DDR4 Spec第三章功能描述

给米PHY

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分类专栏： DDR4 Spec翻译文章标签： fpga开发

于 2023-01-15 18:05:23 首次发布

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最近在DDR4方面做了一些工作，但依然对整个流程理解得不够透彻，遂在去年4月阅读DDR4标准的基础上再次阅读该手册，理清了不少含糊的脉络。由于阅读的英文很快便会忘记，加之阅读英文时脑海中不自觉地翻译，于是大脑不堪重负，忘记速率更快了，遂萌生将其直接翻译的想法。

前两章和第六章之后不翻译，只翻译设计和验证时所需的基本概念，此包括3、4、5章节。翻译过程中结合了不少资料，其中包括CSDN上前辈的翻译：hierro_sic的博客_CSDN博客-DDR4标准,DDR3,SNPS-PHY领域博主

还有些其它的参考博客，分布在各个章节内。

3 功能描述

3.1 简略状态图

缩写	功能	缩写	功能	缩写	功能
ACT	Activate	Read	RD, RDS4, RDS8	PDE	Enter Power-down
PRE	Precharge	Read A	RDA, RDAS4, RDAS8	PDX	Exit Power-down
PREA	Precharge ALL	Write	WR, WRS4, WRS8 with/without CRC	SRX	Self-Refresh eXit
REF	Refresh, Fine granularity Refresh	RESET_n	Start RESET procedure	MPR	Multi Purpose Register
TEN	Boundary Scan Mode Enable

Note1 这里的简单状态转移图只是一个大概的示意图。对于涉及到多bank操作、或者使能/不使能ODT（on-die termination终端电阻）以及其他情况下的一些操作，上述示意图中并没有将全部细节展示出来。

3.2 基本功能

DDR4 SDRAM是高速动态随机存储器，对于x4/x8的器件，其内部有4个Bank Group（BG），每个BG有4个bank，共16个bank；对于x16器件，其内部分为2个BG，每个BG中有4个bank，共8个bank。

DDR4 SDRAM获取数据的方式为8倍预取（8n prefetch），以此方式来实现高速数据传输的操作。对于IO pin，每个时钟周期传输2个data words，从而实现了8倍预取（时钟上升沿传输一个data word，时钟下降沿传输一个data word，此处的data word不可简单理解为一个字节）。一个单独的读或写操作包含一个8倍预取的bit宽度（8n-bit），对应在DRAM core内部有4个时钟数据的传输，对应在IO端口上为8个n-bit宽度（不是8n-bit，而是8个n-bit），半个时钟周期的数据传输。

DDR4 SDRAM的读和写操作是以突发方式进行的，从一个给定地址开始，并根据突发长度（BL8或者BC4的长度）进行读写操作。读写操作前必须先发送ACTIVATE命令。其地址位跟随ACT命令一起发送过来，用于选择哪个bank和哪个row被激活（被activate），对于x4/x8的器件，BG0-1用于选择bank group，对于x16器件，BG0用于选择bank group；BA0-1用于选择bank，A0-17用于选择row，详见2.8章节。地址位在不同的命令下有不同的含义，例如紧随ACT命令后的READ/WRITE命令，其地址bit表示选择列地址（column location），同时，对于突发的读写操作，还需要根据A10来确定是否进行auto precharge（自动充电），以及根据A12确定发送的burst length是否为BL8或BC4。

当然，在能够对DDR4正常操作之前，整个器件必须被正确地上电以及初始化。

下列章节讲述了复位和初始化、寄存器定义、命令描述和器件操作的细节。

3.3 复位和初始化流程

对于上电和复位初始化，为了防止DRAM进行错误的操作，推荐MR寄存器的默认值如下：

设置值	含义
MR3 A3 = 0	Gear down模式为1/2速率
MR3 A4 = 0	PDA disable（Per DRAM寻址）
MR4 A1 = 0	Max power saving mode disable
MR4 A8-6 = 000	CS to Cmd/Addr latency disable
MR5 A2-0 = 000	CA Parity latency mode disable
MR4 A13 = 0	Hard post package repair mode disable
MR4 A5 = 0	Soft post package repair mode disable

