Nand Flash基本原理

目录

1.介绍

2.基本原理

2.1 Nand结构

2.2 Program

2.3 Erase

2.4 Read

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1.介绍

        Nand Flash也是闪存的一种，紧跟上文 NOR FLASH 闪存及基本原理-CSDN博客 可知，Nand Flash是一种非易失性存储器，本文主要介绍Nand Flash的基本结构和工作原理。

2.基本原理

        Nand Flash 存储数据也是利用MOS管的浮栅进行存储数据的。当存储数据时给栅极加高电压，漏级加正压，源级加0v电压，这样电子会从源级流向漏级，此时栅极高压会将电子“拉”入到浮栅中，这样电子就存储到浮栅中。若要擦除浮栅的电子，在p阱加高压，电子被‘’拽‘’出浮栅。Nand的穿过氧化物的过程都是电子隧穿效应。

2.1 Nand结构

        Nand存储结构如下图所示，字线所有的mos管的栅极都连接在一起，而位线则都string在一起。

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Nand flash写入的最小单位就是页，这里的一页就是一行。nand flash写入的最小单位就是页，这里的一页就是一行。

2.2 Program

        那么Nand flash是如何写数据呢？首先对要写入的一页加+20v或以上的电压，对其他页加低电压，这样选中字线。

        接着对位线加压，准备要写的数据加0v电压，而其他位线则加+2v电压，这样要写入的mos管电子可以穿过氧化层到达浮栅中，而其他mos管则穿不过氧化层，仍然保持1状态。

ps：为什么按页写？

答：这一页的mos管栅极连在一起。

2.3 Erase

        Nand flash是如何进行擦除的？首先对衬底进行加20v电压，接着对字线加0v电压，这样既可达到擦除整个block的目的。擦除是以block进行的。

ps：为什么擦除要以block进行呢？

回答：因为所有的存储单元共用一个衬底。

2.4 Read

        nand flash的读操作的过程是什么？首先对选中的字线加0v电压，其他字线加+7v电压，保证除了选中的wl，其他的管子处于导通，从而将选中wl的值反映到bl，最终通过灵敏放大器即可读出数据。