电路学习——开关电源TL431（2024.07.21）

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已于 2024-08-30 14:34:12 修改

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分类专栏：电路学习文章标签：学习

于 2024-07-26 14:53:30 首次发布

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参考链接1: 【硬件学习笔记003】玩转电压基准芯片：TL431及其他常用电压基准芯片
参考链接2: TL431工作原理、经典应用电路、输出产生真的的原因分析
参考链接3: 如何确定开关电源TL431反馈回路的参数
参考链接4: 反激电源——TL431及光耦反馈电路计算（不涉及环路补偿）

在此感谢各位前辈大佬的总结，写这个只是为了记录学习大佬资料的过程，内容基本都是搬运的大佬博客，觉着有用自己搞过来自己记一下，如果有大佬觉着我搬过来不好，联系我删。

1、TL431内部结构

TL431规格书链接

TL431三个引脚分别为：阴极(CATHODE)、阳极(ANODE)和参考端(REF)，参考电压为2.5V。
在这里插入图片描述
下图为内部原理图（ANODE为阳极，CATHODE为阴极），由一个2.5V的精密基准电压源、一个电压比较器和一输出开关管等组成，参考端的输出电压与精密基准电压源Vref相比较，当参考端电压超过2.5V时，TL431立即导通。需要深入研究的可以分析下，这里暂时就不分析了，我只是需要会用就ok了。
在这里插入图片描述

2、TL431参数介绍

通过手册可以得知TL431以下参数：
在这里插入图片描述

TL431应满足正常的运行条件，电压K极电压不得高于36V，正常工作电流不得小于1mA，不得高于36V。
在具有足够电压余量 ( $\geq 2.5 V$ ) 和阴极电流 ( $I_{KA}$ ) 的情况下，TL431 会强行将基准引脚的电压控制在2.5V。但是，基准引脚不能悬空，因为它需要 IREF ≥ 4µA，这是因为基准引脚会被驱动到 NPN中，后者要有基极电流才能正常工作。

3、开关电源中TL431各部分参数取值计算

TL431以及光耦电路是反激的副边反馈类型电路中的常见应用，这里先贴一个原理图：
在这里插入图片描述
其反馈工作原理为：当副边的输出电压升高时，TL431的REF点采样电压也会升高（因为R1、R2值是确定的，电压升高，REF处的电压也会随之升高），使得TL431的导通量增加，同时光耦内部的发光二极管流过的电流也增大，进而使得光耦三极管导通量增加，与之相连的电源IC电压反馈引脚VFB电压降低，经过IC内部的逻辑控制，使控制开关MOS的引脚输出占空比降低，输出电压也就降低了。反之，当副边输出电压降低，其工作原理相反。

3.1、 $R_2$ 取值

查询TL431规格书：

在这里插入图片描述
可以看到基准输入电流范围为2~4μA，这里我们取3μA进行计算，采样电阻上的电流是基准电流的至少100倍，这样才不会影响采样电阻上的电压，所以有：
$\frac{2.5V}{R_2}≥100*3μA$
可以计算出 $R_2≤\frac{2.5V}{100*3μA}$ 即 $R_2≤8.33kΩ$ ；
这里我们 $R_2$ 取4.7 $k Ω$ ，假设输出电压 $V_o=5V$ ，那么根据手册中
在这里插入图片描述
计算出 $R_1$ 取4.7 $k Ω$ （这里因为公式后半部分+的太小，所以通常计算时候都忽略了）

3.2、 $R_{bias}$ 取值

TL431是一个芯片， $R_{bias}$ 是为TL431提供死区电流而设计的。虽然还有光耦那一路在给TL431供电，但光耦也有电流很小的时候，所以 $R_{bias}$ 必须在光耦电流接近为0时，还能为431正常供电。
光耦的发光二极管压降一般为1.2V左右（具体以光耦规格书为准），由于在极限时光耦的电流接近0，所以 $R_D$ 上基本无压降，则 $R_{bias}$ 两端压降也为1.2V。下图数据手册中可以得知 $I_{KA}$ =1~100mA；
在这里插入图片描述
$\frac{1.2V}{R_{bias}}≥1mA$ 即 $R_{bias}≤\frac{1.2V}{1mA}$ 即 $R_{bias}≤1.2kΩ$ ，一般取几百欧姆至 $1 k Ω$ （一般取 $470Ω$ 或 $1 k Ω$ ）较为常见；