3.3.1 上电初始化流程

下列流程为上电以及初始化的流程，时序图参见图6。

供电。推荐RESET_n和TEN信号保持在0.2VDD以下，其它的输入管脚可能为undefined状态。在稳压状态下，RESET_n必须低于0.2VDD，并保持最小200us，TEN必须低于0.2VDD并保持最少700us。在RESET_n释放之前，CKE必须为低。从300mV到VDD min的电源电压斜坡时间不能大于200ms；并在在斜坡时间之间，VDD >= VDDQ，且(VDD-VDDQ) < 0.3V。VPP需同时和VDD拉高，或早于VDD拉高，且在所有情况下，VPP电压值必须大于等于VDD。

VDD和VDDQ从同一电源接出来，并且

1. 除了VDD/VDDQ/VSS/VSSQ pin脚，其它pin脚的电源电压必须小于等于VDD和VDDQ，且必须大于等于VSS和VSSQ。另外，一旦电压稳定后，VTT被限制在最大为0.76V。

2. VrefCA = VDD/2

3. 在VDDQ之前或同时应用VDD，没有任何斜率反转。

4. 在VTT & VrefCA之前或同时应用VDDQ，没有任何斜率反转。

5. 在VDD之前或同时应用VPP，没有任何斜率反转。

6. 在VDD之前或同时应用VPP，没有任何斜率反转。

在RESET_n释放后，等待500us，CKE拉高。在此期间，DRAM将会启动内部的初始化，且不需要外部时钟参与。
在CKE拉高前，CK_t/CK_c必须保持稳定至少10ns或至少5个CK周期。由于CKE是一个同步信号，其对应的建立时间必须被满足（tIS）。同时，DES命令也必须在时刻Td处被寄存。一旦在复位之后CKE被拉高，则CKE必须被持续地拉高，直到初始化序列结束，此间也包括tDLLK和tZQinit的末尾。
在RESET_n有效期间，DDR4 SDRAM将其ODT（终端电阻）保持在高阻态。ODT pin脚在CKE拉高之前的tIS时间之前可以为0/1态，当CKE拉高，ODT pin可以静态地保持在高/低状态。假如MR1中的RTT_NOM被使能，则ODT必须为0。在所有情况下，直到上电初始化完成，包括tDLLK和tZQinit的末尾，ODT pin的输入电平一般保持不动。
CKE拉高后，发送MRS命令来加载模式寄存器前（mode register），等待tXPR时间（Reset CKE Exit time），其中tXPR = Max（tXS, 5nCK）。
发送MRS命令来加载MR3（为了使MRS命令指向MR3，需要令BG0=0，BA1-0 = 1）；
发送MRS命令加载MR6（BA0 = 0, BG0 = 1, BA1 = 1）;
发送MRS命令加载MR5（BA1 = 0; BG0 = 1, BA0 = 1）；
发送MRS命令加载MR4（BA1 = 0; BA0 = 0, BG0 = 1）；
发送MRS命令加载MR2（BG0 = 0, BA0 = 0, BA1 = 0）；
发送MRS命令加载MR1（BG0 = 0, BA1 = 0, BA0 = 1）；
发送MRS命令加载MR0（BG0 = 0, BA1 = 0, BA0 = 0）；
发送ZQCL命令开始ZQ校准。
等待tDLLK和tZQinit时长，注意，这两者时间有重叠。
流程结束，目前DDR4能够被用来后续的读写训练，包括Vref训练（参考电压训练）以及write leveling训练。

