荷塘阅色

本文研究了4H-SiC CMOS逻辑电路在伽马射线辐射下的漏电性能，详细分析了辐射对4H-SiC CMOS反相器（INV）和NOR门电路的影响，并观察到在300kGy辐射剂量下输出电压摆幅的显著降低和漏电流的大幅增加。通过EMMI测试和版图分析，文章揭示了辐射引起的正电荷积累导致P-外延层反转，形成从N-阱到P-外延的电子漏电流路径。研究提出了在SiC逻辑电路中采用浮动P+环的加固建议，以抑制P-外延层反转和阻断漏电流，从而提高电路的辐射抗性。这项工作对于设计能在高辐射环境下稳定工作的电子设备具有重要意义。

霍尔效应测量是评估半导体材料电子性质的重要工具。它可以用来确定载流子浓度（n）和迁移率（µ），区分不同的输运机制，并分离不同载流子类型或陷阱状态的贡献。与基于场效应晶体管、时间分辨光学和微波测量、飞行时间、空间电荷限制电流测量等其他迁移率提取方法不同，霍尔效应测量关注热化载流子的稳态输运，并提供对 n 和 µ 的直接提取。它还可以为在其他技术难以实施的情况下评估迁移率提供途径。然而，在使用这种方法时，实验细节的严谨性和清晰度至关重要，尤其是在越来越多地用于表征新兴半导体材料中的电荷输运时。

这篇文章通过开发新的算法和计算方法，成功地应用第一性原理密度泛函理论来计算半导体中的深能级非辐射复合速率。研究结果不仅对GaN材料的理解具有重要意义，而且对半导体物理和器件设计领域也有广泛的应用前景。通过这种方法，研究人员可以更深入地了解半导体中的电荷传输过程，并为设计更高效的半导体器件提供理论支持。

作者提出了一种新的表征方法，通过使用分裂C-V方法和霍尔效应测量来扩展Dit(E)能量范围的极限。这种方法的核心思想是对SiO2/SiC界面处的自由（移动）和捕获载流子的密度进行定量表征。通过精确解决MOS结构中的泊松方程，最小化了应用栅极电压（Vg）与界面陷阱能量（Et）之间的关系误差。

嫦娥四号着陆器上的LND实验成功实现了月球表面的首批主动剂量测量和中子探测任务，为月球载人探索提供了关键数据支持。LND实验不仅获得了月球表面辐射场的剂量率和LET谱等重要信息，还展示了基于钆的热中子探测技术在空间探测任务中的应用潜力。这些数据对于理解月球表面的辐射环境、评估载人月球任务的安全性以及推动行星探测技术的发展具有重要意义。展望未来，随着深空探测任务的不断发展和技术的不断进步，LND实验的成果和经验将为未来的行星探测任务提供重要参考和借鉴。同时，基于钆的热中子探测技术也有望在更多领域得到应用。

本文展示了通过化学剥离法合成的六方氮化硼（h-BN）膜在80 kV电子束辐照下表现出比石墨烯更高的抗辐射损伤能力。研究表明，即使在长时间电子束辐照下，单层h-BN也不会形成空位缺陷或发生非晶化。实验观察到在h-BN薄膜中，锯齿形边缘结构占主导地位，且这些边缘主要由氮原子终止。此外，通过量子化学计算验证了实验观察到的辐射损伤阈值能量，揭示了h-BN相对于石墨烯在辐射稳定性方面的优势。这些发现为h-BN在高温润滑剂、绝缘体和高温复合材料等领域的应用提供了重要的科学依据。

文章通过瞬态电流法和贝叶斯解卷积方法，对SiC MOSFET中的陷阱进行了详细的表征，并分析了这些陷阱对阈值电压漂移的影响。通过系统的实验和分析，文章揭示了导致SiC MOSFET阈值电压漂移的主要陷阱类型，并提出了改善设备可靠性的建议。这项研究对于理解和提高SiC MOSFET的长期稳定性和可靠性具有重要意义。

文章《Density functional model of threshold voltage shifts at High-K/Metal gates》，是由R. Cao、Z. Zhang、Y. Guo、J. Robertson等人撰写，发表在《Solid-State Electronics》期刊上。通过密度泛函理论（Density Functional Theory, DFT）分析了在高K/金属栅极CMOS结构中用于设定阈值电压的氧化物偶极层。

