单片机IO口控制12V电压通断,MOS和三极管电路

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POWER_EN为高电平时,Q2导通,使得Q1sg两端有压差,达到Q1的导通电压,此时Vin输出到Vout,这个Vin可以是12V

POWER_EN为低电平时,Q2截止,使得Q1sg两端没有压差,Q1截止,此时Vout没有电压。

这样就达到了控制12V通断的要求,当然这个Q1的选型需要参考这个12V的供电电流来选型,如果电流大,需要选择Is大的MOS管。

另外,也可以选择用继电器来控制12V的电压通断。

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测量MOS管和三极管的好坏,需要使用测试仪器并按照以下步骤进行测量: 1. 静态参数测试: a. 测量漏电流:将万用表的电流档位调整到最小,将负极接到器件的漏极(MOS管)或发射极(三极管),将正极接到器件的源极(MOS管)或集电极(三极管),读取电流表示值。通常,漏电流值小于1μA表示MOS管或三极管工作正常。 b. 测量截止电压:将万用表的电压档位调整到最小,将负极接到器件的栅极(MOS管)或基极(三极管),将正极接到器件的源极(MOS管)或发射极(三极管),读取电压表示值。通常,MOS管的截止电压应低于标称值,三极管的截止电压应高于标称值。 c. 测量饱和电压:将万用表的电压档位调整到最小,将负极接到器件的源极(MOS管)或集电极(三极管),将正极接到器件的漏极(MOS管)或发射极(三极管),读取电压表示值。通常,MOS管的饱和电压应高于标称值,三极管的饱和电压应低于标称值。 2. 动态参数测试: a. 测量开关速度:将测试仪器的输入信号接到器件的栅极(MOS管)或基极(三极管),同时将测试仪器的输出信号接到器件的源极(MOS管)或集电极(三极管),观察信号波形的上升时间和下降时间。通常,开关速度越快,器件的性能越好。 b. 测量输出电流:将测试仪器的输入信号接到器件的栅极(MOS管)或基极(三极管),同时将测试仪器的输出信号接到器件的源极(MOS管)或集电极(三极管),读取电流表示值。通常,输出电流值越大,器件的性能越好。 3. 替换测试: 将一个已知工作良好的器件替换到测试电路中,观察替换后电路的工作情况。如果替换后电路工作正常,说明被测试的器件可能存在问题。 需要注意的是,不同类型的器件具有不同的测试方法和参数,需要根据具体情况选择合适的测试方法进行测量。同时,在进行测量时也需要注意安全,避免对自己或设备造成损害。
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