锂电池充电芯片IP2366介绍和使用全解

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特性

充放电规格

  1. 集成BUCK-BOOST升降压功率NMOS驱动
  2. 外接电阻可设置最大充放电功率,最大支持140W充放电
  3. 自适应充电电流调节
  4. 外接电阻可设置电池类型,充满电压为3.65V/4.1V/4.2V/4.35V/4.4V
  5. 外接电阻设置电池串联节数:2/3/4/5/6

快充规格

  1. 集成FCP输入输出快充协议
  2. 集成AFC输入输出快充协议
  3. 集成SCP输入输出快充协议
  4. 集成DRPTry.SRC 协议,PD3.1输入输出快充协议
  5. 集成QC2.0/QC3.0/QC3.0+ 输出快充协议

其他功能

  1. 4/2/1LED电量指示灯(支持4个电量指示灯,可显示电量和充放电状态)。内部带有模拟积分电量库仑计可以学习电池电量。
  2. 定制支持I2C功能(内置14bitADC,可以精确测量输入电压和电流,电池电压和电流等。可通过I2C获取充放电电压、充电电流等信息)
  3. 待机功耗5μA(进入低功耗模式后,待机电流降低到5μA。进入低功耗模式后,插入充电器可自动唤醒充电,需要短按按键来唤醒对外放电)
  4. EN唤醒功能

多重保护、高可靠性

  1. 输入过压、欠压保护
  2. 输出过流、短路保护
  3. 电池过充、过放、过流保护
  4. IC过温保护
  5. 充电电池温度NTC保护
  6. ESD4KV,输入(含CC1/CC2引脚)耐压30V

芯片版本

IP2366有标准型号、I2C型号版本。
区别在于31、38、39引脚功能不同。标准型号是LED功能,I2C型号是I2C通信。
两个版本是芯片内部固件不同,从芯片的丝印上无法区分。
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简化原理图

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引脚图

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内部框图

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充电过程

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支持涓流-恒流-恒压充电的过程:
当电池电压VBAT≤2.5V时,为小电流涓流充电,电池充电电流50mA左右;
当电池电压2.5V<VBAT≤VTRKL时,为涓流充电,电池充电电流200mA左右;
当电池电压VTRKL<VBAT< VCV时,为恒流充电,按设置的恒流充电电流对电池充电;
当电池电压 VBAT=VCV时,电池电压上升到接近充满电压时,充电电流会缓慢下降,进入恒压充电;
进入恒压充电后,当电池充电电流小于ISTOP且电池电压接近恒压电压时,停止充电,进入充饱状态。
进入充饱状态后,会继续检测电池电压,当电池电压低于VBAT<VRCH后,会重新开始充电;

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IP2366 集 成 有 AFC/FCP/PD2.0/PD3.0/PD3.1 输 入 快 充 协 议 , 可 以 通 过 Type-C 口上 的DPC/DMC/CC1/CC2 来向快充充电器申请快充电压,会自动调节充电电流大小,来适应不同负载能力的充电器。
当用没有快充的充电器或直流电源供电充电时,IP2366会根据输入电压来设置充电电流:
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注:实际充电功率大于设置的最大输入功率限制时,也会降低充电电流;

放电功能

IP2366 集成USB Type_C 输入、输出识别接口,自动切换内置上下拉电阻,自动识别插入设备的充放电属性。带有Try.SRC功能,当连接到对方为DRP设备时,可优先给对外放电给对方充电。
IP2366 支持多种规格的快充形式:PD2.0/PD3.0/PD3.1、 QC2.0/QC3.0/QC3+、FCP、AFC、SCP、Apple。
IP2366 支持EMARK线缆的识别,
IP2366 支持PD2.0/PD3.0/PD3.1 输出协议,最大支持140W功率输出;
IP2366 支持EMARK线缆的识别,会根据识别到的线缆信息,对外广播不同的PD信息包,不同功率设置下对外广播的PD信息包如下:
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IP2366 可通过DP/DM管脚支持QC2.0/QC3.0/QC3+、FCP、AFC、SCP,以及苹果手机2.4A模式、BC1.2 普通Android 手机1A模式。

