分析nandflash写操作技术路线(2018-08-04)

本文详细介绍了NAND Flash的写操作技术路线,包括mtd接口的设定、写操作流程,涉及nand_erase、nand_write等函数。在实验过程中,发现了ECC校验问题可能导致的写错误,并通过实例展示了数据正确写入的情况,同时提到了nandflash擦除操作的问题。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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分析nandflash写操作技术路线
    mtd->_erase = nand_erase;
    mtd->_read = nand_read;
    mtd->_write = nand_write;
    mtd->_panic_write = panic_nand_write;
    mtd->_read_oob = nand_read_oob;
    mtd->_write_oob = nand_write_oob;
    mtd->_sync = nand_sync;
    mtd->_lock = NULL;
    mtd->_unlock = NULL;
    mtd->_block_isreserved = nand_block_isreserved;
    mtd->_block_isbad = nand_block_isbad;
    mtd->_block_markbad = nand_block_markbad;
    mtd->writebufsize = mtd->writesize;
    if (!chip->write_page)

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