开关电源环路笔记(10)-TL431及光耦传递函数的推导
上节我们说了下扯了扯TL431的内部电路图，讲了跟硬件设计没太大关系的内容，这节来说点相对有用的。
目的
如何求出从TL431到光耦的传递函数？
下图是反激的TL431的典型电路，我们的目标就是求出传递函数Vout (s)/Verr(s)。
相关器件的处理过程
TL431的处理
求解的第一个问题就是那个TL431不好处理，不是很好下手，它不是我们熟知的运算放大器，也不是跨导放大器（有些地方说是可以看成跨导放大器，但我觉得看成跨导放大器也不好计算吧），那怎么办呢？
我们看下TL431等效电路，翻开TL431的手册，下图是Ti 的TL431手册中的等效电路图：
等效电路可看作是两级放大，第一级为运放，第二级为三极管放大。准确的说，第二级是三极管放大，不过集电极需要上拉到电源才能放大，好在我们的电路就是通过电阻和光耦的发光二极管上拉到电源。
如果理解为两级放大，那就就简单了，我们把它合并为一级就好了，当然两级增益会较一级更大，不过不影响，第一级都能看成理想运放了（增益无穷），两级增益更大，一样看成是无穷就好。
不过需要注意，第一级放大是同相放大器，输入增大，输出也增大；第二级的三极管放大，信号是反相的，基极B电压增大，会导致集电极输出电压减小，信号反相。所以两级合并之后，变成了反相放大器，REF接的是负相端“-”。
想想，输入电压REF增大，第一级运放输出也会增大，输入到三极管的基极B，集电极C电压会减小，是不是这样？
所以，我们可以把TL431进一步等效为我们熟悉的运放了，就是下面的东东：
整体等效后的电路：
光耦处理
处理完LT431，还有光耦，其实光耦不用处理，因为当其工作在线性区的时候，总会有一个公式成立，那就是光耦的电流传输比CTR：
我们只需要计算出光耦发光管的电流IF，然后就能根据电流传输比CTR（光耦手册一般有标注），得到光敏晶体管端的电流Ic，然后乘以电阻，就可以得到output的电压了。
PC817的CTR：
但是问题又来了，IF如何得到呢？发光二极管本身的电压和电流是非线性的，那怎么办呢？
二极管导通时，其可用一个电压源Vf和动态电阻Rd来表示，Vf即二极管的导通压降。
然后我们结合实际的情况，二极管的Rd一般都比较小，以PC817为例，下图是PC817的发光二极管的曲线。
我们从曲线上非常粗糙的得到Rd=12.5Ω，这是一个非常糙的值，虽然不准，但是我们可以知道它的量级是几十欧姆，比较小。另外一方面，Rled和Rbias的值一般都是kΩ级别的，因此Rd相对于它俩来说可以忽略掉。
因此，为了简单，我们分析这个电路的时候，完全可以认为二极管两端电压恒定不变，等效为一个电压源，即为Vf不变。
上面说得有点啰嗦，其实主要是为了说明道理。另外一方面，如果二极管的偏置电流比较小，那么Rd会比较大（从上图可以看到，当电流小，伏安特性曲线的切线斜率会小，即Rd会比较大），还是忽略Rd的话，计算可能就不是很准确。关于这个，具体细节就不深究了，如果感兴趣，完全可以不忽略Rd进行计算，计算方法都是一样的，我写这个的目的也不是为了给出一个电路的计算结果，而是希望通过这样一个例子，让兄弟们知道这种电路该咋搞。
下面来看看具体计算过程。
计算过程
有了上面的分析，我们可以把原来的电路等效为下图，现在所有的器件都是我们熟知的器件，计算出传递函数应该就不在话下了。
传递函数计算过程如下：
1、电路稳定后，当Vout增加了△Vo
2、根据运放的“虚短”，负相端电压为2.5V不变，那么R1增加的电流为：△Vo/R1
3、负相端电压2.5V不变，那么Rlower的电流不会有变化；同时根据运放的“虚断”，负相端节点电流一直为0，即不会变化；根据运放的负相端节点电流总和为0，那么R1增加的电流是从Zc流过，即Zc的电流增加量也为：△Vo/R1。
