嵌入式应会的模电数电基础

prppr_

已于 2025-03-26 18:18:01 修改

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文章标签：嵌入式硬件模拟电路

于 2024-04-10 18:34:35 首次发布

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版权

示波器使用

1.校正信号，输出1K频率方波

2.查看探头比衰减倍数，小信号可以不衰减，大信号建议衰减

nanoDLA逻辑分析仪

需安装对应程序和对应驱动

WeAct-LogicAnalyzer V1 逻辑分析仪 | 微行电子工作室

对应波特率，串口和采样通道，

常用电路

电源电路 24-5-3

光耦控制

485电路

电池采样电路

通过霍尔实现低功耗

mos管快速开关断电路

推挽输出上拉输入高阻输入

GPIO多样状态

高阻输入是一种电路状态，指的是电路的输入阻抗非常高，接近无穷大的状态。在这种状态下，电路几乎不消耗前级信号源的电流，从而对信号源的影响极小。以下是对高阻输入的具体介绍：

基本概念

定义：高阻输入通常出现在数字电路中，指的是电路的一种输出状态，既不是高电平也不是低电平。如果高阻态再输入下一级电路，对下级电路无任何影响，和没接一样。
实质：在电路分析时，高阻态可以看作开路，即输出（输入）电阻非常大，理论上高阻态不是悬空，它是对地或对电源电阻极大的状态。实际应用上与引脚的悬空几乎是一样的。
表示方法：高阻态常用字母Z表示。

主要特点

隔离性：高阻输入相当于隔离状态，电阻很大，相当于开路。
无影响：处于高阻态的三态门是与总线隔离开的，这样总线可以同时被其他电路占用。
灵活性：当门电路的输出上拉管导通而下拉管截止时，输出为高电平；反之就是低电平；如上拉管和下拉管都截止时，输出端就相当于浮空（没有电流流动），其电平随外部电平高低而定。

典型应用

总线连接：在总线连接的结构上，总线上挂有多个设备，设备于总线以高阻的形式连接。这样在设备不占用总线时自动释放总线，以方便其他设备获得总线的使用权。
单片机I/O使用：大部分单片机I/O使用时都可以设置为高阻输入，如凌阳，AVR等等。高阻输入可以认为输入电阻是无穷大的，认为I/O对前级影响极小，而且不产生电流（不衰减），而且在一定程度上也增加了芯片的抗电压冲击能力。

总的来说，高阻输入是一种重要的电路状态，主要用于隔离电路、保护信号源以及实现灵活的电路控制。在设计和使用电路时，需要根据具体需求选择合适的输入阻抗和输出阻抗，以确保电路的稳定性和性能。

按键低功耗电路

一个引脚控制两个灯亮灭

过压采样电路

电感升压原理

降压原理

不同电平MCU之间实现通信

过压保护电路

未过压5V 走负载

过压6V关闭负载

过压保护电路钳位二极管/TVS

串联型稳压电路

一键开关机电路：多种方式

一键开关机2

电池的低功耗一键开关机电路3

PMOS防反接电路

NMOS防反接

单个IO口检测多个按键

BUCK拓扑

Boost升压拓扑

mos三极管好坏检测

LDO原理和特点

LDO拓扑和特点

RCD尖峰吸收电路

电容充电时间计算

T = 4RC

钳位/TVS/ESD区别

多路电源自动切换电路

自动切换电路2

常用软件算法

常用滤波算法

嵌入式必会的五大滤波算法！

常用选型

2302 Nmos Vds：20V Id：2-3A

AO3400 Nmos Vds：30V Id：5.8A

2N7002 Nmos Vds：60V Id：0.115A

AO3401 Pmos Vds：30V Id：4.2A

S8050 NPN Vce：25V Ic：0.5A

S8550 PNP Vce：25V Ic：0.5A

1N5819 肖特基二极管 40V 0.35--1A整流压降0.2V

78L05 LDO 转5V 输出0.1A(输入端不能低于6V) 0.15R

78M05 LDO 转5V 输出1A(输入端不能低于6V) 0.4R (78系列05 08 09 12 15 18 24等)