**先进逻辑工艺**：介绍了集成电路制造的主流技术CMOS工艺，以及随着工艺节点进步所产生的新技术和新结构，如应变硅技术、高介电常数金属栅极(HKMG)、绝缘体上硅(SOI)工艺和鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺。- **集成电路产业的战略意义**：文章开头强调了集成电路产业对于国家战略的重要性，特别是在物联网、人工智能、大数据、量子技术等领域的应用，以及在第四次工业革命中的关键作用。- **薄膜沉积设备**：讨论了薄膜沉积设备在集成电路制造中的作用，以及原子层沉积(ALD)技术的发展和应用。

射频 (RF) 开关在现代通信和连接系统中普遍存在，例如蜂窝网络、卫星通信和雷达系统。现代系统通常使用晶体管射频开关；然而，由于对高速、可靠性和能效设备的需求不断增长，对替代材料和设备的研究，特别是基于非易失性开关物理的材料和设备的研究正在扩大。在这篇综述中，我们讨论了基于新兴二维 (2D) 材料的射频开关的最新进展。在概述基于新兴存储器技术（例如随机存取存储器、传导桥随机存取存储器和相变存储器）的射频开关之后，我们描述了二维非易失性射频开关技术，包括器件制造、高频性能、开关时间、功率处理、电磁和热研究。

文章介绍了Extreme-environment Radiation Effect Technology Computer-Aided Design – Environment (ERETCAD-Env)软件，文章的介绍和展示了ERETCAD-Env软件的功能和特点，这是一款用于动态模拟在轨卫星所处空间环境的计算机辅助设计软件。：ERETCAD-Env旨在为任何在轨航天器建立基于模型的数字孪生，动态模拟空间环境的复杂现象和卫星的运动状态。软件的主要架构包括动态模拟、高效计算和全面的数据展示。

这篇文章对β-Ga2O3 MOSFETs中的通道载流子迁移率进行了深入研究，通过实验测量和理论分析，揭示了影响迁移率的关键因素，特别是库仑散射的影响。研究结果对于理解和改进β-Ga2O3 MOSFETs的性能具有重要意义，为未来的研究和器件设计提供了有价值的指导。

本文是一篇关于氧化镓(Ga2O3)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在单粒子烧毁(single event burnout, SEB)事件中的机制研究的文章。文章通过使用技术计算机辅助设计(TCAD)模拟来探究侧向耗尽型氧化镓MOSFET设备在SEB中的敏感区域和安全操作电压，并提出了辐射损伤机制。

研究展示了机械应变与单层MoS2光响应性增加之间的直接相关性。发现拉伸应变可以提高单层MoS2光电探测器的效率。设备的高光电流和延长的响应时间表明，设备主要由光门控机制控制，这种机制随着应变的施加变得更加明显。证明了非封装的MoS2单层可以在应变基设备中使用多个周期，并在环境条件下长时间保持功能性，不会丧失功能。这种稳健性强调了MoS2在进一步功能化和不同柔性传感器应用中的潜力。

这篇文章的标题是《Characterization of Single Defects in Ultrascaled MoS2 Field-Effect Transistors》，作者是Bernhard Stampfer等人，发表在《ACS Nano》期刊上。文章主要研究了在超小尺寸的二硫化钼（MoS2）场效应晶体管（FET）中单个缺陷的特性。

β-Ga2O3是一种具有超宽带隙、高击穿场强和高Baliga's figure of merit（BFOM）的材料，因此在高性能器件中具有广泛的应用前景。然而，β-Ga2O3中的深能级缺陷态会导致载流子捕获和复合，影响器件的稳定性和可靠性。因此，识别和表征这些缺陷对于β-Ga2O3基器件的可靠应用至关重要。本文通过电子辐照和热退火处理，研究了这些影响，并利用DLTS技术对Ni/Au β-Ga2O3肖特基势垒二极管中的多数和少数载流子陷阱进行了表征。