4、Zc电流增加了△Vo/R1，那么意味着Zc两端电压增加了：△Vo*Zc/R1，而Zc右边电压为2.5V不变，那么只有可能是Zc左边的电压发生了变化，变化量为：-△Vo*Zc/R1。因为Zc的电流是往左增大，所以Zc左边的电压是减小的，所以加了一个负号。
5、Zc左边的电压，也就是放大器的输出电压，即放大器输出端电压增加了：-△Vo*Zc/R1。
6、运放输出端电压增加了-△Vo*Zc/R1，Rbias两端电压为VF不变，那么RLed下端的电压也就增加了-△Vo*Zc/R1，而Rled上端电压增加了△Vo，因此，RLed两端电压增加了：△Vo-(-△Vo*Zc/R1)=(1+Zc/R1)*△Vo
7、知道了Rled的电压增量，那么Rled的电流增量为：(1+Zc/R1)*△Vo/Rled
8、又因为Vf恒定不变，那么Rbias的电流恒定不变，所以Rled的电流增量全部流过二极管。即二极管的电流增量为：△If= (1+Zc/R1)*△Vo/Rled
9、二极管电流增量为△If，那么光耦的晶体管电流增量为：△Ic=CTR*△If= CTR* (1+Zc/R1)*△Vo/Rled
10、Rpullup的电流增量也为△Ic，那么Rpullup两端的电压增量为△Ic*Rpullup，这个电压增量也就是Verr的电压减小量，所以△Verr=- CTR* (1+Zc/R1)*△Vo*Rpullup/Rled，我们把公式变换下，即：△Verr/△Vo=- CTR* (1+Zc/R1) *Rpullup/Rled，至此，我们的传递函数就求出来了。
小结
本小结详细说明了TL431，光耦，在计算传递函数时的处理方法，目的在于知道方法，不在于记住一个电路的具体公式。
以上纯属个人想法，不一定对，有问题可以留言交流。
开关电源环路笔记(9)-TL431稳压是如何做到和温度基本无关的
收录于合集#开关电源环路12个
好久没更新开关电源环路笔记了，最近本想重新捡起来，就想看看TL431这个器件。不过过程中对TL431稳压的原理产生了兴趣（问题）。
我的问题
我想到主要的两个问题：
1、2.5V是如何产生的？
2、如何做到2.5V在全温度下都是基本是稳定的？即温漂很小？
以下是TI的TL431规格书手册的温漂：
可以看到，电压非常准，偏差是±12mV，如果按照百分比来，电压精度就是12mV/2.5V=0.48%。
同样的，温漂最大是34mV，同样，如果按照百分比来看，温漂就是34mV/2.5V=1.3%。
在去查东西之前呢，我个人能想到与电源电压无关的比较准的电压就是二极管的导通电压或者三极管的Vbe了，导通后大概是0.6V~0.7V左右，不过我知道，这个受温度影响比较大。比如下图是MMBT3904的Vbe电压与温度的关系。
可以看到，25℃时Vbe是0.6V左右，-40℃时Vbe是0.75V左右，125℃时Vbe是0.4V。如果算成百分比，最大温漂（相对25℃）出现在125℃，温漂为：(0.4-0.6)/0.6=33%，这个温漂就非常大了。
另外一方面，我们经常在一些芯片中看到电压基准源，比如DC-DC芯片的FB管脚，这个显然是一个基准源，而且要比较准才行。
那么这些基准源是如何实现的呢？
TL431的内部框图
基准源应该属于IC设计的内容，处于我知识边界之外的内容，不过温漂还是专门去看了看，感觉倒是明白了些。
上图是TI的TL431的内部框图，主要有两个方面的内容可能看不大懂：
1、电流镜
2、带隙基准
要明白TL431的工作原理，只要把这两个东西搞清楚了，应该就差不多了，先来看电流镜。
电流镜
电流镜相对来说比较简单，大学里第一本教材——模电就有，带着兄弟们复习下：
