45纳米制程

45纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2007年后期，松下電器和英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品。

半导体器件制造
金屬氧化物半導體場效電晶體
10 µm – 1971 6 µm – 1974 3 µm – 1977  1.5 µm – 1981 1 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 90 nm – 2003 65 nm – 2005 45 nm – 2007 32 nm – 2009 22 nm – 2012 14 nm – 2014 10 nm – 2016 7 nm – 2018 5 nm – 2020 3 nm – 2022
未來 2 nm ~ 2024
晶體管數量 互補式金屬氧化物半導體 半导体器件（多閘極電晶體） 摩尔定律 晶體管數量 半导体 半导体产业 纳电子学

芯片制造厂商使用High-k材料来填充栅极，目的是为了减少漏电。至2007年，IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案。

2020年，華為擬在上海建設不使用美國技術的晶片工廠，預期工廠將從低端45納米晶片做起。

具有45纳米制程的产品

• 英特爾Core 2(僅限Penryn、Wolfdale、Yorkfield)
• 英特尔Core i7(Bloomfield、Lynnfield)
• 英特爾Nehalem處理器
• Xenon 用于Xbox 360 S model
• Wii U "Espresso" IBM CPU
• 富士通生產的SPARC64 VIIIfx CPU，用於與理化學研究所共同開發的超級電腦「京」

参考文献

1. ^  . [2016-11-05]. （原始内容存档于2007-10-26）.

先前 65纳米制程

半导体器件制造制程

其後 32纳米制程

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