模电学习——PN与二极管的特性

1.二极管反向击穿：（外电场与内电场方向一致时（为反向））

 

a.雪崩击穿（掺杂浓度低，中间耗尽层长，PN结宽）//温度越高，击穿电压越高（热运动加剧震动幅度，阻碍了高速电子的形成）

自由电子进入内建电场当中加速，因为加速长度够，当有达到足够的速度后撞碎共价键，引发雪崩式的反应，最终击毁PN结。

b.齐纳击穿（掺杂浓度高，中间耗尽层短，PN结窄）//温度越高，击穿电压越低（温度越高，价电子本身所具有的能量越高，越容易被拽出）

因为耗尽层窄，电压一定的情况下，场强非常大，（U=E*d）直接把价电子从共价键当中拽出，击毁PN结。

注：PN结可以工作在反向击穿状态下，只要没有热击穿（二次击穿）就是可逆的。

反向击穿状态：电压小变化会引起电流大变化，反言之当中流过的电流变化很大，但是两端的电压几乎不变，可以作为稳压二极管使用。

2.通过不同的掺杂浓度和温度，利用了雪崩击穿和齐纳击穿的特性可以控制不同的稳压值。

3.电容：在相同的电压变化范围内，电容值不一样则代表了电荷的存储能力不一样。（电容特性——电压值变化，内部存储的电荷量变化）