简单说，就是这两个三极管的特性参数一样，然后两个管子的Vbe又一样，那么Ic就一样，当Ib相对Ic很小，可以忽略的话，那么IC1=IR，即IC1是IR的复制。
以上是由NPN管构成的电流镜，TL431是PNP构成的电流镜，道理差不多。
Q1将c和b接到了一起，这样Vce1和Vbe1相等，所以这个Q1肯定是工作在了放大状态，这个是前提。
然后Q1，Q2的b极接到了一起，那么有I1*R+Vbe1=I2*R+Vbe2。变换下：(I1-I2)*R=Vbe2-Vbe1。
又因为Vbe越大，I越大。
如果I1>I2，那么有Vbe1>Vbe2，上面的等式左边大于0，右边小于0，不可能成立，所以，假如不成立，即I1不能大于于I2。
同理，如果I1<I2，那么有Vbe1<Vbe2，上面等式左边小于0，右边大于0，等式依然不可能成立，所有I1不能小于I2。
所以最终的结果一定是I1=I2，即实现了电流镜像。
带隙基准
带隙基准，英文Bandgap voltage reference，常常有人简单地称它为Bandgap。最经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准。
问题的关键是获得正温度系数电压，负温度系数电压，然后想办法让二者相消，这样就跟温度无关了。下面具体看TL431是如何做到这一点的。
TL431如何获得稳定的REF
为了简化，假设TL431中的晶体的β都非常高，即基极电流Ib都可以忽略。
根据前面的分析，Q1和Q2是电流镜，因此它们流过的电流相等，用符号I表示。因为图中所有基极电流都忽略，那么Q2和Q4电流相等，Q1和Q3电流相等，即Q4和Q3的电流也是I。
这里要插一条，那就是上面图中的三极管，它们并不都是一样的，像Q5和Q6，它们的发射极尺寸就是故意做得比别的三极管要大，如果别的尺寸是S，那么Q5的尺寸就是3S，Q6的尺寸是6S。这个尺寸比例是有妙用的。关于这个尺寸，我是在《开关电源控制环路设计---克里斯多夫*巴索》这本书里面看到的，里面有讲这部分内容。
根据发射极的面积参数，Q5的面积为3S，Q6的面积为6S，那么Q5等效为3个三极管并联，Q6等效为6个三极管并联。
根据等效，就有了Q6的饱和电流为Q5的2倍，即Is6=2*Is5。
除此之外，Q4的Vbe和Q5的Vbe相等（Ib=0，所以Q4的b极串联电阻不产生压降）。既然Q5等效为3个三极管并联，而Q5的Vbe和Q4的Vbe又相等，那么Q5的电流就是Q4的3倍，又因为Q4电流为I，那么Q5电流为3I。
因为Q4和Q3的电流相等，所以Vbe4=Vbe3。又因为Vbe4=Vbe5，而Vbe5=Vce5，所以Vce5=Vbe3。因为Q5和Q3的e极都接地，Q5的c极接到了2.4K电阻下端，Q3的b极接到了7.2K电阻的下端，而这两个电阻的另外一端是接到一起的，也就是说2.4K电阻和7.2K电阻两端的电压相等。而电阻阻值比7.2K/2.4K=3，所以流过2.4K电阻的电流是7.2K电阻电流的3倍。2.4K电阻的电流与Q5电流相等，为3I，那么流过7.2K电阻的电流为I，7.2K电阻电流又等于Q6的电流，所以Q6的电流为I。
至此，我们已经把图中两个关键管子的电流都求出来了：
IQ6=I
IQ5=3I
也有了公式：
Is6=2*Is5
现在还缺一个，那就是三极管Vbe与Ic的关系，根据半导体公式（可以去查查半导体物理教材）：Vbe=Vt*ln(Ic/Is)。
其中Is就是晶体管的饱和电流；Vt=kT/q,在室温25℃下，Vt≈26mV；k为玻尔兹曼常数，q为电子电荷。
我们根据上面这些式子，就可以求出电流I=Vt*ln6/R，详细计算过程如下：
电流I的表达式已经出来了，那么Vref又是多少呢？
显然，Vref的电压等于Q7的Vbe，加上R1和R3的压降，再加上Q5的Vbe，它们之间的和就是Vref。
