零电压开关(ZVS)电路原理与设计(整理)

一、零电压开关(ZVS)应用背景
        零电压开关(Zero Voltage Switch),即开关管关断时,开关管导通时,其两端的电压已经为0。这样开关管的开关损耗可以降到最低。我们平时使用的电磁炉LLC电源都是这种谐振电源,普通的充电器等都是硬开关的,比这种谐振电源损耗要大些,所以ZVS可以做到很高效率,例如电磁炉,当我们把功率调到比较大时,为持续加热;当功率调的较小时,就开始断断续续加热,因为那个时候已经不能达到谐振状态了。像我们普通充电器那种硬开关的电源,不管空载和满载都是持续震荡的。但是零电压开关也有一个缺点,就是其调节范围一般都比较窄

二、零电压开关(ZVS)原理

        图2-1 零电压开关原理图(直流供能)

        图2-2 零电压开关波形图及其t2时刻波形图

1.上电时L1通入的电流为零,电源通过R1、R2是Q1、Q2导通,L1电流逐渐增加,由于两个开关管特性差异,将导致流入两个开关管的电流不同,假设Q1电流大于Q2电流,所以Q1栅极电压高于Q2栅极电压,通过两个二极管D1、D2,使得a点电压低于c点电压,故T1将产生b为正,a为负的感应电压,于是通过T1形成正反馈,使Q1导通,Q2截止。完成启动过程。

2.(t0~t1时间)稳态Q1导通时,由于上个周期T1电流为a到c,并且C1两端电压为零。由于电流不能突变,T1电流将对C1充电,C1逐渐为a负c正的电压,并且正弦变大,T1电流正弦变小。此时a电压被Q1下拉到0V,所以C点电压正弦变大,Q1栅极电压被D3稳压管钳位,Q1时钟保持导通。

        图2-3 (t0~t1)Q1导通,T1电流对C1充电

4.(t1~t2时间)C1开始通过T1由c到a放电,C1电压即c点电压正弦变小,T1电流由c到a正弦变大。


        图2-4 (t1~t2)C1对T1绕组放电,当C1电压为0左右时,Q1关断,Q2导通

5.(t2时间)当C1能力基本放完时,c点电压下降到MOS管阀值电压左右,将通过D2使Q1进入放大区。此时C1对T1绕组由c到a放电电流达到最大值。同时由于Q1进入放大区,a点电压逐渐上升,同时通过D1使Q2也进入放大区。

6.(t2时间)C1放电完毕,T1绕组由c到a电流达到最大值,将像C1充电,使C1充电为a正c负的电压,同时C1两端电压正弦变大。此时两个MOS管同时进入放大区。

7.(右图)由于T1对C1的持续充电,C1上电压为a正c负,通过两个二极管使Q2栅极电压升高,Q1栅极逐渐下降,同时正反馈形成,Q2导通,Q1截止。

8.Q2导通与Q1导通过程类似。
9.L1电感值比T1大,整个震荡周期中L1电流基本不变。震荡过程中L1持续为LC振荡器补充电能。

三、零电压开关(ZVS)计算

1.波形振幅计算
        由波形图可知L1下端b点的波形为正弦波的绝对值(即为下面降到的Vbm)。由稳态时电感两端电压积分为0,流过电容电流积分为0,可计算出b点电压振幅。

        设b点电压为,电源电压为Vcc,

        则L1两端电压为

        对L1两端电压积分计算得
        由波形图可知b点电压为a到c的电压的一半,所以a、c两端的电压即C1端电压为*2,即为重点记忆)。

2.电感电流计算
        知道了电容C1两端的电压,就可以根据电容能量公式和电感能量公式来计算出电感最大峰值电流为:,其中L为a到c的电感值。

        可见C越大,L越小,通过电感L的电流就越大,大的C和小的L,将导致很大的电流通过电感L,会产生强大磁场,电磁感应加热由此而生。不过通过电感L的电流过大,需要考虑其电阻上面的损耗。同时流过C的最大电流等于电感最大电流,选择谐振电容时需要考虑电容的最大电流参数。

3.计算振荡频率

        该谐振属于LC并联谐振,所以谐振频率为

4.电感L1上交流峰值计算
        L1电感值较大时,流过的电流基本为直流,其电流为补偿振荡所损失的能量。由于b点的振幅已知,就可以计算出L1在一个振荡周期中的交流峰值电流了(其实际峰值电流为直流电流+交流峰值电流)

        Vb电压等于Vcc的时间t:

        于是对电压积分就可以计算出流过L1电流峰值:
        过小的L1会导致其电流峰值很大,导致不必要的损耗


内容来源:http://forum.eepw.com.cn/thread/245105/1

ZVS即所谓零电压开关ZVS)/零电流开关(ZCS)技术,或称软开关技术,小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理: 1. 上电瞬间,电源电压流经R1,R2,经过ZD1,ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1,MOS2的GS极,因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性(例如:MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等),导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3》IL2。因为L2,L3是在同一磁芯上绕制,本身存在磁耦合,所以,对磁芯的励磁电流为IL2,IL3之和。之前提到IL3》IL2,而且从抽头看去,IL2,IL3的电流方向相反,所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用(有一部分抵消掉L2的励磁)。明白这点以后,继续往下分析。 3. 见图1,在上电瞬间,L2,L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示,因为具有相同的磁路,Ip1将在L2上产生一个互感电流,图中用蓝色线条表示,L2 L3C1构成并联谐振,这个互感电流的方向同IL2相反,如此正反馈造成的结果是IL2越来越小,最终可单纯看做只有L3参励磁。 4. 此同时,B点电压升高,D1截止,C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小,A点近似接地,D2导通,将D点电位强行拉低至0.7V左右,MOS1失去VGS而截止。 5. 随着时间推移,L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和,大家注意,此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0,MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻,瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上,使A点电位瞬间升高,D2截止,D点电位恢复至12V,MOS1获得VGS而导通(在VDS=0的情况下导通,故称ZVS)。继而B点近似接地,C点电压降到0.7V,MOS2截止,MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转,重复第4过程。 6. 整个过程中,翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2 L3共同决定,因为有C1构成谐振,初级电压波形呈完美正弦波,谐波分量大大减小,漏感的影响不复存在,因此变比等于匝比。L1为扼流电感,利用电感电流的不可突变特性,保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时,电路空载电流会增大,而且MOS管发热严重的原因。 因为利用了磁饱和原理,所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱和临界点之间,磁芯的储能作用得以最大发挥,传递功率相当大。
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