状态切换

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输入输出最大功率设定

通过判断PSET引脚连接的阻值来设定系统输入输出的最大功率。
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电池串联数量设定

通过判断BAT_NUM引脚连接的阻值来设定电池串联数量。
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电池类型设定

通过判断VSET引脚连接的阻值来设定电池类型。
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注:当RVSET接入27k电阻后,VSET脚会使能打印输出功能。

NTC功能

集成NTC功能,可检测电池温度。IP2368上电后NTC PIN在高温时输出80uA的电流,在低温时输出20uA电流,通过外部NTC电阻来产生电压,IC内部检测NTCPIN脚的电压来判断当前电池的温度。
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充电状态下:NTC温度低于0度(0.55V)停止充电,0~45度之间正常充电,温度超过45度(0.39V)停止充电。
放电状态下:温度低于-20度(1.39V)时,停止放电,-20度到60度之间正常放电,高于60度(0.24V)停止放电;

在NTC检测到温度异常后,恢复温度为保护温度±5度。上述括号内为该温度对应的NTC引脚电压,计算方法为:NTC脚放出的电流*该温度下的NTC电阻阻值。
以上温度范围参考的 NTC 电阻参数为 10K@25℃ B=3380,其他型号存在差异,需要调整。
如果方案不需要 NTC, 需要在 NTC 引脚对地接 10k 电阻,不能浮空或者直接接地。

灯显功能

支持 4、2、1颗电量显示灯方案,连接方式如下。
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IP2366内部带有模拟积分电量库仑计,据此来判断电池电量。如果发现灯显指示的电量不准,需要充放电循环一次以上,IP2366就会自动校准电量。

4个指示灯一直闪烁表示报警

回答一:指示灯一直闪表示错误提示
回答二:可能是开关没拨对或者电压不对,导致主控识别到过压或者欠压等所以指示灯一直闪
回答三:可能插入的充电器输出电压过高或者过低,快充档位电压偏差过大或者纹波过大,导致板子无法正常工作,所以指示灯一直闪

CC_BDO设置

IP2366 的 CC_BDO 管脚,用于设置在低功耗状态时CC1/CC2的默认状态:
CC_BDO引脚悬空或为高电平时,CC1/CC2 默认下拉,IP2366作为SINK设备;
CC_BDO引脚接1K电阻到地时,CC1/CC2默认上拉,IP2366作为SOUCRE设备。

IP2366 的 CC_BDO 引脚用于设置低功耗模式下 CC1/CC2 的默认状态(不接电池测试) , 唤醒后不适用;
CC_BDO 引脚接 1K 电阻到地, 此时作为 SOURCE 设备, CC1/CC2 默认上拉, 接入 PD 适配器无法充电。
CC_BDO 引脚悬空或高电平时, 此时作为 SINK 设备, 没有放电能力, 接入手机, 笔记本等 DRP 设备会对 IP2366 充电。

按键功能

支持按键功能,按键的连接方式如图
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EN脚电压大于1.2V,持续时间大于100ms,小于2s,即为短按动作;
进入低功耗模式后,短按会打开电量显示灯,并进入空载状态,如检测到有充放电设备则会进入对应充放电状态;
空载状态下,持续10s C 口都未检测到有充电或放电设备接入,就会进入低功耗状态。
在空载状态下,在1s内连续进行2次短按操作,也会关机进入低功耗状态,关闭电量灯显和放电输出;
EN脚电压大于1.2V,持续时间大于10s,则系统会进行复位。
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原理图

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layout布局走线注意事项

VIO 端和 BAT 端采样线需要单独从采样电阻两端引出,且越短越好

在原理图中,引脚 BAT、CSP2 属于同一网络,但是走线时必须单独分别从采样电阻右侧引出;CSN2和 PCON 也需要单独分别从采样电阻左侧引出,其中采样线上的 RC(R1,C1,R3,C2)需要放置在靠近芯片引脚处。
如下面的 layout 图所示:
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VIO 端的采样电阻走线同理:
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VIO 和 BAT 端电容需要靠近采样电阻