Vref的表达式已经求出来了，那么它是跟温度无关的吗？
如上图，简单来说，TL431就是利用负温度系数的Vbe，与正温度系数的Vt，使用电阻配好相关系数，实现正负相消，做到与温度基本无关的。当然了，负温度系数只是说跟温度负相关，并非就是线性的，正温度系数也一样，所以只能说是基本无关，并不会做到绝对无关。
接下来计算下Vref具体是多少。既然跟温度基本无关，那么就看看25℃下Vref是多少吧。
25℃时，Vt≈26mV，从电路图中知道，R3=3.28K，R1=2.4K，因为不知道三极管具体的工艺，所以不知道Vbe7和Vbe5具体是多少。不过结合经验，既然工作在放大区，取值Vbe=0.65V不过份吧。
计算得：
Vref=0.65V+0.65V+(4*3280+3*2400)*ln6/800*26mV=2.483V，离标称的2.5V相去不远，差值应该还是Vbe取得比较草率。
我们也可以看看I等于多少。
I=Vt*ln6/R=58.23uA
这个I我们能想到什么呢？
我们到目前为止，都没有涉及到TL431的两端电压，也就是说这个电流是和Cathode，Anode两端电压无关。
另一方面，只要TL431在正常工作，那么就需要这个静态电流I，从上图可以看出来，总共要3条支路，加起来电流为：
4I+I+I=6I=6*58.23uA=349.38uA。
这个应该是它工作的IKa的最小值，我们可以找规格书手册验证下。
手册标注如下：
可以看到，手册中标准的Imin为0.4mA，跟前面算得的349.38uA非常的接近，考虑到我们的计算没有考虑右边的两个三极管的电流，分析应该大体是不差的。
想比到这里，对于TL431为什么有个静态工作电流应该有更深入的了解了吧。
仿真验证
本来到这里，文章差不多结束了，不过我还是用LTspice仿真了下，毕竟接好电路运行下倒也不费什么时间，还可以看看电路的细节。
另外我在仿真过程中，刚开始是直接按照TL431手册里面的图纸画的电路，没有给REF管脚用两个电阻分压，结果就工作不起来，这让我对Iref必须输入个电流加深了印象。2023.11.29
从手册中知道，Iref的电流大概是2uA左右，这个电流也是TL431工作的条件，不然无法工作2023.11.29，另外，精准的稳压公式Vka如上图所示。因此R1/R2不能选得太大，选得太大可能会提供不了足够的Iref。.
另一方面，我们计算的时候经常舍去Iref*R1这一项，如果R1过大，会造成这一项比较大，最终的结果就是实际稳压的结果跟计算的结果不一致。
电路中带隙基准的三极管是分别用3个三极管和6个三极管并联来实现的，用的是库里面自带的2N3904
运行结果如下：
Vref=2.3745V，相比目标2.5V，差了123mV，我想这应该是实际TL431里面的Vbe与2N3904的Vbe的差别导致的。
温度也扫描了下：
可以看到，从-40℃到125℃，电压变化量为2.388-2.361=27mV，是比较小的。
小结
作为硬件工程师，本节内容其实不知道也没什么太大的关系，我只是自己看了相关内容就写下来了，希望不要吓到刚入门硬件的兄弟。
下面对内容做个小结。
1、工作原理
TL431通过带隙基准和电流镜，实现与温度基本无关的基准电压Vref，在REF=2.5V时整个电路达到平衡。
REF同时也是输入端，当施加在REF上面的电压发生改变，比如Vref增加，那么就会打破平衡，导致平衡点的电压升高，放大器对地下拉更多的电流，让Cathode电压降低，直到Vref重新等于（需要TL431外部让K和REF闭环，通过电阻电容等）2.5V，再次达到平衡。2023.11.29
2、静态电流Ika，Iref电流
