STM32CubeMX | 28 - STM32片内Flash的使用

最新推荐文章于 2024-07-31 00:40:18 发布
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分类专栏： STM32从裸机到云端完整开发教程 文章标签： STM32 片内Flash
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本文详细介绍了如何使用STM32CubeMX配置STM32片内Flash，包括选择芯片、配置时钟源、串口、时钟树，以及在MDK中编写、编译和下载用户代码，重点讲解了Flash的解锁/上锁、擦除和写入操作，并通过实验展示了操作过程和现象。
摘要由CSDN通过智能技术生成

本系列文章汇总：

本篇文章主要介绍如何使用STM32中的片内FLash。

1. 准备工作

硬件准备

  • 开发板
    首先需要准备一个开发板，这里我准备的是STM32L4的开发板（BearPi）：

软件准备

  • 需要安装好Keil - MDK及芯片对应的包，以便编译和下载生成的代码；

2.生成MDK工程

如果使用的是STM32F1系列，请先看这篇文章！！！（STM32CubeMX生成F1的工程中造成 下载器无法下载 问题的解决方案）

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STM32 CubeMx LL库-ADC操作
03-24
STM32 CubeMX LL库是ST Microelectronics提供的一个强大的配置工具和软件库，它使得STM32微控制器的初始化和低层驱动程序操作变得更加简单。在这个主题中，我们将深入探讨如何使用CubeMX来配置和操作ADC（模拟数字...
HAL库 FLASH程序编写注意事项
LeeSincere521的博客
08-04 3643
根据官方库例程和实验得知 1.FLASH擦写有两种方式: FLASH_TYPEERASE_PAGES按页擦除和FLASH_TYPEERASE_MASSERASE MASSERASE 2.FLASH烧写程序有三种方式 FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD 单次8个字节的方式 FLASH_TYPEPROGRAM_FAST 单次32行8个字节的方式 FLASH_TYPEPROGRAM_FAST_AND_LAST 单次32行8个字节的方式，但是是烧写地址的最后一页。 3.擦写方式和烧写方式有关
stm32使用外部flash w25Q128实现读写操作
白云苍狗
12-19 5376
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stm32 hal库 flash读写擦除（基于江科大代码）
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2301_77068070的博客
07-31 785
这段代码的意思是，将访问Address的地址，*将地址中的数据取出来，至于其中的__IO，其实这个符号是volatile的宏定义，volatile是一个C语言的关键字，这个关键字告诉编辑器这个变量是在程序运行的过程中随时会被修改的，可以防止被编译器优化，但是要是编辑器优化等级是最低的话，这个符号加与不加都可以。需要注意的是在调用F1的hal库的时候我发现F1的这个函数是支持写入double类型的参数的，与此同时F1中的写入FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE的这个参数是消失了的。
STM32基于HAL库的读写FLASH
昊月光华的博客
09-26 9076
FLASH，也就是闪存，在stm32里通常被用来放程序代码，而剩余的空间就可以被用户手动去读和写。基于STM32F103ZET6 正点原子的大容量产品，512K的FLASH,共256页，每页2K,比起以前用过的51不知道高了多少倍。以下摘抄自正点原子团队的文档STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。
STM32G030F6P6读写flash失败问题（HAL）
m0_51274562的博客
12-27 3206
最开始做项目选用的单片机是STM32F030F4P6，但是在后期使用中发现，我的FLASH（16K）不够用了，就选择了STM32G030F6P6来进行项目使用，主要是价格便宜，资源够用。在F030使用的flash拿到G030上来发现不可使用，就进行了一些修改，但是这个时候就出现了报错，在进行flash擦除的时候报错。但是手册给出是64位写，所以这里进行了报错，然后将这里改成下面函数，整个程序的读写就没有问题了，在此问题就得到了解决。返回我打印了这个error到底是多少，发现其值为0x80，发现报的错误是。
STM32G0系列的Flash标志位PGSERR和PGAERR上电置位
自由的天空
04-07 6084
此篇博客主要讲解STM32G0系列的Flash操作，没啥技术含量，老鸟直接发过就好了。 首先将Flash怎么操作，然后再讲标题中的问题及解决思路。 一、Flash操作 我建议大家先看编程手册的Flash这章，等有一个操作Flash的大概的流程概念(不需要 记住所有的操作步骤，因为有库)，再去看库操作历程(这是我个人的习惯，只是给大家 提个建议)。 1、首先来看Flash基本知识 ...
STM32CUBEMX(13)--SPI，W25Q128外部Flash移植
03-19
STM32CUBEMX(13)--SPI，W25Q128外部Flash移植 CSDN文章：https://blog.csdn.net/qq_24312945/article/details/117756829 B站教学视频：https://www.bilibili.com/video/BV1r64y1r7SP/
STM32CubeMX配置STM32F103C8T6使用IAP升级
05-08
