在使用晶振时,应仔细参考晶振规格书,以确保正确选择匹配电容,从而获得稳定和精准的时钟源。
计算方法
C L = C G ∗ C D C G + C D + C S C_L = \frac{C_G * C_D}{C_G + C_D} + C_S CL=CG+CDCG∗CD+CS
CL 为晶振负载电容 (Load Capacitance)。
CS 为晶振两个管脚之间的寄生电容 (Shunt Capacitance)。
CG 为晶振振荡电路输入管脚到 GND 的总电容。
CD 为晶振振荡电路输出管脚到 GND 的总电容。
其中 CL 和 CS 的值可在晶振规格书中找到。
这里 CL 为 12.5 pF,CS 为 1.2 pF。
12.5
p
F
=
C
G
∗
C
D
C
G
+
C
D
+
1.2
p
F
12.5 pF = \frac{C_G * C_D}{C_G + C_D} + 1.2 pF
12.5pF=CG+CDCG∗CD+1.2pF
通常 CG = CD 。
C
G
∗
C
D
C
G
+
C
D
=
C
G
2
=
C
D
2
=
11.3
p
F
\frac{C_G * C_D}{C_G + C_D} = \frac{C_G}{2} = \frac{C_D}{2} = 11.3 pF
CG+CDCG∗CD=2CG=2CD=11.3pF
C G = C D = 22.6 p F C_G = C_D = 22.6 pF CG=CD=22.6pF
C G = C I + C P C B + C L 1 C_G = C_I + C_{PCB} + C_{L1} CG=CI+CPCB+CL1
CI 为主控芯片晶振输入管脚到 GND 的寄生电容。
CPCB 为晶振电路 PCB 走线到 GND 的寄生电容。
CL1 为外加匹配电容。
C D = C O + C P C B + C L 2 C_D = C_O + C_{PCB} + C_{L2} CD=CO+CPCB+CL2
CO 为主控芯片晶振输出管脚到 GND 的寄生电容。
CPCB 为晶振电路 PCB 走线到 GND 的寄生电容。
CL2 为外加匹配电容。
其中 CI 和 CO 的值可在主控芯片规格书中找到 。
这里 CI 和 CO 为 5 pF。
CPCB 的值取决于 PCB 布局布线,这里取 5 pF。
晶振匹配电容容值
C
L
1
=
C
L
2
=
C
D
−
C
O
−
C
P
C
B
=
22.6
p
F
−
5
p
F
−
5
p
F
=
12.6
p
F
C_{L1} = C_{L2} = C_D - C_O - C_{PCB} = 22.6 pF - 5 pF - 5 pF = 12.6 pF
CL1=CL2=CD−CO−CPCB=22.6pF−5pF−5pF=12.6pF
在实际应用中可选择与计算值相近的电容,如 10 pF。