模电 - 半导体基本知识

半导体基本知识

• 半导体的概念：导电性能介于导体与绝缘体之间。
• 半导体的重要物理特性：电导率，电导率与材料内单位体积中所含的电荷载流子的数目有关，电荷载流子的浓度越高，其电导率越高。
• 半导体材料还有一些特殊性质，比如，当半导体收到外界光和热的激励时，其导电能力将发生显著变化；在纯净的半导体中加入微量的杂质，其导电能力会显著变化。

本征半导体

• 概念：一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
• 本征半导体的二维晶体结构，以硅为例，如图所示，
  
• 本征激发：在温度较低时，每一个原子的外围电子被共价键所束缚，被束缚的电子对传导电流没有贡献。当温度身高时，被束缚的价电子就会获得足够的随机热振动（热运动）能力，从而挣脱共价键的束缚，成为为自由电子。这种现象就是本征激发。
• 空穴：当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，这个空位就是空穴。空穴也是半导体区分于导体的一个重要特征。 空穴在电场作用下具有吸引力，引起周围未挣脱束缚的电子过来填充，一旦有电子过来填充就形成了新的空穴，依次循环。(因此空穴也可以导电啦）
• 自由电子：受本征激发之后，脱离共价键束缚的电子。（可以导电啦）
• 载流子：电流载体。由上可知，本征激发产生了两种载流子 — 电子和空穴。本征半导体内载流子都是成对出现的。
• 复合（与本征激发相反）：自由电子在整个晶体内乱跑，那么就有一定的机率跑到空穴里面去，一旦进入空穴中，重新变成了共价键的价电子（这样就不能再导电啦），这个过程就是复合。
• 实际上，半导体中一旦出现了一定浓度的自由电子和空穴后，复合现象是经常发生的。当载流子（电子和空穴）的复合率和产生率相等时，就达到了一个动态平衡。
• 问题来了，这个动态平衡是怎么达到的呢？在本征半导体中，载流子的浓度与温度有关，温度越高，本征激发越容易，载流子浓度就越高，载流子浓度高了也使得复合的几率变大了。从而形成一个动态的平衡。

杂质半导体

• 本征半导体的载流子是由热运动激发的。局限性太大，且导电能力偏弱。而半导体材料本身具有可掺杂性，那么在本征半导体中掺入一定浓度的杂质半导体可解决上面的局限性。

N型半导体

• 掺入少量的5价元素杂质（磷、砷、锑），5个电子只用了4个便形成了共价键，还有1个非常容易逃脱原子的束缚，其实就相当于给它自由电子，这种元素杂质也成为施主杂质。而此类半导体内依然存在本征激发，所以它依然还是有两种载流子：电子和空穴。
• 多子：多数载流子（自由电子），因为这个是主要导电的载流子，而自由电子带负电，所以成为N（Negative）型半导体。
• 少子：少数载流子（空穴），这里有个小思考哦，空穴的浓度会比本征半导体因为本征激发而产生的空穴浓度少吗？“掺入了自由电子”那么被复合的空穴是不是多了？
• 温度的影响：多子受温度影响小，而少子受温度影响大，这个很容易理解。如果半导体器件中的某个特性是与少子有关，那么它受温度的影响就很大。
• N型半导体里面的多子是自由电子，而自由电子带负电，那么N型半导体带负电吗？显然不是，因为杂质元素失去了自身的一个价电子，它变成了离子，带正电，整个半导体还是呈电中性的。正离子是被仅仅的束缚在晶格中的不能移动，所以不能导电。

P型半导体

• 原理与N型半导体类似
• 掺入少量的3价元素杂质（硼等），硼原子只有3个价电子，它与周围硅原子组成共价键时，因缺少一个电子，在晶体中便产生了一个空位，形成空穴。
  
• 空穴如何作为载流子前面也说