ASM1117-3.3/5 输出电流1A 0.15R

选型必背词组

Descriptions 描述

Assignments 分配

Performance Characteristics 性能特性

电压电流波形图

电容器

电感器

AC电容器

不同容值电容

高通滤波器

低通滤波器

二极管

三极管

达林顿管

mos管

基础知识

整流桥、交直流计算、电容、电阻分压限流如何选封装

电容充电曲线

纹波电容大小选择

电解电容陶瓷电容选择

整流桥选型：耐压值大于有效值的2.8倍，电流负载的一半。

DCDC LDO

7805 和78L05 78M05选择

稳压二极管

反向当普通二极管用，正常大于多少电流稳定电压。

稳压二极管计算

整流二极管

逻辑门

三极管和场效应管

三种工作状态

三极管工作原理及选型

场效应管子

三极管和场效应管区别

AC/DC交直流

电压

欧姆定律

常见元器件

电阻器

并联电阻，增加通路，电阻更小，电流更大
串联电阻，电阻更大，电流越小

相同阻值的电阻，个头大小不同主要区别在功率容量、耐压能力和散热性能方面。

功率容量：电阻的功率容量是指电阻能够承受的最大功率，而不会引起过热或损坏。一般来说，体积较大的电阻可以承受的功率更高。例如，一个100欧姆1W的电阻比一个100欧姆1/4W的电阻能够通过更大的电流。
耐压能力：耐压能力是指在制造电阻时螺旋刻法相邻之间的电压承受能力。在高电压场合，电阻的间距如果不够可能会引起飞弧现象。因此，对于高电压应用，可能需要使用体积较大或者特别设计的电阻来确保足够的间距。
散热性能：电阻在工作时会产生热量，散热性能好的电阻可以更有效地将热量散发到环境中，从而避免过热。体积较大的电阻通常有更好的散热性能，因为它们有更大的表面积和更多的散热材料。

电阻选型

电容器

作用：阻止电压突变，储能滤波（大电容滤除低频，小电容滤除高平）
部分电容有极性区分，严禁反接，不可在电容两边直接导通不加负载。

电感器

磁生电，电生磁，主要作用：存储能量，断电时防止电流突变对其它器件造成影响，可滤除高频噪声。继电器门锁原理

LRC震荡电路

保险丝熔断器

接插件

万用表

不要在金属桌面测量，注意量程，插座中是交流电，正常电池单片机直流电

测导通蜂鸣档，测电阻，电压，电流，二极管，三极管

继电器

二极管

二极管作用

参考：二极管的应用电路

整流作用

整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。

稳压作用

利用二极管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用。

三极管

基本概述

三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。作为软件开发，我们一般只需要懂得如何控制三极管的通断即可。

控制开关，区分NPN,PNP,NMOS,PMOS
NPN高电平导通，PNP低电平导通，流控原件
NMOS PMOS压控原件
NPN三种状态截止：不导通低电平放大饱和都是导通，放大：发射极正反集电极反偏，饱和：发射级正偏，集电极正偏Ubc < Ube

N型MOS管发热可能有多种原因，以下是一些可能导致其发热的因素：

电路设计问题：如果MOS管没有工作在开关状态而是工作在线性状态，会导致导通过程时间过长，等效直流阻抗增大，从而造成较大的压降和功耗，进而引起发热。
驱动频率过高：如果功率管的驱动频率太高，频率与导通损耗成正比，导致MOS管上的损耗增大，因此会引发更多的发热问题。
散热设计不足：如果电路板的散热设计不充分，即使电流未达到MOS管的最大承受电流，也可能因为散热不良而产生过热现象。在这种情况下，可能需要增加辅助散热片来改善散热效果。
选型不当：如果MOS管的选型有误，例如对功率判断错误或内阻没有充分考虑，也可能导致开关阻抗增大，从而引起发热问题。
电源和负载条件：电源电压过高或过低、负载过重或存在短路等情况，都可能导致MOS管工作时的电流增大，进而引起发热。
栅极驱动问题：如果N-MOS做开关时，G级（栅极）电压没有比电源高几伏以完全导通，或者P-MOS的情况相反，没有完全导通会导致压降增大，从而造成损耗过大导致发热。