以 BAT 端为例, 该端的采样电阻旁边必须至少放置一个 22uF 电容。在这个前提下尽可能使电容的 GND靠近 BAT 功率回路下管的 GND, 另外地孔越多越好。 否者可能会对电流 ADC 的采样的精确与稳定造成影响。
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VIO 端布局同理
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避免功率 MOS 在采样电阻和 IC 中间的布局

这样是为了避免采样线经过功率 MOS 附近,以免对采样信号造成干扰。 如下图
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器件选型

H 桥NMOS选型

一般而言, 对于 H 桥的 NMOS, 我们推荐的参数如下表:
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H 桥 NMOS 影响效率的主要因素包括RDS(on)、Ciss、Coss, IP2366 的Vgs驱动电压来自
VCC5V, 寄生电容对效率的影响比较小, 主要考虑RDS(on)越小越好, 在RDS(on)差别不大
的情况下, 寄生电容越小越好。 对于导通和关闭时间, 也都是越短越好。

当设置最大充放电功率为 140W 时, 需要相应选择耐压 VDS>=40V, 导通阻抗 RDS(ON)<8mR 的
NMOS。

VBUS 路径 NMOS选型

VBUS 的 NMOS 只是作为路径开关, 对开关速度的要求并不高。 关于导通阻抗RDS(ON) ,
我们推荐路径 NMOS 的RDS(ON)<10mR., 这个值越小, 整体的效率越高。 VDS耐压则需要根
据实际情况选择, 例如, 选用的方案最高支持 28V 充放电, 则路径 NMOS 的VDS耐压需要大
于 28V(考虑到裕量, 建议大于 35V) ; 如果选用的方案最高支持 15V 充放电, 则路径 NMOS
的VDS耐压需要大于 15V(考虑到裕量, 建议大于 20V) 。

电感选型,为何推荐 22uH


根据上面计算最极限的情况下就是10.7uH,因此求保守推荐22uH,实际应用中10uH就够了。
淘宝上卖的好的测试板就是用的10uH。
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CSP2/CSN2 及 CSP1/CSN1 脚的采样精度值是多少? 采样电路上的电阻和电容作用是什么, 如何取值?

电流采样的精度受内部修调基准、 采样放大倍数匹配误差、 以及采样电阻自身精度、 PCB
走线和焊接效果的影响。 在不考虑采样电阻误差的情况下, 采样精度仅能保证<2%, 要实现更
高的精度, 需要再贴片完成之后, 在正常工作中测试实际的偏差, 通过软件对偏差进行系数修
调。
我们抽测了 3 块 IP2366 的 demo 板, 平均电流采样精度在 1.3%左右。
采样电路上的电阻和电容的作用是作为低通滤波器, VBUS 端阻值选择 51R, 容值选择
470nF, 则该滤波器的截止频率为 32K; BAT 端阻值选择 10R, 容值选择 1uF, 则该滤波器的
截止频率为 16KHz, 与开关频率(250kHz) 相差 8 倍和 16 倍, 主要是对采样电流的开关纹波进行滤波。
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两颗自举电容容值如何选择?

在 IP2366 中, 自举电容的供电来源是 VCC5V, 为了上管导通时 BST 电容电压的稳定,
一般需要符合Cvcc5v>CBST>Ciss, 大部分情况下,CBST=100*Ciss , 在 H 桥 MOS 的Ciss不超过1nF(1000pF) 的情况下, 常规取值为 100nF(0.1uF) 。
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C 口的滤波电容一般多少合适?

一般来说, 输出口的电容容值建议最大不要超过 22uF, 不然可能会影响 EMI 认证的通过,
而且过大的输出口电容可能会带来负载检测误触发等问题。 所以我们推荐使用 10uF, 也可以
额外并联一个 0.1uF 电容来减少 EMI 干扰。

在实际应用中, CC/D+/D-上一般都会增加一些电阻电容, 它们的取值有什么公式吗?

