高压P-GaN HEMT中电离总剂量辐射引起的栅极损伤

这篇论文研究了电离总剂量（Total-Ionizing-Dose, TID）辐射对高压p-GaN门高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistors, HEMTs）栅极损伤的影响。

1. 研究背景：

   • GaN HEMTs因其高开关频率和功率密度，在空间应用中具有潜力。
   • TID辐射是空间设备中半导体器件最常见的辐射损伤之一。
   • GaN HEMTs具有宽带隙，对缺陷形成具有较大的电离能量和阈值能量，因此具有内在的良好TID耐受性。
   • 然而，关于GaN HEMTs的TID效应的研究结果存在矛盾，一些机制尚不清楚。

2. 实验设置与结果：

   • 使用60Co γ辐射源进行TID辐射实验，剂量率为70 rad/s。
   • 实验对象为商用的650-V/7.5-A p-GaN门HEMTs。
   • 在辐射过程中，分别在开态和关态偏置下对两组器件进行测试。
   • 测量了栅电流（IG）、栅电容（CG）、阈值电压（VTH）和关态漏电流（Ioff）。

3. 辐射损伤机制：

   • 在开态偏置下࿰