3.3、 $R_D$ 取值

$R_D$ 取值要从芯片端开始说起，这里我们以常见电源芯片UC3842为例，芯片的第1脚，在内部由一个1mA的电流源，所以为了保证其工作，则光耦的光敏三极管端至少可以达到1mA，如果达不到1mA就有可能出问题。
在这里插入图片描述
在计算前，我们先看光耦规格书的一些参数——传输比：

假设，选的是EL817A的光耦，传输比为 $0.8 - 1.6$ ，光敏三极管端流 $1 m A$ 时，则发光二极管端需要流过 $1 m A /0.8 = 1.25 m A$ 。注意这个 $1.25 m A$ ，是在极限的时候能达到 $1.25 m A$ ，也就是在TL431的KA极两端电压为 $2.5 V$ 时，光耦流过 $1.25 m A$ 。【REF极的电压越高则TL431 $V_{KA}$ 的阻抗越小（也就是KA两端电压越低）； $V_{KA}$ 两极电压，不会低于内部基准 $V_{ref}$ ，也就是最低时为 $2.5 V$ 】
$\frac{5V-1.1V-2.5V}{R_D}≥1.25mA$ $R_D≤\frac{5V-1.1V-2.5V}{1.25mA}$ 即 $R_D≤1.12kΩ$
从下图光耦的规格书中我们可以知道，光耦最大可以流过的电流只有60mA：

在这里插入图片描述
因为输出 $V_O=5V$ ，那么 $V_O’=5V+$ ，这里取 $5.3 V$ ，根据TL431内部框图，CATHODE与REF相差一个PN节（三极管饱和时，CATHODE比REF高0.7V，这里0.7V是指硅管），当开关电源工作时，CATHODE比REF至少大0.7V，根据经验取1.5V——1.7V，即 $V_K$ 端比 $V_{REF}$ 端电压高1.5V至1.7V，因为 $V_{REF}=2.5V$ ，所以 $V_K$ =2.5V+1.5V至1.7V=4V至4.2V。
在这里插入图片描述
通过查看光耦规格书，可以了解到 $V_F$ =1.2V至1.4V，这样通过 $V_K$ 求出 $V_{光耦发光二极管阳极}=4V至4.2V+1.2V至1.4V=5.2V至5.6V$ 。

$\frac{5V-1.2V-2.5V}{R_D}≤60mA$ $R_D≥\frac{5V-1.2V-2.5V}{60mA}$ 即 $R_D≥21.6667Ω$

综上所述： $21.6667Ω≤R_D≤1.12kΩ$

3.4、 $R_1$ 取值

从下图光假设输出电压 $V_O=5V$ ，因为 $V_{REF}=2.5V$ ，所以根据分压原理，可求出 $R_1$ 的值：
$R_{REF}=\frac{R_1}{R_1+R_2}*V_O$ 所以有 $R_1=\frac{R_O*R_2}{V_{REF}}-R_2$ 即 $R_1=\frac{5V*4.7kΩ}{2.5V}-4.7kΩ=4.7kΩ$

3.5、 $R_F$ 、 $C_F$ 取值

有的电路设计中为提升低频增益，用一个电阻和一个电容串接于TL431控制端和输出端，来压制低频（100Hz）纹波和提高输出调整率，即静态误差，目的就是提升相位，要放在带宽频率的前面来增加相位裕度，具体位置要看其余功率部分在设计带宽处的相位是多少，电阻和电容的频率越低，其提升的相位越高，当然最大只有90 度，但其频率很低时低频增益也会减低，一般放在带宽的1/5 初，约提升相位78 度。根据计算，一般选用104电容或104电容与1K电阻串联。（具体计算比较复杂）
一般选用104电容或104电容与1K电阻串联。