大部分情况下, 在 CC/D+/D-上增加电阻和电容是为了通过一些认证, 具体的取值不太容
易靠理论计算出来, 影响这些参数的因素有很多, 比如 PCB 的布局和走线, 很多时候都需要
在实际的板子上进行一步步调整, 最后才能得到合适的参数。

VIO 和 BAT 的电容如何选择? 为何推荐 2 个 22uF 并联 1 个 100uF

根据开关电源的电容计算公式, VIO 和 BAT 的电容容值最小为 100uF, 又考虑到在实际
的使用过程中, 电容容值可能会随着使用时间的增加或者温度上升而减少, 我们进行了大量的
充放电实验, 最后才得出使用 2 个 22uF 和 1 个 100uF 的电容推荐参数。 另外, 输出口的电
容只是进行简单的滤波, 使用 0.1uF 即可。

去掉 BAT 端的固态电容会有什么危害?

电池接入 BAT 端时, 会产生浪涌高压。 用 demo 板(有固态电容) 使用 24V 电池组测试,
BAT 端接上电池瞬间波形时平滑的, 没有尖峰值, 测试芯片引脚 BAT 最大电压 25.5V, 芯片
无异常。 去掉 BAT 端固态电容, 芯片 BAT 引脚处烧毁, 峰值电压可以达到 90V 以上如下图所
示。 增加 30V 的 TVS, 接上电池瞬间尖峰电压为 67V, 虽然测试中未损坏芯片但是仍存在损
坏芯片的可能。 所以固态电容能有效吸收接入电池时的浪涌电压, 不可以省掉固态电容或者用
陶瓷电容代替。
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系统功能相关问题

  1. 为什么通过 I2C 读取到的 IP2366 电流数据波动很大?
    答: 检查 PCB 中 VIO 端和 BAT 端的 5mR 采样电阻的采样线是否有重合, 每个 5mR 两端分别引出两根采样线到 IC 的采样引脚, 不能有重合。 采样线不能从电感下面经过, 不然电感会干扰采样信号。 预留驱动电阻, 可以通过串 2R 电阻来适当减小驱动能力。 检查 MOS 特性, 尝试更换其他 MOS 测试。

  2. 为什么设置的 IP2366 充电电流是 3A, 但是实际充电电流是 2.8A-3A?
    答: 首先是不同 IC 体质不同, 其中的校准参数设置有差异, 实际充电电流会有±5%的差异; 然后由于不同客户, layout 差异导致采样会有浮动, 出于对适配器的输出能力考虑, 3A 的电流我们实际设置低于 3A, 保证适配器不会被过大的电流拉保护。

  3. IP2366 的 C 口输入输出方案中, 充电功率和放电功率可以分开设置吗?
    答: 标准的 IP2366 单 C 口输入输出方案中, 充电功率和放电功率只能同时设置, 不可以分别设置; 但是可以定制。

  4. IP2366 电池放到低电保护之后, 等电池电压恢复之后可以重新放电吗?
    答: IP2366 标准方案在电池放电到低电保护之后, 等电池电压恢复后就可以重新放电, 可以定制不同的电池低电电压。

  5. IP2366 的 INT 脚到底应该怎么处理?
    答: 如果是不带 I2C 的型号, INT 可以不需要处理, 就做 LED3 脚就可以; 如果是带 I2C 的型号, INT 默认接 510K 到地, 因为 IP2366 的 INT 如果上拉到高电平, 就不会进入待机状态, MCU 无法通过给 INT 高电平来唤醒 IP2366, 只能通过 EN 唤醒。

  6. 为什么会出现无法申请快充的情况?
    答: 检查一下 PCB 板, IC 与座子的 DPDM 和 CC 线是否正常连接, 因为快充申请是需要用到 DPDM 和CC 线进行通信的, 而有部分样式的 C 口座子不易焊接, 容易导致上述线路无法正常连接。 建议选用便于焊接的座子。

  7. 当 IP2366 进行 45-140W 大功率充放电时, 电感和功率 MOS 的温度会很高?
    答: 因为电感中有阻抗, 从几毫欧到几十毫欧, 在功率达到 45-140W 的情况下, 电感的电流会有 3-7A 的电流, 这样电感中损耗的几瓦能量都用在发热上, 且导致电流峰值达不到, 功率 MOS 的开关频率也相应增加, 开关损耗增加导致发热严重。 选用电感时, 电感的直流阻抗越低越好。

