BR1001应用电路图及注意事项

注意：
1、晶振要使用10PPM精度。
2、对于32768的晶振匹配电容，程序中可以通过寄存器设置匹配电容参数。内部晶振匹配电容值为0—12.6pF。程序设置函数为pmu_xtal32k_change_param(15,1);//函数输入参数(0–15，每步0.84pF)根据选用晶振匹配电容参数而定。
芯片外部不贴32768晶振匹配电容，这晶振的负载电容参数CL值，不应该超过7pF，否则内部寄存器没法调整到合适的匹配电容值。
3、对于24M的晶振匹配电容，程序中可以通过寄存器设置匹配电容参数。内部晶振匹配电容值为0—23.25pF。程序设置函数为pmu_xtal24m_change_param(15)//函数输入参数(0–32,每步0.75pF)根据选用晶振匹配电容参数而定。
芯片外部不贴24M晶振匹配电容，这晶振的负载电容参数CL值，不应该超过12pF，否则内部寄存器没法调整到合适的匹配电容值。
4、当两个晶振匹配电容取相同值时，晶振匹配电容CL1和CL2计算公式：
CL1=CL2=(2×C 负载 ) -C 寄生
CL1 和 CL2为晶振匹配电容，如果芯片内部启用了内部配电容，那么用计算得到的电容值减去内部匹配电容值，得到外部需要使用的电容值。
C负载为晶振规格书要求的CL值。
C寄生为PCB走线等的寄生电容。
如果要求比较高，则通过测试RF的频偏来决定CL1和CL2的值。