关于Nand Flash的笔记

PS：该博客仅仅是个人对于知识的总结，不一定完全正确，仅供大伙讨论。截图部分来源于B站up @爱上半导体

一.硬件原理

Flash是由无数个闪存块组成，每个闪存块又是由无数个浮栅晶体管组合而成。

1.先聊聊普通晶体管。

P型半导体中只有极少数自由电子。

给两端加上电压后依然不能导通。

这是由于P区的自由电子浓度太低了，不能形成导电沟道。

为了能让晶体管导通，给栅极加上电压，P区的自由电子被吸引

而控制栅的底部有绝缘层，自由电子无法通过绝缘层

只能聚集到绝缘层底部

从而形成导电沟道，晶体管就会导通

如果撤掉栅极电压，自由电子就会“溃散”，导电沟道便会消失，晶体管截止。

总得来说：

源漏两级通电情况下

1.给g高电平，导通

2.给g低电平，截止

2.接着聊聊浮珊晶体管

浮珊晶体管只是普通晶体管中间多了一层浮珊

这就是为何浮珊晶体管可以存储信息的核心原因

2.1如何写数据呢？

我们给栅极20V电压，衬底0v电压

p区的自由电子就会被吸引到浮珊层

这时候撤掉栅极电压，由于上下两层SIO2绝缘层的作用，自由电子不能“溃逃”，电子就保留到了浮珊层，记作逻辑0，数据也就存储下来了。

重点：不是刚说了，自由电子不能穿过绝缘层吗？那凭啥你能到浮珊层

原因：隧道效应，由于二氧化硅绝缘层很薄，当我们施加一个高电压（20V），自由电子便会穿过绝缘层

注意：此时不要给源极，漏极通电，不然形成沟道，不利于隧道效应

如果，我们给栅极10V电压，自由电子就不能通过SIO2绝缘层了

2.2如何擦除数据呢？

很简单，我们给衬底20v高压，栅极0v

自由电子就会从浮珊层穿越绝缘层被吸引下来，数据就会擦除

记作逻辑1

2.3如何读数据呢？

不好意思，这块我不太了解 后续会补上

2.4闪存块

存储1位信息，需要1个浮栅晶体管，存储1GB的信息，就需要85亿个浮珊晶体管

这是一个示意闪存块

最上下两层是晶体管，用于控制

中间4层是浮珊晶体管，用于存储

横着的是字线，链接晶体管的栅极；竖着的是位线

最小写入单位是页，一页就是一行。

写入数据前，需要将整块擦除，所有浮栅晶体管储存的都是逻辑1

如何给我们想要的存储单元写数据0呢？

先给对应的页20V高压

再给对应的位线0V

自由电子就会被吸引到浮珊层，该存储单元就保存了数据0

如何写逻辑1呢？

由于擦除后，本身就是逻辑1，所以我们只需要保持就可以

我们给对应的位线高电平

这时候沟道形成，晶体管通路，就会干扰轨道原理，自由电子无法被捕获到浮珊层

所以该存储单元位逻辑1

擦除需要整块一起

给所有字线0v，衬底20v高压

自由电子就会从浮珊层释放出来

所有的存储单元均为逻辑1，擦除结束

为何闪存是按页写入，按块擦除呢？

因为写入共用一条字线，擦除共用一块衬底。

真正的闪存，65536条位线，512条字线（512页）

一块闪存数据有 65536*512=3300w bit =4194304 byte=4096kb=4Mb

也就是说，写一位数据，需要擦除3300w位数据，啧啧。

如果需要1G的flash ，需要 256块闪存块

2.5 3D Nand Flash

我们的Flash封装是标准的

所以就容易出现一个问题

我们需要的内存越大，那么需要的闪存块就越多，存储单元就得越小

这样晶体管工艺就越严格

SIO2绝缘层越薄，自由电子进进出出，很容易破坏绝缘层

这样，数据就很难保存好

于是人们发明可3D Nand Flash

可以看出 ，容量还是蛮大的。。

后续补充相关内容