3.3.2 在上电初始化过程中VDD的转换速率要求

符号	最大值	最小值	单位
VDD_sl	0.004	600	V/ms
VDD_on		200	ms

3.3.3 在稳定电压下的复位初始化

图7显示了在无电源间断的情况下进行复位的时序图。

将RESET_n信号置为低于0.2VDD的电平。RESET_n需要保持最少tPW_RESET的时间。在RESET_n信号拉高之前，CKE必须保持为低至少10ns。
之后，参见3.3.2章节的上电初始化流程中的第2到10步骤。
复位流程结束，DDR4 SDRAM已经ready。

3.4 寄存器定义

3.4.1 对MR寄存器进行编程

为了更加灵活地应用，DDR4提供了7个模式寄存器（MR），用户可以利用MRS命令写入不同的值。根据功能和模式的不同，MR被分为了不同的域。由于并不是所有的MR都有默认值，所以MR寄存器必须被初始化（或者说被重新初始化），例如在上电完成后或复位完成后对MR寄存器进行写入。

当然，MR寄存器的值也可以在DDR4正常工作期间被修改。当对MR进行写入/修改时，即使用户只对MRS某些域进行写入，则所有的地址域都要被重新写入（例如对MR4的A1进行修改，不修改其它的值，但A2, A3...的值也会被写入，所以正确的做法是将其它的值保持与原来一样的值，并写入到MR4中）。MRS命令和DLL Reset并不影响DRAM中存储的内容，这意味着这些命令能够在上电后的任何时间/时刻处被执行（被发送）。不过，MRS命令只能在DRAM处于idle状态时被发送。

图8表明两个MRS命令发送的时序间隔。

有一些MR的设置影响了ADDR/CMD/control的输入功能，在此情况下，当当前MRS命令完成后，下一个MRS命令才会被允许发出。

在此情况下，MRS命令间的间隔时间并不是像图8上的tMRD时序，这些MRS命令间的间隔需要根据不同的功能描述来确定。

大多数MRS命令到Non-MRS命令（不是MRS命令的命令）间的间隔为tMOD，tMOD时间可以让DRAM来更新MR寄存器，准确来说应该是加载MR寄存器的内容，tMOD是MRS到non-MRS命令的最小时间要求（其中包括DES命令），如图9所示。

在某些MR setting的情况下，其function update需要更长的时间来更新（比tMOD时间更长）。在图9的NOTE2注释中，列出了不应用于除DES之外的下一个有效命令的MRS命令。这些MRS命令输入的情况具有独特的MR设置过程，因此请参考其对应的具体的功能描述。

上图中出现了ODT pin的改变，在做ODT时需要注意。其中，图10的NOTE2翻译如下：

DLL control for precharge power down, Additive latency and CAS read latency, DLL enable and disable, CAS write latency, CA Parity mode, Gear down mode等这些MRS命令会影响RTT_NOM的打开时序/关闭时序以及影响RTT_NOM的取值，这意味着MR寄存器的值被改变了。此时，在能够影响RTT_NOM开关时序或RTT_NOM值的MRS命令发送之前，ODT pin应该拉低至少DODTLoff + 1个时钟周期，并且在MRS发送后，持续tMOD时间后，ODT pin才能拉高。除了上述命令外，其它的MRS命令的发送并不需要将ODT pin拉低。

只要DRAM处于idle状态，在正常操作情况下，MR寄存器中的内容以及时序要求可以被改变。例如在所有bank处于precharge状态，且tRP时序满足，所有的数据突发传输已经完成，且在发送MRS命令前CKE已经拉高。

对于MRS命令来说，如果想改变RTT_NOM的功能（从enable到disable，或者从disable到enable），ODT pin必须在MRS命令发送前拉低。参见图10的NOTE2所述。在tMOD结束后，ODT pin拉高。如果在MRS命令之前或之后将RTT_NOM功能禁用，则MRS命令并不关心ODT pin的高低状态。（其实这段话和图10的NOTE2是一个意思）。