电机控制器功率模块选型需要考虑哪些因素

电机控制器功率模块（IGBT/SiC MOSFET等）的选型标准需要综合考虑电机控制系统的性能、可靠性、成本及生产制造要求。以下是关键的选型标准：
1. 电气性能
• 额定电压（Vdss或Vces）：根据母线电压选择，一般需要预留一定裕量。例如，400V系统通常选择650V~750V IGBT/SiC MOSFET，800V系统通常选择1200V器件。
• 额定电流（Ic或Id）：需匹配电机的峰值和持续电流，并考虑散热能力。
• 开关频率（fsw）：影响电机控制器的效率与EMI特性，SiC器件可支持更高的开关频率。
• 导通压降（Vce(sat) / Rds(on)）：直接影响系统效率，SiC MOSFET相较IGBT具有更低的导通损耗。
2. 热管理与散热
• 功率损耗（Pdiss）：考虑导通损耗、开关损耗、反向恢复损耗等。
• 热阻（Rthjc, Rthch, Rthja）：影响模块散热效率，需结合散热设计（液冷/风冷）评估。
• 最高结温（Tjmax）：常见IGBT为175°C，SiC MOSFET可达200°C甚至更高。
3. 可靠性与寿命
• 短路耐受时间（SCWT）：IGBT一般需满足10μs以上短路能力，SiC MOSFET短路能力较弱，需额外保护。
• 耐环境性能：考虑湿度、振动、盐雾等恶劣工况的适应性。
• 封装形式：选择适合的封装，如模块封装（IGBT模块、SiC MOSFET模块）或分立封装（TO-247、TO-263等）。
• 温度循环寿命：封装焊接材料（如DBC、AlN陶瓷）需满足长期使用需求。
4. 驱动与控制兼容性
• 栅极驱动电压（Vgs / Vge）：IGBT一般+15V/-8V，SiC MOSFET通常+15V/-4V或0V，需匹配驱动电路。
• 关断速度：影响EMI及过电压，需要匹配合适的驱动电阻。
• 集成保护功能：如温度监测、短路保护、过流保护等。
5. 经济性
• 成本：IGBT相对较低，SiC MOSFET价格较高但可降低系统损耗，提高效率，需综合评估。
• 供应链稳定性：选择可靠供应商，如英飞凌（Infineon）、三菱（Mitsubishi）、斯达半导（StarPower）、科锐（Wolfspeed）、新洁能（Nexperia）等。