模拟电子技术 -- PN结

PN结的形成

当我将N型半导体与P型半导体组在一起时，由于扩散运动，粒子由浓度高的地方向浓度低的地方进行扩散。电子与空穴在交界面进行复合，电荷中和。（理想化的将空穴当做正电看待），同时电子与空穴复合完后，其杂质离子（如P）则会形成一个空间电场阻止多子的扩散运动。也称为PN结、耗尽层、阻挡层、


多子: 阻挡层相当于一个势垒，阻挡着多子向另一方的扩散。势垒阻挡着两侧多子的运动。但是实际上还是有些不稳定的多子会突破势垒向另一侧扩散。但是，假如多子都有几率能突破势垒复合，两侧的多子势必会趋于耗尽，实际上还有另外的一种反运动，少子的漂移运动。

少子： 对于少子来说，其内建电场方向会加速少子的运动。

最终多子的扩散与少子的漂移达到动态平衡。

对称结与不对称结 PN结