TL431工作时，k，a两级之间需要静态电流，1mA左右。同时Ref端也需要一个输入Iref电流，大概在2uA左右，这些在对应手册中都会标注。为了保证正常工作，相关的限流电阻，分压电阻的取值需要注意。
3、相关资料下载
文章中的仿真源文件，还有一些参考资料，放置在了网盘，在我的微信公众号“硬件工程师炼成之路”后台回复“炼成之路”，就可以下载了，放置在了：电源——TL431文件夹里面了。
4、带隙基准
关于带隙基准，其实有非常多的电路，也属实是一门学问，我也是刚了解点皮毛，想要学习这个的兄弟们，我就把我看过的东西贴出来吧：
a、简单了解是啥可以看下这个：
https://zhuanlan.zhihu.com/p/444500447
b、想稍微系统的看下，可以看这个系列视频（有点长）
https://www.bilibili.com/video/BV1SY4y1a7oD/?spm_id_from=333.999.section.playall&vd_source=a559f135e6f1797789dd00a1ed110061
c、参考资料《TL431中基准补偿电路》—也一起放到了网盘，下载方式同上。
5、参考
---《开关电源控制环路设计（克里斯多夫-巴索）》
其实最开始我写这个，主要源于看到这本书，里面专门花了一大章讲了TL431的，还是挺不错的。但是关于带隙基准的部分没讲，导致我就一直模模糊糊不是太明白，于是我不高兴了，就去查了查，这才有了这一节内容。
关于开关电源控制环路设计
TL431同相端输入的负反馈，信号误差放大器原理分析：
431稳压原理好像也是同相端负反馈控制运放输出高低电瓶切换，进而控制三极管通断周而复始稳压
负反馈，并不一定把反相端和输出连接，只要整体环路能够成负反馈就行（TL431内部运放HE S和三极管的反馈和TL431，光耦，UC3842和最终输出电压以及分压进入TL431形成的外部整体反馈）。例如tl431
开关电源中431同相参考端和输出连电阻电容，形成TL431内部运放和三极管的反馈通道也是和2.5伏稳压原理相同。至于电容则类比运放积分电路，还有二阶的，对小信号利用电容充电微分特性进行分析
电容容量值决定运放能通过的频率范围，高低通带宽滤波器的原理
普通运放和参考电压形成的反馈通道微调下臂电阻可以控制最终输出电压的原理：下臂电阻Rf1改变后，引起反相端电压变化，而为了使反相端和正相端电压相等，闭环反馈会不断调节输出电压的值，使的Rf1上的电压和正相端参考电压相等，达到最后的平衡
TL431也类似的，只是Rf1接入的TL431内部的同相端，（但是也形成的负反馈，因为同相端电压增大，输出端电压就变下，反之则输出端电压增大，所以也是负反馈）
TL431是一种可控精密稳压源，可以用两个电阻设置输出电压，范围从基准电压Vref（2.5V）到36V。它的典型动态阻抗为0.2Ω，可以代替稳压二极管在数字电压表、运放电路、可调压电源、开关电源等应用中使用1。其工作原理是：当输出电压Vo上升时，取样电压Vr也随着升高，这使得取样电压大于基准电压Vref，误差放大器输出升高致使晶体管Q1导通，集电极电位下降，输出电压Vo也下降2。在电路中，当R1和R2的阻值确定时，两者对V0的分压引入反馈，若V0增大，反馈量增大，TL431的分流也就增加，从而又导致V0下降。这个深度的负反馈电路必然在REF端的电压等于基准电压处稳定，此时V0=(1+R1/R2)Vref。选择不同的R1和R2的值可以得到从2.5V到36V范围内的任意电压输出，特别地，当R1=R2时，V0=5V3。需要注意的是，在选择电阻时必须保证TL431工作的必要条件，就是通过阴极的电流要大于1mA。因其拥有优越的性能、价格低，TL431被广泛应用在各种电源电路中
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