本文介绍了一种新型的高量子效率近红外二区荧光AgAuSe合金化量子点，其绝对PLQY达到65.3%，在生物成像和近红外LED等领域具有广泛应用前景。研究中，通过合金化策略成功提高了量子点的PLQY，并探讨了其光学性质和非辐射跃迁的抑制作用。此外，还提到了硅量子点的多种修饰方式，如PEG和磷脂修饰，用于生物相容性改进。
高量子效率的近红外二区荧光AgAuSe合金化量子点的合成介绍（提供PEG修饰磷脂修饰的硅量子点）
无机半导体量子点具有很多独特的物理化学性质，包括尺寸依赖的荧光发射、高的发光强度、高的光物理/化学稳定性和表面易功能化等，被广泛应用于发光二极管（LED）、太阳能电池、激光器和生物成像等诸多领域。因此，设计和合成具有高荧光量子产率（PLQY）、可调的荧光发射和良好生物相容性的量子点一直是研究的热点。
第二近红外窗口（NIR-II，900-1700 nm）荧光由于活体组织对其光子的吸收和散射效应大大降低，在生物医学成像和近红外LED等方面得到了广泛的研究。Ag基量子点（Ag2S和Ag2Se）是典型的不含有毒性重金属元素的NIR-II荧光探针。以Ag2Se为例，它具有窄的直接带隙（0.15 eV），是一种理想的NIR-II荧光材料。然而，Ag2Se中Ag离子的高迁移率导致大量的阳离子空位和晶体缺陷，导致Ag2Se量子点的PLQY小于1%。因此，开发一种新的策略来获得高PLQY的Ag基量子点具有重要意义。
图1. AgAuSe量子点的结构和光学性质表征
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