在本教程中，我们将探讨如何使用STM32CubeMX配置STM32F103C8T6微控制器，以便实现基于IAP（In-Application Programming）的串口固件升级功能。 首先，让我们理解IAP的概念。IAP是一种在应用中编程的技术，允许程序...
STM32 Cubemx代码例程-已验证
10-22
STM32 CubeMX是STMicroelectronics提供的一个强大的代码配置和生成工具，用于初始化STM32微控制器的外设。这个“STM32 CubeMX代码例程-已验证”项目包含了多个关键功能模块的示例代码，如时钟(RCC)、通用输入/输出...
4-STM32CubeMX系列教程4---PWM
01-13
20-STM32CubeMX系列教程20-Nand Flash.pdf 21-STM32CubeMX系列教程21SDRAM.pdf 22--7inch-Capacitive-Touch-LCD-F-Schematic.pdf 22-STM32CubeMX系列教程22LCD-TFT控制器LDTC.pdf 23--GT811的中文数据手册.pdf 23-...
基于stm32cubemx的flash配置和操作
01-31
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stm32f1xx_hal固件库函数手册，包括hal库和底层函数，英文版
STM32CUBEMX | STM32L431RCT6的内部Flash操作
yongridada的博客
03-22 3789
一、STM32CUBEMX配置 1、选择芯片型号： 2、配置时钟源 1、 如果选择使用外部高速时钟（HSE），则需要在System Core中配置RCC； 2、 如果使用默认内部时钟（HSI），这一步可以略过； 3、配置时钟树 STM32L4的最高主频到80M，所以配置PLL，最后使HCLK = 80Mhz即可： 4、代码生成设置 点击GENERATE CODE即可生成MDK-V5工程： 二、在MDK中编写、编译、下载用户代码 1、STM32内部Flash及HAL库API 查看所使用芯片的信息，
CubeMX系列教程——20 STM32内部Flash
weixin_46158019的博客
06-18 826
有的时候我们会需要 在系统中保存一些参数，这个时候我们可以使用STM32内部的闪存Flash，即使断电参数也不会丢失。查看STM32的参考手册，STM32F407中介绍了flash的特性...
STM32cubeMx系列小白学习教程（九）—— Flash读写
weixin_49249873的博客
03-07 2251
Flash（快闪存储器）是一种非易失性存储器，用于存储数据和程序代码。它是一种闪存技术，可以在断电情况下保持数据的完整性，因此非常适合用于嵌入式系统和其他需要长期存储数据和程序的应用。非易失性：Flash存储器可以在断电情况下保持数据的完整性，不需要外部电源维持数据。可擦写和可编程：Flash存储器可以被擦除和编程，允许修改存储的数据和程序。高密度：Flash存储器具有高存储密度，可以存储大量的数据和程序代码。
STM32CubeMX-Flash Hal库 内部Flash掉电存储
qq_59953808的博客
05-10 3442
本文将介绍STM32F1的内部FLASH,通过内部FLASH实现数据读写操作。从而做到掉电存储。不同型号的STM32,其FLASH:容量也有所不同，最小的只有 16K字节，最大的则达到了1024K字节。此处我们使用的是 STM32F103ZET6,其FLASH容量为512K字节，属于大容量产品，大容量产品的闪存模块组织图如下图示别的博主的文章大多都是用键盘来验证是否存储完成，但是我感觉我又不是每次都要用按键存储，且存储的东西都很单一，我这篇里面会提到如何存储各种数据。
STM32CubeMX学习笔记16--- STM32内部FLASH
H2z1220的博客
03-07 1337
之前的文章中介绍过STM32F1利用SPI与外部FLASH（W25QXX芯片）通讯的例程，本例程将介绍STM32F1的内部FLASH，通过内部FLASH实现数据读写操作。不同型号的STM32，其FLASH容量也有所不同，最小的只有16K字节，最大的则达到了1024K字节。此处我们使用的是STM32F103ZET6，其FLASH容量为512K字节，属于大容量产品，大容量产品的闪存模块组织图如下图示STM32F1的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器3部分组成。
error : flash system error_STM32使用HAL库操作FLASH的注意事项
weixin_39611072的博客
12-19 1322
STM32通常有着丰富的片上Flash空间，这些空间正常情况下是存放指令代码、常量等烧录数据的。平时我们编译出来的bin或者elf文件会按顺序填充进Flash；hex格式的文件会稍许不同，通常情况下hex文件会更小一些，因为它会将无意义的填充段省略。一般我们的代码逻辑加上常量数据是远远用不到片上Flash那么大的空间的，因此我们可以划分一些区域用来作为掉电存储空间，实现EEPROM的作用。此外，如...
bank_num = (addr>>flash_bank_shift)&flash_bank_map_mask;
05-12
这段代码是将地址addr右移flash_bank_shift位后得到的结果赋值给变量bank_num。通常情况下，一个内存中的地址空间会被分成多个区域，每个区域对应一个闪存银行，用来存储程序和数据。闪存银行的大小取决于具体的硬件，但一般是2KB或者4KB。右移操作符是一个位运算符，它将二进制数向右移指定的位数。例如，如果将一个二进制数0b11001101右移3位，则得到的结果为0b11001。在这里，将地址addr右移flash_bank_shift位，可以得到地址所在的闪存银行号。因此，这段代码的作用就是根据地址计算出它所在的闪存银行号，以便在存储程序和数据时可以选择合适的闪存银行。
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