盘点：PMOS管作为电源切换的主管其漏源DS方向弄反的授权专利案例(原创)

盘点：PMOS管作为电源切换的主管其漏源DS方向弄反的授权专利案例(原创)

由前述知道，单个带体二极管的PMOS管作为主管用于电源管理时，一般情况只能用于负载开关导通或者防倒灌功能，导通或者防倒灌不可兼得、只能二选一，但是对于一些特殊情况还是可以实现负载开关和防倒灌两个功能，当然需要满足一些条件，但是还是有不是工程师弄反漏源DS方向，下面我们盘点下PMOS管作为电源切换的主管其漏源DS方向弄反的授权专利案例。

（1）第一个专利

 

（2）第二个专利

 

（3）第三个专利

 

上述3个专利漏源DS方向搞反了，仿真都有问题，其实还有很多专利也弄反了，不一一列出，我们以第三个专利为例进行仿真，具体如下：图1的电路使用multisim软件仿真如下，其中VCC4=5V，VCC3=3.3V，VCC4输出I1=1.94A，VCC3输出I2=-1.9A，流经负载R3的电流为I=41.4mA，即I1+I2=I，倒灌电流I2=-1.9A流入至VCC3中：

 

图1的电路，对V2管更正，改为S极输出，使用multisim软件仿真如下，其中VCC4=5V，VCC3=3.3V，VCC4输出I1=43.0mA，VCC3输出I2=-17.4nA，流经负载R3的电流为I=43.0mA，即I1+I2=I，倒灌电流I2=-17.4nA流入至VCC3中，可以忽略不计。

 电源切换倒灌电流得到完美解决。

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