维度的分类方式，具体总结如下表：

AC残像的分析

经过前面的分析，我们已经知道了AC残像的发生机理和判定方法；那么在实际解析中，我们该如何着手去解析一个AC残像的产生原因呢？

图7：AC残像影响因子梳理

根据AC残像的主要形成原因为配向方位的偏置，因此我们从影响液晶配向的角度，针对AC残像的影响因子，梳理出了一个逻辑树，如上图所示；由此，我们再去对发生残像的屏幕进行逐步的分析。在笔者的工作中，残像主要发生在ORT验证试验中，因此一般的分析步骤如下：

①判定为AC残像了，同时还需要收集这些信息：残像的程度+残像是panel整个面发生还是局部位置发生+残像panel（或具体位置）在大基板玻璃上的分布情况

②查询同时投入验证出现残像与未出残像的屏幕作业履历信息，尤其是配向方面的参数，如配向号机、摩擦棍的压入量、所使用的PI和液晶材料批次和型号等，查出来后做对比分析

③对于离子浓度这些我们目前还没好的手段进行测试，但是我们可以测试如下数据：

TFT基板：各层膜厚和线幅，尤其是条状ITO的线幅与厚度、配向膜的厚度

CF基板：RGB色阻的厚度和段差、配向膜的厚度

在笔者实际工作中，有个AC残像的案例，解析就是发现残像程度与条状电极ITO的厚度有正相关，于是对ITO的厚度进行适当减薄之后，残像得到了改善。另外适当增加配向膜的厚度，也有利于改善AC残像。原因是：降低条状电极ITO的厚度和增加PI膜的厚度，都有利于减小段差，使基板平整度变好，配向情况变好，因此AC残像得到改善。

4.DC残像

4.1 DC残像的形成原因

①产品在加压过程中，在像素区会出现交流驱动不对称的地方，偏离中心的那部分电压就是 DC 偏置。

②DC 偏置吸引屏内离子型不纯物，导致离子聚集从而形成残留 DC 偏置；

③切换显示画面时，由于残留 DC 作用，液晶分子受离子影响不能正确保持设计所要求的状态，导致在离子聚集处与其他区域显示亮度出现差异→形成残像不良。

图8：DC面残像机理示意图

4.2 线残像形成原因

在棋盘格画面下， 由于在黑白显示区域之间存在一个 DC 偏置电压，边界线的 DC 偏置电压促使不纯物离子向边界聚集，使离子聚集处的像素电压发生起伏，影响液晶偏转，导致透过率发生偏移， 形成 Ximi（即线残像）

4.3 线残像和 DC 面残像的关系

④DC 面残像与 Ximi 都存在 DC 偏转和离子不纯物；但两者现象差异大，主要与 DC 偏转值的大小及 DC 偏转区域大小紧密相关（ Ximi 的 DC 偏置值大，范围小）。

⑤发生Ximi 往往有 DC 面残像，但两者不是必然的，主要还与产品驱动信号、材料设计等相关；

图9：线残像机理示意图

4.4 DC残像的判定

在实际中我们该如何判断一个残像是AC残像还DC残像呢？同样有两种判断方法：

①调节Vcom：若有明显变化或者能调消失，则为DC残像；原理是抵消了残留DC形成的偏置电场对液晶的影响；

②结合DC残像的形成原理来判断；下图所示，理想状态下，当 Vcom 调整到最佳时，像素的正帧电压和负帧电压是对称的，此时正负帧的亮度也是一样的；而当 Vcom 偏离中心值后，像素正负帧的压差不再一样，从而正负帧的亮度也产生了变化；

图10：Vcom 电压变化示意图

根据上述VCOM电压的变化情况，再结合IPS型显示的亮度曲线，下图所示；我们可以看出：

①低灰阶下，当 Vcom偏离最佳值后，正负帧亮度均值高于Vcom偏离前的亮度值，此时Panel的亮度会上升；

②高灰阶下，当 Vcom 偏离最佳值后，正负帧亮度均值低于Vcom 最佳状态下正负帧的亮度，此时 Panel 亮度下降；

图11：Vcom 电压变化与panel亮度变化原理图

因此，根据上述原理，我们也同样可以参照AC残像对残像panel进行Vcom 和亮度曲线的测试：下图是理想的亮度与Vcom曲线图：

图12：Vcom 电与panel亮度曲线图

4.5 DC残像的分析

关于DC残像的原理与判断方法说了很多，那么在实际解析中，我们该如何着手去分析一个DC残像呢？简单来说，DC残像的形成有两个大的因素：DC偏置电压和离子型不纯物。因此，围绕这两点，我们把DC残像的关键因子树状图绘制如下：

图13：DC残像影响因子梳理

根据上图，我们从DC偏置和离子型不纯物两个方面去调查残像的原因。

①DC偏置：我们又可以分为灰阶DC差和面内DC差，以及结构DC差三个方面，但最终还是落实到对TFT特性、Feed-through电压大小、条状ITO电极、扫描线、数据线等的测试分析上来。而对于IPS或者FFS型panel来说，直接测试TFT特性是比较难的实现的，因为大部分都是top com的结构。因此TFT特性的测试一般都是转化为间接地测试TFT沟道处各层膜厚了。

②盒内离子型号不纯物：目前我们几乎没有可直接测试的手段，且由于离子的来源又很多，即使测试到了，恐怕也很难去判断其具体来源。因此对于离子不纯物这个难缠的“刺头”，我们一般只能通过对材料、设备、工艺三个方面的间接分析来调查。

a.材料方面：查询CF、液晶、PI、seal的作业批次性是否有集中性。理论上液晶、PI、seal这些有机物材料都有可能引入不纯物离子的；而IPS型的屏幕，由于CF侧膜面没有像TN型那样的一层ITO阻挡着下面的彩膜有机层，因此色阻和OC里面也比较容易析出离子型不纯物。

b.设备方面：重点排查液晶滴下和PI膜印刷以及配向的作业机台是否有集中性；

c.工艺方面：A段到cell段的每一段工艺间是否有较长的停留或者异常；另外就是排查液晶滴下和PI膜印刷以及配向的工艺过程中是否存在异常的情况；

事实上对于离子型不纯物的排查，几乎相当于是隔着棉袄挠痒——其具体来源实在是太难排查了，因为真的有点看不见摸不着它。

另外在解析时，收集发生残像的屏幕相关信息，如在大板上的具体面分布，每个panel的残像程度等，也很重要。