硬件基础知识总结（一）

1. USB信号线的差分阻抗？

       90Ω（±10%）

2. 天线因子K确切的含义？

若天线场强为E，感应到接受设备的端电压为Ur，两者之比即为该天线的天线因子，K=E/Ur，E=K*Ur，所以天线因子反应了一个天线把空中电场转变为接收端电压的能力。

3. USB3.0中传输速率是？

USB3.0的传输速率是5.0Gbps，采用10b编码方式（加一对纠错码），理论上500MB/s，。它采用双向数据传输模式，简化数据流动方向，缩短传输时间，并新增更多并行模式的物理总线。不仅传输速率快，而且可以兼容USB2.0和USB1.1设备。

USB2.0的传输速度是480Mbps，理论上60MB/s

4. MOS管的主要参数中，哪种具有正温度系数？（Rds(on)、Vgs(th)、Qg、Vgs（GS间耐压值）

在MOS管的主要参数中，具有正温度系数的参数是Rds(on)和Idss。

Rds(on)是导通电阻，为正温度系数它随着结温的升高而略有增大。

Vgs(th)：阈值电压，为负温度系数

Idss是零栅压漏极电流（栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄露电流），为正温度系数。

Qg：总栅极电荷，单位库伦（C）, 是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。有时也称为栅极总电荷。总栅极电荷值较大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。

5. 电容作为滤波元件或去耦、旁路元件时，必须考虑三个基本参数，不属于考虑的参数？（ESR、ESL、容值、介电常数）

1. 容量（Capacitance）：这是电容最基本的参数，它表示电容能够存储电荷的能力。容值的大小取决于电容的尺寸、介电材料和极板面积。

2. 介电常数（Dielectric Constant）：介电常数是衡量电介质在电场作用下电容与真空电容之比的物理量。它反映了电介质存储电荷的能力，影响着电容的容量和电压承受能力。

3. 等效串联电阻（Equivalent Series Resistance，ESR）：ESR是电容等效串联电阻的阻值，反映了电容充放电过程中所受阻抗的大小。ESR会影响电容的频率响应和信号质量，因此在滤波和去耦应用中需要考虑。

然而，ESL（Equivalent Series Inductance，等效串联电感）不是电容作为滤波元件或去耦、旁路元件时需要考虑的参数。ESL是电容等效串联电感的阻抗，主要影响高频下的性能。在低频应用中，电容的ESL可以忽略不计。

6. 开关型钳位器件？

开关型过电压保护元器件：陶瓷气体放电管GDT、玻璃放电管SPG、半导体放电管TSS。

钳位型过电压保护元器件：瞬态电压抑制TVS二极管、压敏电阻MOV、ESD静电保护二极管。

1. 陶瓷气体放电管GDT：其内部是由一个或一个以上放电间隙内充有惰性气体构成的密闭器件，凭借通流量大、结电容低、绝缘阻抗大等优势广泛应用于高速通信线路防雷保护中；其缺点是陶瓷气体放电管是所有过电压保护器件响应速度最慢的。
2. 玻璃放电管SPG：是由封装在充满惰性气体的玻璃管中相隔一定距离的两个电极组成。其电气性能基本上取决于气体种类、气体压力以及电极距离，中间所充的气体主要是氖或氩，并保持一定压力，电极表面涂以发射剂以减少电子发射能。其优点是绝缘电阻高、极间电容小、放电电流较大、双向对称性、反应速度快、性能稳定可靠、导通后电压较低，此外还有直流击穿电压高、体积小、寿命长等优点；其缺点是直流击穿电压分散性较大。
3. 半导体放电管TSS：也叫浪涌抑制晶闸管，，是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。低结电容、响应速度迅速、击穿电压精度高、性价比，是低速通信线路浪涌防护的理想选择之一。
4. 瞬态电压抑制TVS二极管：是一种新型高效能的过电压保护器件，PS级响应速度、大瞬态功率、低漏电流和电容、箝位电压易控制、击穿电压偏差小、可靠性高、体积小、安装方便等优势，应用于敏感电子产品的过压保护中。
5. 压敏电阻MOV：是以氧化锌为主体，掺杂多种金属氧化物，采用典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷元器件。其通流量仅次于陶瓷气体放电管，响应速度为纳秒级，广泛应用于交流电源线，低频信号线的防雷保护。
6. ESD静电保护二极管：由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信端口的静电保护。nS级响应速度、低结电容，是高速数据线路中理想的ESD静电防护器件。