  8. 为什么真实的功率和设置的功率偏差较大?
    答: 检查采样电阻的阻值和精度, 以及采样电阻上的 RC 电路阻抗是否与规格书上的相同, 否则会影响到采样精度, 继而影响到真实的功率。

  9. IP2366 不能对外放电时什么原因?
    答: 放电需要在空载状态, 接入手机, 笔记本等 DRP 设备时, 设备会先给 IP2366 充电唤醒, 随后 IP2366给设备充电; 但接入 UFP 设备, 如诱骗器, 移动硬盘等, 需要手动按下按键 EN 唤醒 IP2366, 才可对外放电。

  10. IP2366 出现拔掉输入线之后, I2C 充电标志还在?
    答: 检查板子 layout 是否良好, 输入端和输出端 5mR 采样线重点检查, 电流采样误差太大会导致我们无法准确采样到板子充电状况, 导致输入端拔出之后, 还是采样到有输入电流, 导致 I2C 充电标志还在。

  11. IP2366 怎么测试充放电 140W
    答:
    【充电】: 可以通过用有 140W 供电能力的适配器, 配合带 EPR 芯片的导线, 进行充电测试; 或用直流电源供电 28V/5A; 或用两个 IP2366 板子通过带 EPR 芯片导线进行对充测试。
    【放电】: 1.当前市面上有苹果 MacBook Pro A2485 支持 140W 快充, IP2366 配合原装磁吸线可对该电脑最大 140W 充电; 或申请我司 IP2716T_SINKEPR(普通诱骗器, 插入处于默认 5V, 通过按钮调整至 28V)诱骗器, 诱骗出 28V, 接入负载拉载 CC=5A; 或用两个 IP2366 板子通过带 EPR 芯片导线进行对充测试。
    带 EPR 芯片的导线可通过淘宝 https://m.tb.cn/h.UJcz4T5?tk=DmLydj9czNT 购买;
    可通过我司申请 IP2133_EPR 应用板, 进行 140W 测试;

  12. CC_BDO 功能怎么测试?
    答: IP2366 的 CC_BDO 引脚用于设置低功耗模式下 CC1/CC2 的默认状态(不接电池测试) , 唤醒后不适用;CC_BDO 引脚接 1K 电阻到地, 此时作为 SOURCE 设备, CC1/CC2 默认上拉, 接入 PD 适配器无法充电。CC_BDO 引脚悬空或高电平时, 此时作为 SINK 设备, 没有放电能力, 接入手机, 笔记本等 DRP 设备会对 IP2366 充电。

  13. 测试充放电 140W 时, 板子温度很高, 且会发生断充?
    答: 140W 大功率充放电, 板子热很正常, 断充是因为 IC 过温保护了;
    可以通过更换阻抗更小的功率 MOS 和直流阻抗更小的电感来提高效率, 减少发热量; 以及优化 PCB发热元件的布局, 加厚铜箔来加快散热。

  14. 能否详细描述一下 VIN 作为 DC 输入口时抽取电流的策略?
    答: VIN 作为 DC 输入口时, 具备 MPPT 功能, 其外接电源一般分两类: 1、 太阳能板输出;
    2、 DC 输出适配器。 IP2368 会通过 try 电流的方式来区分以上两类电源, 如果是太阳能电源,IC 会实时根据太阳能电源的输出功率来智能调节抽取的电流大小, 以求能量利用最大化。 抽取的电流定义为 Iset, 范围 0~5A, DC 口正常工作时, Vsys 需要满足 4.5V~28V。
    以下为 VIN 口的 MPPT 流程框图:
    在这里插入图片描述

参考设计1

https://www.chongdiantou.com/archives/386382.html
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参考设计2

https://oshwhub.com/sinonzxc/ip2366
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参考设计3

