关于PLC手册中的源型和漏型

什么是NPN、PNP传感器?模块为什么分源型、漏型?相信大家都被这个问题困扰过。对于初学者来说也是必须要弄明白的自控基础知识。

 

1.描述

 

对于PLC开关量输入模块要么连接的是“无源”干接点信号,如继电器触点、位置开关;要么连接的就是"有源"开关器件信号,如接近开关、编码器。

对于“无源”干接点信号,公共端0V和24V的开关量输入模块都可以连接,其对于电流没有流入、流出之分,所以不存在选型问题。

而“有源”开关器件信号就不一定了,那传感器和模块如何匹配?下面以接近开关为例解答。

 

2.三极管

 

接近开关,其基本原理是通过一主回路控制双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT,俗称三极管)的截止与饱和来输出OFF、ON信号。

 

 

这里先复习下三极管的基本工作原理:

三极管可分为NPNPNP两种类型,在双极性晶体管电学符号中,箭头指向为正向放大时电流的方向(电子迁移的反方向)。

NPN型晶体管的箭头从基极B指发射极E,PNP型晶体管的箭头从发射极E指向基极B。

 

NPN

 

PNP

 

下图中左边的蓝色区域为发射极E,中间绿色区域为基极B,右边蓝色区域为集电极C。灰色的箭头为电子的流动方向示意,发射极注入的大部分电子移动到了集电极,少部分在基极与空穴复合。白色箭头为基极的多数载流子空穴的流动方向示意。

 

 

NPN型双极性晶体管处于截至区的条件是:Vbe<导通电压。

NPN型双极性晶体管处于正向放大区的条件是:在发射结上具有正向偏置(Vb>Ve),而集电结具有反向偏置(Vb<Vc)。

NPN型双极性晶体管处于饱和区的条件是:在发射结上具有正向偏置(Vb>Ve),集电结正向偏置(Vb>Vc),且Vce<Vbe。

 

下图为双极性晶体管的输出特性曲线

 

蓝色虚线左边的区域为饱和区(Saturation),Ic=Ics≈Vcc/Rc。

由蓝色虚线、红色虚线和棕色虚线包围的区域为放大区(Active),Ic≈βIb,在这个区域里,发射极电流与基极电流成近似线性关系。

红色虚线下方表示晶体管尚未导通,处于截止区(Cut-off),Ic≈0。

棕色虚线为晶体管的最大集电极耗散功率,它与两条坐标轴包围的区域为安全工作区,与横轴的交点为最大集电极-基极电压。

IB0为开启晶体管的最小基极电流(Vbe须超过其导通电压,约为0.5V)。

 

可以根据晶体管三个极的的偏置状态(注意:PNP型晶体管和NPN型晶体管的电压描述恰好相反),定义双极性晶体管几个不同的工作区。按发射结(基极-发射极结)、集电结(基极-集电极结)的偏置情况,工作区可以分为:

 

 

3.接近开关

 

NPN集电极开路输出型

 

下图为欧姆龙E2B型接近开关NPN集电极开路输出型号的接线原理图:

 

 

E2B型接近开关手册下载

链接:https://pan.baidu.com/s/1OP9oPBjUudbHI0NuETRqvQ

提取码:6y89

 

当物体靠近接近开关,主回路控制三极管饱和导通。从上面描述的三极管工作原理可知,此时集电极饱和电流Ics≈Vcc/Rc,从集电极C流向发射极E。从整个回路看:电流从负载端流出进入接近开关④引脚(黑线),从接近开关③引脚流出(蓝线)。且Vce=Vcc-Ics×Rc=Vces≈0.2~0.3V,Vces很小,集电极回路中的C、E极之间近似于短路,相当于开关闭合,VC≈VE≈0V集电极输出一低电平。

Vcc需由接近开关连接的负载提供,所以NPN集电极开路输出接近开关只能连接公共端为24V开关量输入模块。

 

 

PNP集电极开路输出型

 

下图为欧姆龙E2B型接近开关PNP集电极开路输出型号的接线原理图:

 

 

当物体靠近接近开关,主回路控制三极管饱和导通。从上面描述的三极管工作原理可知,此时集电极饱和电流Ics=Vcc/Rc,从发射极E流向集电极C。从整个回路看:电流从接近开关①引脚(褐线)流入,从接近开关④引脚流出(黑线),流入负载。集电极回路中的C、E极之间近似于短路,相当于开关闭合,VC≈VE≈24V集电极输出一高电平。

所以PNP集电极开路输出接近开关只能连接公共端为0V开关量输入模块。

 

 

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