7. 示波器的死区时间

示波器都有“死区时间”，它是指示波器两次采集（即示波器处理上一个捕获波形，并将其显示在示波器显示屏上）的间隔时间。

在死区时间内，示波器基本上会“无视”调试的设计中出现的任何信号活动。这是由于示波器前端数据采集系统ADC的输出数据吞吐量比后端数字信号处理系统的处理能力大很多，导致后端无法实时处理前端输出的数据，从而形成“死区”时间。

此外，死区时间的长短与示波器的设计有关，不同的示波器可能有不同的死区时间。例如，SIGLENT（鼎阳科技）最新的数字示波器SDS2000系列的ADC采样率为2GSa/S，即每秒输出2G个数据，但后续数字信号处理器每秒处理、显示波形的能力只能达到几百兆点每秒，也就是说处理器1秒只能够处理采集到的几百兆个点，剩下的数据都被丢弃，被丢弃的这些数据采集时间无法显示时间就是死区时间。

8. SSD固态硬盘接口有哪些？

常见的SSD接口有：SATA，mSATA，M.2，SATA Express， PCI-E以及U.2。

1. SATA接口：是最常见的HDD/SSD硬盘接口，速度更快，目前广泛应用。从1代发展至今的SATA3代，已经被用了很多年，是一项比较成熟的技术。

2. mSATA接口：即mini-SATA，是SATA协会开发的新的mini-SATA(mSATA)接口控制器的产品规范，很多笔记本电脑上都有预留mSATA接口。

3. M.2接口：又分两种，一种是普通的走SATA通道的；另一种是走PCI-E通道的，也就是使用nvme协议的。

4. PCI-E接口：主要是用在台式机上，价格一般比较贵。

5. U.2（SFF-8639）: 由固态硬盘形态工作组织（SSD Form Factor Work Group）推出的接口规范。U.2不但能支持SATA-Express规范，还能兼容SAS、SATA等规范，接口带宽达到了32Gbps。

9. 反激电路

反激电路属于隔离的直流-直流变流电路，其同直流斩波电路相比增加了交流环节，因此也被称为直-交-直电路。具体电路结构为：

1）直流电经逆变电路变成交流电；

2）产生的交流电经过变压器进行隔离（此环节可实现多路输出）；

3）二次侧的交流电经过整流电路成为脉动的直流电；

4）脉动的直流电经过滤波器变成平滑的直流电。在这种电路中，变压器除了实现电隔离和电压匹配外，还有储存能量的作用。

1. 在电路的能量转换过程中，当MOSFET开通后，反激电路中的变压器会起着一个储能元件的作用。它通过储存电感中的磁场能量，为下一步的能量释放做准备。

2. 变压器通过储存磁场能量，可以使得磁场能量在MOSFET关断时，通过另一侧的绕组进行释放。这样，反激电路就能在不断变化的磁场中，实现能量的连续传输。

开关管开通，电感存储能量，开关管关断电感释放能量，存储和释放不同步。

10. 单片机应用程序一般放在（RAM、ROM、寄存器、CPU）?

       RAM（运行内存）：随机存取存储器（掉电丢失数据）；

ROM：只读存储器（掉电数据不丢失）；

Flash（掉电数据不丢失）

单片机应用程序一般存放在ROM或Flash中。这些存储器通常用于存储程序代码和应用程序，以便单片机在运行时能够读取和执行这些代码。根据单片机的不同型号和用途，应用程序可能被存储在不同类型的ROM或Flash存储器中，但通常情况下，这些存储器都是可编程的，并且可以反复擦写和编程，以便更新和修改应用程序。

11. 反激电路尖峰可用什么电路吸收？

1. 阻尼二极管。该电路可防止调整管反向导通而损坏，要求其耐压值为调整管DS（漏源极）间截止电压的2倍，同时恢复时间应尽可能小。

2. RC阻尼网络。该电路能抑制调整管漏源极之间出现的浪涌冲击电压，也常用在输出整流管上的尖峰吸收。

3. 充放电型RCD吸收网络。这种电路适用于带有较窄反向偏置安全工作区的器件的浪涌电压抑制。

12. MII接口

MII的TXCLK是由PHY侧发送MAC侧。

13. 通过对整个辐射球面的发射功率进行面积分，求平均值得到，反射整机的发射功率情况是表述一下哪个参数（TRP，S11，TIS，VSWR）?