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I2C版本

https://www.chipsourcetek.com/DataSheet/IP2366_I2C.pdf

连接方式

IP2366作为从设备,MCU可通过 I2C 接口来读取或设置IP2366的电压、电流、功率等信息。
在这里插入图片描述

I2C 注意事项

  1. IP2366 的 I2C 设备地址:写为 0xEA,读为 0xEB。如需设为其他地址,可以通过定制实现;
  2. IP2366 的 I2C 通讯电压是 3.3V,如 MCU 端是 5V 电压,则需要加电平转换芯片,转到 3.3V;
  3. IP2366 INT 应用说明:IP2366 休眠时能通过充电和 EN 唤醒,唤醒之后,IP2366 主动拉高 INT,100ms之后,MCU 可进行 I2C 通信,进行寄存器的读写操作;IP2366 在进入休眠之前,会切换为输入高阻来检测 INT 状态,如果为高电平,则认为 MCU 不允许 IP2366 进入休眠,如果为低电平,则 IP2366 进入休眠;MCU 在检测到 INT 为低后,16ms 内要停止访问 IC;
  4. IP2366 的 I2C 最高支持 250k 通信频率,考虑时钟偏差,建议 MCU 的 I2C 通信时钟用 100k-200k;
  5. 如果要修改 IP2366 某个寄存器的值,需要先将对应寄存器的值读出来,然后对需要修改的 Bit 进行与或运算之后,把计算得到的值写入该寄存器中,其他未开放的寄存器不能随意修改。寄存器的默认值以读到的值为准,不同 IC 默认值可能不同;
  6. IP2366 I2C 通信是实时数据,在接收到请求之后,需要进中断进行数据准备,准备时间较长,所以 MCU在 I2C 通讯时需要在发送地址后判断是否收到 ACK 和增加 50us 延时(参考 I2C 应用示例);建议单字节读取,100k 的 I2C 通信频率,每个字节之间增加 1ms 延时;
  7. 在 I2C 读取数据末尾,读取完最后一个字节之后,一定要给出 NACK 信号,否则 IP2366 会认为还在继续读取数据,下一个时钟会继续输出下一个数据,导致无法收到 STOP 信号,最后读取错误;
  8. Reserved 的寄存器不可随意写入数据,不可改变原有的值,否则会出现无法预期的结果。对寄存器的操作必须按照读-修改-写来进行,只修改要用到的 bit,不能修改其他未用 bit 的值;

I2C 应用示例

在 IP2366 INT 引脚持续为高 100ms 之后,MCU 可以进行 I2C 通信,可先初始化寄存器(需要修改特殊功能时才修改寄存器,如果不需要修改可以不写寄存器);然后读取 IP2366 内部信息(充放电状态);最后进行特殊需求的操作(如特殊指示灯、充放电管理、快充请求管理);MCU 检测到 INT 为低后,16ms内需要停止访问 I2C。
例如:
往 0x05 寄存器写入数据 0x5A
在这里插入图片描述
从 0x05 寄存器读回数据
在这里插入图片描述
实际从 0x31 寄存器读回数据
在这里插入图片描述

寄存器列表

完整参考:https://www.chipsourcetek.com/DataSheet/IP2366_I2C.pdf
此处展示部分寄存器。
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

实测经验

1、充电芯片实际就是一个升降压电源芯片,根据电池的电压来选择恒压、横流输出。可以用实验室电源来模拟,把3.7V电压的电池接到电源,然后设置4.2V/1A,这个时候就会看到电源进入恒流模式,电源输出恒定1A,电源输出电压3.7V,然后跟随电池电压慢慢增加。随着电压越来越高,电池能接受的充电电流会慢慢降低,电流低于1A后。实验室电源就进入恒压状态了。
2、上面说了充电芯片实际就是一个升降压电源芯片,因此可以使用电子负载来测试充电功率。把IP2366输出接到电子负载上,电子负载设置恒流模式,设置好电流值后打开,然后打开IP2366供电。一开始IP2366是没有输出的,因为IP2366需要先检测输出电压(电池电压)来控制恒压恒流模式,因此需要把电池接入一下输出,等到IP2366有输出了,电池就可以取掉了。(我估计不一定需要接入电池,给输出端接入一下电压就行)
3、当没有快充的充电头时,也可以用实验室电源给IP2366供电,根据电压值来决定最大输入功率。比如电压5V,最大功率15W。电压28V,最大功率140W。
在这里插入图片描述
当输入电压改变时,每隔几伏会关闭一次输出。
比如输入电压从8V调节到10V。
我猜是跨过上面的电压区间了。
4、IP2366是四开关Buck-Boost结构
https://zhuanlan.zhihu.com/p/391081106
在这里插入图片描述
当VIN电压大于电池电压,就是buck模式,只有左边两个MOS管进行开关,右边两个MOS管是常开、常闭的。
当VIN电压小于电池电压,就是boost模式,只有右边两个MOS管进行开关,左边两个MOS管是常开、常闭的。

