【笔记】NandFlash介绍

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NandFlash结构

地址访问

如何使用NandFlash芯片？

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NandFlash结构

• 页(page)

        读和写的最小单位，不同厂家的芯片，大小有不同，常见的有256、512、1024、2048字节。

• 块(block)

        擦除的最小单位，不同厂家大小也有所不同。

• 额外空间()

         这块空间是在每一页的后面多出来的存储空间，不算入总的存储空间，大小一般数十个字节，视芯片而定。

地址访问

NandFlash的地址访问大致由列地址和行地址组成，如下图。

 

存储空间的访问，由行地址和列地址组成。
行地址：块地址+页地址
列地址：一页中的那个字节

NandFlash芯片除了位宽、命令、各个厂商有所差异外，这个地址的访问也是差异的，以下是两个不同厂商的NandFlash的地址访问描述。

基本上都是4周期和5周期两种，这个主要由存储体大小决定。

5周期

4周期

如何使用NandFlash芯片？

1. 基本功能：读取、写入、擦除
2. 扩展功能：ECC数据保存校验、坏块管理

读取操作：

• 注意读取一般是按页读取，使用相应的读写命令。（这些命令各大厂商大体一致）
• 实际使用中发现，其实可以按字节为单位，读取比页更小的数量，为了访问效率，应该按页读取。

写入操作：

• 写入操作需要注意，必须保证待写入的存储区域为0xFF才能写入，这个特性基本上的Flash都是这样。所以一般的写入过程都是在擦除后进行。
• 写入也是一般按页写入，使用相应命令完成。另外写入一般叫做“编程”（Program Operations）。

擦除操作：

• 目的是把待处理的区域全部擦写成0xFF
• 操作单位为块，按块擦除。

ECC数据保存校验、坏块管理：

由于Nand的物理特性，导致它的存储单元在使用的过程中会损坏，导致每次读写的数据，可能就不是原数据了。所以在每次读取和写入的操作时，会对数据进行校验，确保写入和读取的数据正确性。

ECC(Error Checking and Correcting)

• 一般把要写入的这一页数据做一个计算，得到与这一页数据相关的一个值。把这个值写入到额外空间，等到读取时，把读取的数据再进行相同的计算，得到的值与写入时保存在额外空间的计算值进行对比，以验证数据的正确性,这个过程就叫做ECC(Error Checking and Correcting).

• 这个计算过程可以使用软件计算、或者硬件计算。

软件计算（软件ECC）：通过程序员自己设计相应的算法，通过占用CPU进行计算。

硬件计算（硬件ECC）：在主控芯片的NandFlash控制器中，设计了专用的硬件进行相应计算。在读写前通过寄存器控制开启计算，读写后到相应的寄存器中获取计算结果就行。

下面以u-boot中NXP的一款控制器，使用硬件ECC的读取程序作为示例

坏块管理（待确定）

• ​​​​​​​坏块管理，简单来说就是，在读写过程中或者专门检测中，发现该块损坏了，就对该块进行标记，类似于ECC数据一样，把标记值存入额外空间中。
• 正常操作时，前从额外空间中读取标记值，确认是否为坏块。
• PS：笔者尚未了解清楚，待定。