2020-06-02 模电 笔记

2020-06-02 模电 笔记

一 常见-模电符号-中英文全称

缩写	全称	中文
物理量符号 V	voltage	电压(单位:V伏特 volt)
物理量符号 R	resistance	电阻(单位:Ω欧姆 )
物理量符号 I	Electron flow（Current）	电流(单位:A安培 ampere)
"P"型半导体	positive hole	空穴型半导体
"N"型半导体	Negative	电子型半导体
VD	diode	二极管
Vdd	Voltage Drain Drain	正电源输入、电源电压
VT	triode	三极管
UZ		稳定电压
UD	Positive guide voltage	正向导通电压(硅管0.7V,锗管0.3V)
UREF	Reference voltage	基准电压
集电极 c	collector	集电极
发射极 e	emitter	发射极
基极 b	base	基极

二 模电基础知识点

视频资料: B站 清华 华成英 模拟电子技术基础  https://www.bilibili.com/video/BV19s411a7KL

1 PN结 (p-n junction)

1.1 PN结的形成

由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子, 形成内电场, 从而阻止扩散运动的进行. 内电场使空穴从N区向P区 , 自由电子从P区向N区运动, 又叫作漂移运动.

参与 扩散运动 和 漂移运动 的载流子数目相同, 达到动态平衡, 就形成了PN结. 

前置知识点:

• 电荷之间的相互作用是通过电场发生的。只要有电荷存在，电荷的周围就存在着电场。电场的基本性质是它对放入其中的电荷有力的作用，这种力就叫做电场力。
• 电场力方向: 正电荷沿电场线的切线方向，负电荷沿电场线的切线方向的反方向。
• 电场线由正电荷发射到负电荷, 与导体表面垂直, 与等势面垂直。
• P型半导体掺杂三价 硼(B), 本身不带电, 扩散运动后, 因为空穴被 带负电荷的电子 填补了, 所以带负电荷. 同理N型半导体带 正电荷. 所以, 电场力方向由N区向P区, 产生漂移运动, 阻碍扩散运动.
• 载流子: 运载电荷的粒子成为载流子. 在这里指 空穴和电子.

1.2 PN结的单向导电性

① P区连接直流电源正极, N区连接直流电源负极, 外电场削弱内电场, 耗尽层变窄, 扩散运动加剧, 形成扩散电流(电子的定向运动产生电流), PN结导通. (多数载流子运动)

② N区连接直流电源正极, P区连接直流电源负极, 外电场和内电场一致, 耗尽层变宽, 加剧漂移运动, 阻止扩散运动. 由于电流很小(电子的定向运动产生电流)(少数载流子运动), 故可以近似认为其截止.

前置知识点:

• 电路中的电场

导体中的电流是由电场决定，而此电场又是由分布于导体表面和内部的不均匀电荷所产生的。

理想导线中，既然电荷在运动，必定有纵向电场，根据U=Ed，该有电势差吧？没有！虽然有电场，但是最终的电场是垂直于导线表面，电势差U全部降在电阻上，因为电阻上有切向电场（因为导线和电阻连接处的电荷分布不同导致），如下图所示