因此如果充电器是固定的,那么输入电压也是固定的,如果输入电压总是大于电池电压的,那么4个MOS中有两个MOS管有开关损耗、导通损耗;1个MOS管是导通损耗;还有1个MOS管不发热。
结构就是普通的DC-DC BUCK电路
在这里插入图片描述

https://blog.csdn.net/weixin_42107954/article/details/131000253

基于springboot+vue前后端分离,学生心理咨询评估系统(源码+Mysql数据库+视频+论文+PPT+教程),高分项目,开箱即用(毕业设计)(课堂设计) 使用旧方法对学生心理咨询评估信息进行系统化管理已经不再让人们信赖了,把现在的网络信息技术运用在学生心理咨询评估信息的管理上面可以解决许多信息管理上面的难题,比如处理数据时间很长,数据存在错误不能及时纠正等问题。 这次开发的学生心理咨询评估系统有管理员用户。管理员可以管理个人中心,用户管理,试题管理,试卷管理,考试管理等。用户参加考试。。经过前面自己查阅的网络知识,加上自己在学校课堂上学习的知识,决定开发系统选择B/S模式这种高效率的模式完成系统功能开发。这种模式让操作员基于浏览器的方式进行网站访问,采用的主流的Java语言这种面向对象的语言进行学生心理咨询评估系统程序的开发,后台采用Spring Boot框架,在数据库的选择上面,选择功能强大的MySQL数据库进行数据的存放操作。 学生心理咨询评估系统被人们投放于现在的生活中进行使用,该款管理类软件就可以让管理人员处理信息的时间介于十几秒之间。在这十几秒内就能完成信息的编辑等操作。有了这样的管理软件,学生心理咨询评估信息的管理就离无纸化办公的目标更贴近了。
道路坑洞与车牌人物多目标检测数据集 一、基础信息 数据集名称:道路坑洞与车牌人物多目标检测数据集 数据规模: - 训练集:3,900张道路场景图片 - 验证集:194张标注图片 - 测试集:72张评估图片 目标类别: - 行人(Human):道路场景中的行人目标 - 车牌(Licence):车辆牌照及编号信息 - 坑洞(Pothole):路面凹陷破损区域 - 复合目标(Potholes-carplate-and-people):同时包含坑洞/车牌/行人的复杂场景 技术规格: - 标注格式:YOLO格式标注框 - 数据格式:JPEG/PNG道路实拍图像 二、适用场景 自动驾驶感知系统开发: 支持车载摄像头实时检测道路坑洞、行人及车牌信息,提升自动驾驶系统的环境感知能力。 道路养护评估系统: 通过检测路面坑洞分布严重程度,为市政道路维护提供量化评估依据。 交通监控解决方案: 适用于智能交通系统中异常路况检测、车牌识别与行人安全预警等多任务场景。 计算机视觉研究: 提供多目标联合检测的实战数据,支持目标检测、异常区域定位等算法研究。 三、核心优势 多目标协同检测: 覆盖道路场景四大关键目标类别,支持单帧图像中同时检测路面缺陷、车辆牌照行人目标。 真实场景多样性: 包含不同光照条件、天气状况道路类型的实际道路图像,确保模型泛化能力。 工业级兼容性: 原生YOLO格式标注可直接应用于YOLOv5/v7/v8等主流检测框架,降低数据转换成本。 专业数据标注: 所有标注框经过双重质量校验,确保目标定位精度类别标注准确性,框体坐标误差小于2%。
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