硅上量子点激光器报告最新进展总结（一）

 

——来自UCSB万雅婷博士的报告

 

目录

一、摘要：

二、引言：

三、三种集成方案：

四、第三代集成方案直接在硅衬底上集成详解：

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一、摘要：

自组装量子点（QD）增益介质与传统量子阱（QW）结构和块体材料相比，具有多种优良的材料特性，包括对材料缺陷的耐受性大、反射灵敏度低、线宽增强因子几乎为零、透明电流密度低、工作温度高，半导体锁模激光器和放大器的超快增益动力学。这里，我将讨论量子点激光器领域的最新进展，重点是硅的直接生长。硅光子学得到了广泛的应用，特别是在大容量应用和与CMOS电子学的协同集成方面。我将首先概述该领域，然后总结设备性能和改善响应的基本物理基础。最新进展包括119°C连续波激光、近零线宽增强因子、无隔离器稳定性、35°C下超过100年的外推寿命、微尺度环形激光腔中的连续波亚毫安阈值、高片上增益（39 dB）放大，4.1tb/s传输，采用低定时抖动（82.7fs）的锁模激光器和侧模抑制比大于45db、调谐范围为16nm的可调谐激光器。在过去的十年里，量子点技术已经取得了很大的进展，使得实用的III-V/Si光子学有可能实现商业化。

二、引言：

目前像调制器，探测器，耦合器等都实现了SI上的集成，但SI上光源一直是一个目前面临的挑战；因为SI基可以与CMOS工艺兼容，大大降低成本，而Si作为直接带隙半导体，发光效率低，很难成为光源材料，目前尝试了SI基的Ge激光器，阈值电流太大是300kA/cm2，而传统的三五族阈值电流约为0.1kA/cm2，所以还是将三五族和si混合集成吧。

三、三种集成方案：

• 一代方案：

外部耦合：即利用耦合器将外部光源引入到硅波导中；优点是:简单快速；缺点是;封装技术复杂，需要使用三五族衬底，成本高，尺寸大，难以大规模的发展，封装耦合成本占到80-90%。

• 二代方案：

混合集成：采用三五族发光材料与硅基无源材料的混合集成。利用BCB紫外胶键合，低温氧分子等离子键合，将三五族键合到硅衬底上，减少了封装耦合的成本，通过倏逝波的耦合方式实现三五激光器和硅波导之间的耦合，减少耦合成本。Intel主要用这个思路。             

                                                  图3-1 intel公司混合集成产品

Intel这些光模块对传统的三五族半导体光模块形成了冲击，光模块对不同的应用材料不同，像光通信DFB,BBR采用的是Inp,InGaAs材料，而短距通信VCSEL用GaAs, AlGaAs材料，光调制器使用的铌酸锂LiNbO3，光电探测器使用InGaAs材料，无源光波导采用的是二氧化硅，硅，以及损耗更小的氮化硅，氮氧化硅，隔离器采用高旋光度，低损耗的YIG薄膜，混合集成就可以很好的克服这些材料之间的晶格不匹配，实现各种功能在硅上大规模光的集成。但是键合和耦合的过程的良品率是很低的，工艺周期很长，成本目前还不低。

• 三代方案

直接在硅衬底上生长三五族材料，

	GaAs	InP	Si	SOI
衬底价格（美元/平方厘米）	1.65	4.55	0.2	1.3
最大尺寸（mm）	200	150	450	450

                                    表3-1 不同材料的衬底价格和最大尺寸

技术难度最大，离产业化最远，但最有效的方式；限制因素：4.2%的晶格失配（穿透位错），不同的热膨胀系数（微裂缝），不同的极性（反相畴）。

四、第三代集成方案直接在硅衬底上集成详解：

        位错在宏观上表现为三五材料的开裂断层，微观表现为激光器有源区引入大量的非辐射中心，导致发光效率低，期间的阈值电流增加，GaAs/AlGaAs上的位错密度目前降至1e6/cm2，但器件寿命很低在几个小时，而量子点激光器的寿命却可高达1000多小时。量子点光学特性为什么受位错的影响低，可以实现高质量的发光器件?

       量子阱的载流子扩散长度大概在10个微米，在这个二维量子材料薄膜当中，位错非常容易在薄膜层里衍生和传播，从而降低发光效率，而量子点的载流子扩散长度只有量子阱的十分之一不到，载流子在材料中的运动受到三维限制，遇到位错缺陷并被其捕获的可能性就很小，量子点的密度要远大于位错密度，即使单个有位错量子点，并不会影响其他量子点的光学性能，从而就大幅减小了位错对其光学特性的影响。

                                                      图4-1  量子阱和量子点的结构及特性

 什么是量子点呢？量子点：电子在三个维度上都受限制，最低两个分立能级差大于几倍的KT。体材料-量子阱-量子点：阈值电流密度更低，更高的对温度依赖不敏感、更窄的增益谱，现在可以通过分子束外延技术，把材料的生长精度控制在原子尺度。

                         图4-2 体材料、量子阱、量子线、量子点结构（不是很懂下面的曲线什么意思）

                                                   图4-3 SK量子点自组装生长模式

生长的过程是首先将InAs沉积在和它晶格失配比较大的但表面（）不是很大的异质结材料体系GaAs上，那么外延生长的初期就会从几个原子层厚的二维层状生长开始，并且随着层厚的增加，应变的不断积累，过渡到三维导波生长，以降低系统的能量，三维导生长初期所形成的纳米量级尺寸的小导周围是没有位错的，接下来再用禁带宽度比较大的材料将其包围，小导中的载流子就会受到三维限制，那么量子点就形成了。这种量子点材料具有类似于原子的呈脉冲函数体密度函数，最低两个分立能级能量差大于几个KT，所以就不会增益函数的热依赖或是激光依赖的展宽。

1994年量子点激光器首次问世，但当时的阈值电流密度为7.6KA/cm2，77K脉冲模式下工作。随着在生长过程中，人们对量子点的大小、密度、形貌、尺寸均匀性、以及堆垛的层数更好的控制，仅仅五年后，UCL刘惠云课题组量子点激光器首次超过量子阱（26A/cm2，目前最低的阈值电流密度为10A/cm2，可以在高温220度的条件下工作。）

量子点在作为激光器的高效发光中心的同时，有效减小位错密度的影响，刘惠云老师最早实现硅衬底上直接上长O波段量子点激光器，并且随后首次报道了在室温连续工作模式下超过3100小时的超低阈值量子点激光器。1987年，硅上量子阱激光器只有10s的生长寿命，硅基量子点激光器异军突起。

但是要实现产业化，要发展标准的CMOS工艺兼容的零偏（001）硅衬底上直接生长三五族半导体激光器的技术。目前万博士课题组两种方案，第一种是下图右图所示：通过超晶结构与微型超晶技术的结合进一步减小了位错，德国公司购买的Si上长的几乎没有任何位错密度和反相畴的GaP外延片，再在上面进行GaAs的外延生长，TDD是指位错密度。另一种刘纪美老师的合作，高深宽比沟槽限制技术，限制是配位错与反相畴，把缺陷控制在V型槽里，也可以很有效的控制位错和反相畴。