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1.1.1本征半导体
半导体：
常温下导电性能介于 导体 与 绝缘体 之间的材料
本征半导体：
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体本征半导体
影响导电性能的因素：
物体的导电性取决于原子的结构
1.1.2本征半导体的结构图
1.1.3载流子
载流子：
运载电荷的粒子称为载流子。导体导电只有一种载流子，即自由电子导电;而本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电，这是半导体导电的特殊性质。
（自由电子通过定向移动来实现导电，空穴也参与导电是因为自由电子之间相互碰撞，会与空穴结合重新形成共价键，同时可能也会有新的共价键断开，空穴在整体上呈现移动，同时共价键不显电性，自由电子带负电，空穴则带正电，有带电体的定向移动则可以说明其导电）
本征激发
半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。
自由电子和空穴对
（一个共价键断开后就会形成一个自由电子和一个空穴）
复合
自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。
动态平衡
在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，故达到动态平衡。
重点：
1、导电能力和载流子的浓度有关，而不是数目有关
2、为什么浓度升高，导电能力增强？
（温度越高，本征激发速度越快）当环境温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多，即载流子的浓度升高，因而必然使得导电性能增强。反之，若环境温度降低，则载流子的浓度降低，因而导电性能变差，可见，本征半导体载流子的浓度是环境温度的函数。
3、复合的的速度和载流子的浓度有关（温度升高，激发的载流子数目增多，浓度也随之变大，复合的程度也随之变大，然后当温度达到一定程度的时候，复合和激发就达到平衡了，此时也是达到平衡）
为了提高导电性能，所以推出了杂质半导体
1.1.4杂质半导体
通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，便可得到杂质半导体。
按掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P型半导体;控制掺入杂质元素的浓度，就可控制杂质半导体的导电性能。
一、N型半导体
在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置
里面的电子还是2种，空穴和激发电子
多子和少子
N 型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，故称自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子;简称前者为多子，后者为少子。
施主原子
由于杂质原子可以提供电子，故称之为施主原子。（因为P粒子，给出了一个电子，所以被称作为是 施主电子）
其他：
对于N型半导体，温度对于多子的影响不是很大，（因为多子大部分是由P产生的，其电子数目是本征半导体的成千上万倍，而随温度升高产生的那些自由电子，就显得微乎其微了）
温度对少子的影响很大，但对于多子是影响会比较小
二、P型半导体
在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置就形成P型半导体
其中：加入一个 硼 B 就多出一个空穴，所以空穴就变成了 多子 ，而自由电子就变成了 少子，主要依靠空穴导电
与 N 型半导体相同，掺入的杂质越多空穴的浓度就越高，使得导电性能越强。因杂质原子中的空位吸收电子，故称之为受主原子。
加入一个 硼 B 就多出一个空穴，所以空穴就变成了 多子 ，而自由电子就变成了 少子，主要依靠空穴导电
1.1.5 PN结
将 P型半导体 和 N型半导体 结合，中间就会形成 空间电荷区，这就是PN节
空间电荷区：
可以理解为是 交战区，之后双方拉开了战线
扩散运动：
物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。
空间电荷区:
当把 P型半导体和 N型半导体制作在一起时，P区出现负离子区，N区出现正离子区，它们是不能移动的，称为空间电荷区
形成原因：从而形成内电场。随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，其方向由 N区指向 P区，正好阻止扩散运动的进行。
漂移运动:
少子 在进入 空间电荷区 后就会被拉回来，在电场力作用下，载流子的运动，这种飘的运动可以称作是 漂移运动
PN结的形成：
在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成 PN 结
对称结 和 不对称结：
如果空间电荷区的宽度一样(两边的浓度一样)，那么就是对称结
如果浓度不一样就会边宽一边窄，形成不对称结
1.1.6 PN结的单向导电性
PN结具有单向导电性是因为：加入的电场对于PN结的“堤坝”有削弱作用
PN结：从P+N-的时候（注意PN结是从P->N），可以导通
一、 外加正向电压
刚开始加电压的时候（从0开始）这被称作死区，刚开始电流(I)没有什么变化，当加入到某一个值的时候，再加电压，电流就会成指数型增长
二、 外加反向电压
加入反向电压的时候，内电场和外电场的方向相同，
PN结会变大，导致整体不导电
在反向通电流的时候，其实是有电流的，只不过电流非常微小（由漂移运动，而这种运动是由 少子 产生的，所以非常微弱）这个微小的电流对温度比较敏感
漂移电流：
阻止扩散运动的进行，而加剧漂移运动的进行，形成反向电流，也称为漂移电流。因为少子的数目极少，即使所有的少子都参与漂移运动，反向电流也非常小，所以在近似分析中常将它忽略不计，认为 PN 结外加反向电压时处于截止状态
通过上面的图可以发现，有两个变化非常快的线，那就是反向击穿
1.1.7 击穿
一、雪崩击穿
杂质的量比较少的时候
当反向电压增加到较大数值时，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对。新产生的电子与空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地倍增，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。
这个是让 耗尽层 变大，温度升高，雪崩击穿所需要的电压越高(温度升高晶格振动会越剧烈，会碰撞周围的自由电子此时就需要更多的能量来摆脱)
二、齐纳击穿
高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很窄，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿
这个是因为 耗尽层比较窄，加入比较小的电压就可以达到足够的电场强度，导致可以导通 (即被击穿)
温度升高，齐纳击穿所需要的电压越低(温度越高，价电子越容易拉出)
1.击穿一定会导致元件毁坏吗?
导致元件毁坏的因毒是温度急剧升高而毁坏电路 (二次击穿)，如果只是击穿，没有达到温度升高的程度时，是不会烧坏元器件的
2.通过对掺杂浓度的多少的控制，就可以控制击穿电压的大小
浓度越大，击穿电压越低(齐纳击穿)
浓度越小，击穿电压越高(雪前击穿)
1.1.8 PN结的电容效应
什么可以被称作电容: 随着电压的变化，存储的电荷量也会发生变化
一、势垒电容:
随着电压的变化，空间电荷区 (耗尽层)也会随之变化耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容
根据这种特性可以把其变为可变电容
二、扩散电容
当外加电压增大时，曲线由D变为2，非平衡少子数目增多;当外加电压减小时，曲线由D变为3，非平衡少子数目减少。扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容 Cdo
平衡少子 和 非平衡少子
PN 结处于平衡状态时的少子常称为平衡少子。PN 结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。
扩散电流
当外加正向电压一定时，靠近耗尽层交界面的地方非平衡少子的浓度高，而远离交界面的地方浓度低，且浓度自高到低逐渐衰减，直到零。形成一定的浓度梯度(即浓度差)，从而形成扩散电流。
如果将PN结的两端单独用两根线连接出来，就会形成二极管，稍后更新，敬请期待
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