关于以下问题的不完全解答：
1、对于NPN型管，高电平驱动。基极电阻与单片机IO内部上拉电阻为串联，增加基极电阻也就增加了该电阻的分压。当电阻较小时分压不够，可能使IO口电位低于达到高电平的最小电压，从而被外部拉低。
2、对于PNP型管，低电平驱动。若如下面方式连接，则三极管实际只能工作在放大区和截止区，而开关电路通常需要的是饱和区（基极电流对集电极电流影响很小）和截止区，而为了这样，设计时通常将负载放在集电极。
文章探讨了NPN型和PNP型三极管在单片机IO口驱动下的工作原理，指出基极电阻大小对驱动能力的影响。针对NPN型，基极电阻过大可能导致IO口电位不足；对于PNP型，电路设计通常要求三极管工作在饱和区以驱动负载，但实际中可能仅工作在放大区和截止区。作者通过实验发现限流电阻小的时候无法有效驱动负载，问题尚待进一步解决。
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