芯片方案——隔离

已于 2022-11-28 13:58:08 修改
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文章标签： 接口隔离原则
于 2022-10-30 21:03:52 首次发布
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隔离方案有光隔离、磁隔离、容隔离

光隔离：光耦隔离

磁隔离：原理同变压器，目前ADI技术是比较先进的，ADI将磁隔离芯片做的越来越小，线性度也比较高。

AS712主要由靠近芯片表面的铜制的电流通路和精确的低偏置线性霍尔传感器电路等组成。

容隔离：纳芯微采用的是这种技术。模拟信号隔离也在慢慢同ADI拉近距离，最近（2021）做的项目采用纳芯微数字隔离芯片用以替代ADI数字隔离芯片，目前没有出现什么问题。国产替代是一份事业需要中国工程师共同努力！

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根据实现原理不同，隔离器件可以分为光电耦合隔离器（简称“光耦”）和数字隔离芯片两种，其中数字隔离基于 CMOS工艺为电子系统中数字和模拟信号的传递提供电阻隔离特性，根据耦合元件不同又分为磁感耦合隔离芯片（简称“磁耦”）、电容耦合隔离芯片（简称“容耦”）和巨磁阻隔离（应用很少）等类型。3）ESD防护：由于静电会对电子系统造成严重危害，可以在不经意间将电子器件击穿，而隔离器件往往处于系统的接口处或导电的关键路径，因此ESD防护（静电防护） 能力也成为衡量隔离性能的核心指标之一，该指标越大越好。
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