单片机基础知识点 03

1. 由电阻标号认知阻值

  • 例如,103表示其阻值大小为10x103 Ω,即10kΩ,若是102其阻值大小为10x102 Ω,即1kΩ,150为15x100 Ω,即15Ω,其他读法都相同。

  • 1002表示100x102 Ω,即10kΩ,1001表示100x101 Ω,即1kΩ。

  • 标号位数不同,表示电阻的精度不同。一般地,3位数表示5%精度,4位数表示1%精度。

  • 还有的标号为3R0,表示阻值为3Ω,4K7表示阻值为4.7kΩ,R002表示阻值为0.002Ω。

2. 发光二极管

发光二极管正极又称为阳极,负极又称为阴极。直插式发光二极管长脚为阳极,短脚为阴极。贴片式发光二极管正面的一端有彩色标记,通常有标记的一端为阴极

3. 锁存器

以74HC573为例,下图为74HC573的引脚分布图
在这里插入图片描述
O E ‾ \overline { OE } OE 的专业术语为三态允许控制端(低电平有效),通常叫做输出使能端。1D~8D为数据输入端,1Q ~8Q为数据输出端,LE为锁存允许端,或者锁存控制端。

下图为74HC573的真值表
在这里插入图片描述
其中,H-高电平,L-低电平,X-任意电平,Z-高阻态(既不是高电平也不是低电平,它的电平状态由与它相连接的其他电气状态决定)

由真值表可以看出,当输出使能 O E ‾ \overline { OE } OE 为高电平时,无论LE与D端为何种电平状态,其输出都为高阻态,此时芯片处于不可控状态。而我们将74HC573接入电路是必须要控制它的,因此在设计电路时必须将 O E ‾ \overline { OE } OE接低电平。

O E ‾ \overline { OE } OE为低电平时,我们再看LE。当LE为H时,D与Q同时为H或者L;而当LE为L时,无论D为何种电平状态,Q都保持上一次的数据状态。 也就是说,当LE为高电平时,Q端数据状态紧随D端数据状态变化;而当LE为低电平时,Q端数据将保持住LE端变化为低电平之前Q端的数据状态。

因此我们将锁存器的LE端与单片机的某一引脚相连再将锁存器的数据输入端与单片机的某组I/O口相连,便可通过控制锁存器的锁存端与锁存器的数据输入端的数据状态来改变锁存器的数据输出端的数据状态。

需要注意的是,51单片机在一上电时,如果没有人为的控制I/O口的状态,它所有未控制的I/O口都将默认为高电平

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使用 JavaScript 编写的记忆游戏(附源代码)   项目:JavaScript 记忆游戏(附源代码) 记忆检查游戏是一个使用 HTML5、CSS 和 JavaScript 开发的简单项目。这个游戏是关于测试你的短期 记忆技能。玩这个游戏 时,一系列图像会出现在一个盒子形状的区域中 。玩家必须找到两个相同的图像并单击它们以使它们消失。 如何运行游戏? 记忆游戏项目仅包含 HTML、CSS 和 JavaScript。谈到此游戏的功能,用户必须单击两个相同的图像才能使它们消失。 点击卡片或按下键盘键,通过 2 乘 2 旋转来重建鸟儿对,并发现隐藏在下面的图像! 如果翻开的牌面相同(一对),您就赢了,并且该对牌将从游戏中消失! 否则,卡片会自动翻面朝下,您需要重新尝试! 该游戏包含大量的 javascript 以确保游戏正常运行。 如何运行该项目? 要运行此游戏,您不需要任何类型的本地服务器,但需要浏览器。我们建议您使用现代浏览器,如 Google Chrome 和 Mozilla Firefox, 以获得更好、更优化的游戏体验。要玩游戏,首先,通过单击 memorygame-index.html 文件在浏览器中打开游戏。 演示: 该项目为国外大神项目,可以作为毕业设计的项目,也可以作为大作业项目,不用担心代码重复,设计重复等,如果需要对项目进行修改,需要具备一定基础知识。 注意:如果装有360等杀毒软件,可能会出现误报的情况,源码本身并无病毒,使用源码时可以关闭360,或者添加信任。

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