模电学习——P2 PN结的形成

1.杂志半导体：在本征半导体当中掺入少量的杂质元素。（目的：提高载流子浓度）

        a.N型半导体：掺入少量的 磷元素（最外层五个电子，需要四个用来形成共价键，剩余一个就成为了自由电子，自由电子是多子，空穴为少子）

        b.P型半导体：掺入少量的 硼元素（最外层3个电子，需要四个用来形成共价键，剩余了一个空穴，空穴为多子，自由电子为少子）

注：1.半导体器件的特性假如和少子相关，则受温度影响较大（温度对本征激发有影响，加上少子基数较小，数量改变影响较大）多子基数较大，所以即便温度变化，本征激发加剧，也不过是影响个零头可以忽略不计。

        2.掺杂提供多子的原子称为施主原子。

        3.本征激发：由于热激发获得了足够的能量而摆脱了共价键的束缚，成为了自由电子，同时共价键当中留下了一个空位置（空穴）。

2.PN结：将P型半导体与N型半导体放在一起形成PN结

由于扩散运动接近的自由电子和空穴进行复合，复合以后，出现了空间电荷区（耗尽层），阻挡扩散运动的进行。

3.PN结的单向导电性：

 P区接正极，N区接负极

 死区电压：二极管外部施加正向电压，通过外电场削弱内电场，当超过阈值后电流随着电压迅速增大，这段外加电压（没有超过阈值）的值就是死区电压。施加反向电压会增加势垒。限流电阻保护二极管。

P区接负极，N区接正极（外电场与内电场一致）

会出现漂移电流（受少子的漂移运动影响（温度影响））

4.PN结的电流方程：

（反向保和电流）

 

 Ut和温度有关，常温下约为26mv，锗管和硅管的导通电流分别为0.2-0.3v 0.6-0.7v所以图像就是指数关系。