本文是一篇关于Ga2O3垂直整流器单粒子瞬态（Single-Event Transient, SET）研究的学术论文，由Ani Khachatrian等人撰写，发表在IEEE Transactions on Nuclear Science上。文章通过使用超快激光脉冲对Ga2O3垂直整流器进行单粒子效应（SEE）的研究，探讨了器件瞬态响应随沉积电荷、偏置和缺陷存在的变化情况。研究结果对于理解和改进Ga2O3基器件在辐射环境下的性能具有重要意义。

这篇文章介绍了关于SiC MOSFETs栅介质的安全工作区（SOA）概念。文章首先定义了SOA为在应力时间—电场—温度空间内晶体管保持在数据表规格内的参数，这比传统的失效率（tfail）更有用。文章通过Weibull统计分析，得出在5ppm，20年，175°C条件下，onsemi SiC MOSFET产品的SOA大约是Vgs=21.5V。

本研究深入探讨了在SiO2和HfO2介质堆中，陷阱电荷对时间依赖介电击穿（TDDB）现象的影响。通过引入载流子注入（CI）模型，并结合多尺度模拟工具Ginestra®，研究者们提供了一个更为全面的TDDB现象解释，并准确预测了在操作条件下的介电击穿寿命。研究发现，陷阱电荷的存在显著改变了TDDB寿命预测，这一影响在低电压下尤为显著，而在高电压下则可以忽略不计。此外，研究还揭示了陷阱电荷与介质堆中缺陷前体的微观特性相结合时，对TDDB动态和漏电流的综合影响。

本研究通过原位扫描探针显微镜技术，直接评估了单层MoS2场效应晶体管中的缺陷区域。研究团队采用了Kelvin探针力显微镜(KPFM)和扫描电容显微镜(SCM)技术，以直接识别活性缺陷位点，并提高对晶界、双层岛和缺陷晶粒域对通道电导贡献的理解。

本研究报道了一种创新的直接生长技术，用于在六方氮化硼（hBN）层中生长高质量的石墨烯纳米带（GNRs），这些GNRs具有超长、超窄和同手性锯齿形边缘的特性。通过这种方法，研究者们在室温下制造了嵌入式GNR场效应器件，展现出高达4,600 cm²V⁻¹s⁻¹的载流子迁移率和高达10⁶的开关比，为高性能电子器件的底部制造开辟了新途径。

本研究探讨了二维钙钛矿氧化物Sr2Nb3O10（SNO）作为光活性高介电常数（high-κ）栅介质材料在光晶体管中的应用。通过自上而下的制备方法，SNO成功地与多种二维通道材料集成，展现出高介电常数、适中的带隙以及优异的光电性能。研究结果表明，SNO基光晶体管在可见光和紫外光照射下表现出极高的光电转换效率和快速的响应速度，实现了紫外-可见光双波段光电探测。

LDLTS方法的应用显著提高了对半导体材料中深层能级缺陷的分析能力，尤其是在处理具有相似特性的多个缺陷时。通过这种高分辨率的分析，研究人员能够更准确地提取缺陷参数，并深入理解这些缺陷对器件性能的影响。这对于优化半导体器件的设计和制造过程至关重要，有助于提高器件的性能和可靠性。在本研究中，LDLTS的应用成功地揭示了深沟槽加工诱导的陷阱态，并为改善光电二极管的性能提供了重要的理论依据。

本研究通过深能级瞬态光谱（DLTS）技术对硅光电二极管中的深沟槽（DT）侧壁诱导的陷阱态进行了详细分析。研究发现，这些陷阱态可能会导致光电二极管的性能下降，特别是在少数载流子复合方面。通过TCAD模拟，研究进一步探讨了这些陷阱态对光电二极管响应性的影响，并提出了可能的解决方案。

本研究探讨了X射线辐射对几层MoS2和MoTe2薄膜化学和电子性质变化的影响。研究发现MoTe2薄膜在X射线辐射下会发生严重的光子诱导化学变化，而MoS2的变化较小。这些变化可能导致对器件性能和操作机制的错误解释。为了最小化损伤，研究提出了两种协议：“未扫描模式”和“光栅模式”，通过高X射线功率密度和短采集时间来实现可靠的 operando-XPS 分析。

本研究由Roland B. Simon, James W. Pomeroy和Martin Kuball在2014年发表在《Applied Physics Letters》上，题为“Diamond micro-Raman thermometers for accurate gate temperature measurements”。研究团队开发了一种基于金刚石微拉曼温度计的表面敏感测温技术，用于精确测量AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的栅极温度。

