多体并行：高位/低位交叉编址

（1）图是适合于并行工作的高位交叉编址的多体存储器结构示意图，图中程序因按体内地址顺序存放（一个体存满后，再存入下一个体），故又有顺序存储之称。高位地址可表示体号，低位地址为体内地址。按这种编址方式，只要合理调动，使不同的请求源同时访问不同的体，便可实现并行工作。例如，当一个体正与CPU交换信息时，另一个体可同时与外部设备进行直接存储器访问，实现两个体并行工作。这种编址方式由于一个体内的地址是连续的，有利于存储器的扩充。

（2）图是低位交叉编址的多体模块结构示意图。由于程序连续存放在相邻体中，故又有交叉存储之称。低位地址用来表示体号，高位地址为体内地址。这种编址方式又称为模M编址（M等于模块数），一般模块数取2的方幂，使硬件电路比较简单。有的机器为了减少存储器冲突，采取质数个模块。

以实际数据为例，这样比较容易理解，比如说某个存储体的有2个存储芯片，每个芯片的存储周期为100ns,如果你去读数据，如果你的数据按照这种放置方法，先放第一个芯片，放满后再放第2个芯片（顺序方式）。那么你读数据的过程就是这样：

读0位置数据，等100ns，读1位置数据，等100ns读2位置数据。很容易理解。

但如果你换个方式来放，比如说我0位置是1号芯片起始，1位置是2号芯片起始位置，2位置是1号芯片第2个单元，3位置是2号芯片的第2个单元这样交叉来编址。再回忆存储周期的概念：其实从芯片中把数据读到缓冲区，再从缓冲区读到CPU，这个读的过程非常短，仅仅是个脉冲就可以解决的问题，但由于芯片的物理属性，你读一个芯片后，必须间隔一段时间才能去读。采