1200V GaN HEMT 在科技前沿的征途上

在科技前沿的征途上，弗劳恩霍夫国际应用科学院（Fraunhofer IAF）正全力推进一项激动人心的研究——开发1200V GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。这一突破性的研发工作，旨在探寻能够替代SiC MOSFET（硅碳化物金属氧化物半导体场效应晶体管）的更经济高效的解决方案。

在盛大的PCIM欧洲展上，弗劳恩霍夫应用固态物理研究所IAF的科研人员自豪地展示了他们的研究成果。这款新型的GaN HEMT，其阻断电压高达1200V以上，堪称电力电子领域的翘楚，尤其适用于电动汽车双向充电等前沿应用场景。

弗劳恩霍夫的研究团队不仅止步于此，他们还在探索多种创新方法以推动GaN技术的进一步发展。一方面，他们在硅基板上精心加工GaN HEMT，实现了GaN-on-Si HEMT的商业化应用。尽管受限于GaN层的厚度，其阻断电压目前尚停留在650V，但研究团队通过不断优化材料及其加工技术，已成功将静态阻断电压提升至超过1200V，展现了巨大的潜力。

另一方面，研究团队还尝试采用高绝缘载体基板，如蓝宝石、SiC或GaN等，以替代传统的导电Si基板。这一创新举措几乎消除了电压限制，为GaN HEMT的发展开辟了新的道路。基于LED应用的相关初步工作，横向GaN-on-sapphire HEMT的制造已变得经济高效，并可在现有生产线上实现量产。

此外，弗劳恩霍夫IAF的研究人员还在积极探索垂直GaN技术。这种技术使得电流能够垂直流过材料层，从而实现更高的效率和集成能力，为电力电子系统带来前所未有的性能提升。展望未来十年，研究团队有信心制造出适合工业使用的垂直GaN功率IC，为电力电子领域注入新的活力。

总之，弗劳恩霍夫国际应用科学院在GaN HEMT的研发领域取得了令人瞩目的成果，不仅为电动汽车双向充电等应用提供了更经济高效的解决方案，还为整个电力电子行业的发展注入了新的动力。随着研究的深入和技术的不断进步，我们有理由相信，未来的电力电子系统将更加高效、智能和可靠。

​永霖光电-UVSIS-UVLED紫外线应用专家-独家发布