什么是mos管线性区：
当MOS管工作在线性状态时，它并没有完全关闭或完全打开，而是处于一种中间状态。这种状态下，电流可以流过MOS管，但同时会产生较大的功耗和发热。

详细来说，以下是一些关于MOS管线性工作状态的详细解释：

线性区的特点：在线性区，也被称为恒流区或放大区，MOS管的漏极和源极之间的电压与电流成线性关系。这个区域通常用于模拟信号的放大。
开关损耗：当MOS管在截止区和完全导通区之间高频切换时，会经过线性区，这时会产生开关损耗。这是因为在线性区，MOS管等效于一个阻抗，电流流过时会有压降，从而产生热能。
不稳定性问题：在某些应用中，如放大器设计，通常会避免让MOS管工作在线性区，因为该区域可能带来不稳定性。设计师会尽量让MOS管工作在饱和区，以确保性能稳定。
设计考虑：在一些特定的应用中，比如热插拔、负载开关、分立LDO的调整管等，MOS管可能会较长时间或一直工作在线性区。在这种情况下，设计者需要特别注意MOS管的热管理和散热设计，以防止过热导致损坏。
功率容量：由于线性工作时的导通过程时间过长，等效直流阻抗增大，会造成较大的压降和功耗，这就意味着MOS管需要有更高的功率容量来承受这种状态下的损耗。
电容效应：MOS管的工作还涉及到其内部的电容效应，即栅极和沟道之间的氧化层下方的半导体表面。施加不同的电压可以改变这一区域的电荷状态，从而影响MOS管的导通和关闭状态。

三极管三种状态

导通：放大饱和都是导通，截止

2.2.1 放大状态
发射结正偏，集电结反偏；

NPN管：发射结正偏，即b -> e，所以Ub>Ue；

集电结反偏，即c -> b，所以Uc>Ub；

Uc > Ub > Ue；

PNP管：同理，Ue > Ub > Uc；

2.2.2 饱和状态
发射结正偏、集电结正偏；

NPN：Ub > Ue , Ub > Uc；

PNP：Ue > Ub , Uc > Ub；

在饱和状态，c极、e极之间相当于短路（可看成开关闭合导通状态）；

2.2.3 截止状态
发射结反偏，集电结反偏；

此时c极、e极之间相当于开路（可看成开关断开状态）；

NPN应用

PNP应用

MOS管

基本概念

MOS管，是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。

有三个极性引脚，分别为S（源极）、G（栅极）和D（漏极）。有两条线的就是S极，G极在单独一侧，剩下的就是D极了。它又可以分为P沟道MOS管和N沟道MOS管。

沟道判断

N沟道

箭头指向G极的就是N沟道MOS管，作为开关时，D极作为输入端（接电源），S极输出端（接地）；

通常会连接一个二极管，二极管的方向4（由S极指向D极），如果是反过来接，二极管相当于短路，D极直接短路到S极，使MOS管失去了作用。

可以简单的认为，Ug > Us时导通，Ug = Us = 0V时截止

P沟道

箭头背向G极的就是P沟道MOS管，作为开关时，S极作为输入端，D极输出端；二极管的方向由D极指向S极）。可以简单的认为，Ug < Us时导通，Ug = Us = 0v时截止

总结：

功能总结

MOS管（N/P沟道）用作开关时，连接的二极管阴极接输入端，阳极接输出端；

MOS管（N/P沟道）用作隔离（使用MOS管防止电流反向流）时，连接的二极管阳极接输入端

三者区别

二极管和三极管是电流控制元件，通过控制基极电流才能达到控制集电极电流或发射极电流；

MOS管是电压控制元件，它的输出电流决定于输入端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，MOS管更节能；

MOS管导通时压降小（相当于0V），二极管的导通压降在0.7-1.5V左右。