TRP

通过对整个辐射球面的发射功率进行面积分，求平均值得到的是TRP（Total Radiated Power，总辐射功率）。

TRP是指在一个给定的空间范围内，天线或设备向周围空间发射的总功率，可以反映设备在无线通信中的信号发射能力。

S11是反射系数，表示的是入射波与反射波的比值，可以用来衡量设备与传输线之间的匹配程度。

TIS是输入阻抗，表示的是传输线或者天线在输入端的阻抗，与反射系数有直接的关系。

VSWR是电压驻波比，表示的是行波和反射波的振幅比值的绝对值，可以用来评估设备的阻抗匹配情况，也是反映传输线性能的重要参数之一。

14. GNSS系统定位地面坐标至少需要几颗卫星?

       4颗

15. IEEE.802.11n非重叠可用信道数?

      

IEEE802.11常见技术标准

2.4GHz频段

        中心频率范围2.4GHz ~ 2.4835GHz

        共划分 14 个信道，中国可用 13 个信道（1-13），美国可用 11 个信道（1-11）

        信道有效带宽 20MHz，实际带宽 22MHz，其中 2MHz 为隔离频带

       相邻信道中心频点间隔 5MHz，相邻的多个信道存在频率重叠，相互不干扰的信道有三组（1、6、11 或 2、7、12 或 3、8、13）

5GHz频段

       中心频率范围4.915GHz ~ 5.865GMz

       共划分约两百多个信道

IEEE 802.11n在5GHz频段下非重叠信道数是12个。

16. 双边带调幅调制指数为1时，边带功率为载波功率的（）倍？（1/4、1/2、1、2）

       1倍

双边带调幅（DSB）调制是指将信息信号调制到载波的两个边带上，调制指数为1时，两个边带的幅度相等，且与载波幅度相等。在这种情况下，边带功率与载波功率的比值是1:1。

当调制指数为m时，边带功率与载波功率的关系可以表示为：

边带功率 = m² × 载波功率

双边带调幅调制指数为0.8时，边带功率为载波功率的（0.64）倍

17. 时钟信号的高次谐波的丰富程度取决于？（信号频率、信号占空比、信号幅值、信号上上升沿）

时钟信号的高次谐波的丰富程度主要取决于信号的频率。

时钟信号通常是一个周期性的波形，其频率决定了信号中包含的谐波的次数。频率越高，信号中包含的谐波次数也越高，因此高次谐波的丰富程度与信号的频率成正比。

其他因素如信号占空比和信号幅值可能会对时钟信号的谐波丰富程度产生一定影响，但它们并不是决定性的因素。信号的上上升沿速度（即信号的边缘陡峭程度）可能会影响信号中的高频成分，但这也并不是决定高次谐波丰富程度的根本因素。

18. 下面哪种材料磁场屏蔽性能最好（铜箔、铝箔、不锈钢、塑料片）

不锈钢。磁场屏蔽主要依赖于材料的导磁性能，不锈钢是一种高磁导率的金属材料，因此它对磁场的屏蔽效果最好。铜箔和铝箔虽然也是金属材料，但它们的磁导率较低，屏蔽效果不如不锈钢。而塑料片是非磁性材料，对磁场几乎没有屏蔽效果。

19. 一个X50的无源高压探头，如果示波器内阻是1MΩ，那么这个探头的输入电阻应该是多少？（1 MΩ、20kΩ、49 MΩ、9 MΩ）

首先，X50是一个阻抗匹配的指标，它表示探头的输入阻抗与传输线的阻抗相匹配，即输入电阻等于传输线电阻的1/50。

根据X50的阻抗匹配指标，可得到探头的输入电阻为：49MΩ。

20. 电源总效率（转换效率） = Pout/Pin*100%

       电源效率（负载效率）= 有用功率/无用功率