本文研究了激光驱动的原子动力学的全尺度从头算模拟。研究的重点是探讨在极端条件下材料响应的基本和挑战性问题，特别是激光激发状态下的非热效应对晶格动力学、热力学路径和结构转变的影响。

本研究探讨了电偏压和质子辐照对β-Ga2O3 p-n二极管电气性能的协同影响。研究主要关注了这些影响对器件缺陷的作用，并通过实验研究了反向偏压应力和3 MeV质子辐照对β-Ga2O3 p-n二极管的退化机制。

随着硅晶体管接近物理极限，二维半导体因其独特的性质和潜力，成为超越摩尔定律电子学发展的热点。

文章讨论了在β-, α-, 和 ε-Ga2O3的不同多形体中观察到的缺陷态，这些缺陷态包括掺杂剂产生的深能级和晶体生长或辐射暴露过程中产生的本征缺陷。：文章总结了对β-Ga2O3中深能级缺陷的理解，指出了α-和ε-Ga2O3中缺陷态研究的不足，并强调了进一步研究的必要性，特别是在氧化镓三元合金中深陷阱态的行为。：论文还探讨了辐射（如质子或中子辐射）对氧化镓材料中缺陷态的影响，以及这些缺陷态如何影响器件，研究了不同类型辐射对氧化镓电子性质的影响，包括载流子移除率和扩散长度的变化。

新理论提供了一种计算带电缺陷形成能的数学公式，这些公式考虑了能带状态的密度和费米-狄拉克分布函数的变化。：新理论认为，带电缺陷的形成能不应被视为在无限晶体中的带电缺陷，而应考虑晶体在无掺杂情况下通过能带交换电子而带电的实际情况。：新理论通过严格的统计力学原理，为带电缺陷的形成能计算提供了更坚实的基础。尽管完全收敛的计算可能不总是实际的，但新理论为带电缺陷性质的计算提供了更可靠的方法。论文提出了一种新的计算带电缺陷形成能的方法，这种方法基于统计力学原理，旨在解决传统方法中由于长程库仑相互作用导致的困难。

这篇论文由Maik Scheller撰写，标题为《从太赫兹时域光谱测量中提取数据》，发表于2014年。文章主要讨论了太赫兹时域光谱（THz TDS）在科学光谱学和一般计量学中同时确定材料复杂介电参数及其几何厚度的潜力。

这篇论文研究了电离总剂量（Total-Ionizing-Dose, TID）辐射对高压p-GaN门高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistors, HEMTs）栅极损伤的影响。

SVM是一种在数据分类和回归中具有高泛化能力和鲁棒性的突出机器学习解决方案，尤其在数据集大小和复杂性不断增加的情况下，加速SVM分类性能的需求仍然存在。通过使用14-MeV中子发生器进行的故障仿真活动和辐射测试实验，结果显示，目标SVM架构中27%的中子辐射引起的错误导致了关键性故障。辐射测试结果表明，目标FPGA设计的SVM架构对大多数瞬态故障具有鲁棒性，但仍有一定比例的辐射引起的错误（超过25%）会导致关键性故障。机器学习技术，FPGA上的中子辐射效应，电路辐射效应，支撑向量机（SVM），瞬态故障。

这篇文章是一篇发表在《Journal of Applied Physics》上的论文，标题为“Molecular dynamics simulations of ultrafast radiation induced melting at metal–semiconductor interfaces”，作者为Ashwin Ravichandran, Mohit Mehta, Andrew A. Woodworth, 和 John W. Lawson。论文的主要内容是使用分子动力学模拟来研究金属-半导体界面在

这篇论文《The Radiation Effect on Low Noise Amplifier Implemented in the Space-Aerial Terrestrial Integrated 5G Networks》主要研究了电子辐射对低噪声放大器（LNA）的影响，特别是在空间-空中-地面集成的5G网络（SATIN）中的应用。研究对象包括基于砷化镓（GaAs）的赝高电子迁移率晶体管（pHEMT）和基于硅锗（SiGe）的异质结双极晶体管（HBT）的两种LNA。