爱思强通过先进的 MOCVD 系统支持美国大学

 

AIXTRON SE 宣布，它将向德克萨斯大学奥斯汀分校的微电子中心 (MRC) 电气和计算机工程系提供新的 AIXTRON 紧密耦合喷头 (CCS) 沉积系统。

最先进的 MOCVD 沉积工具经过特殊配置，可提供双重材料能力，即氧化镓 (Ga2O3) 和氮化镓 (GaN) 基材料。这两种材料都符合宽带隙和超宽带隙材料的要求——氧化镓及其合金可以在比现有半导体材料更高的电压、频率和温度下工作。这些特性在光电二极管和电源开关领域开辟了新的应用。

“过去，我们在使用 AIXTRON CCS 反应器处理 GaAs 和 InP 材料方面拥有丰富的经验。我们期待与 Aixtron 合作，因为我们使用这种灵活的系统来开发新颖的外延层和器件，用于双材料 Ga2O3 和 GaN，”德克萨斯大学奥斯汀分校电气与计算机工程系特聘教授李秀玲教授说，也是 IEEE 研究员。 “这种用于生长氧化镓和 III 族氮化物的独特 MOCVD 反应器将使德克萨斯大学处于该领域研究的前沿，”讲座教授兼 MRC 主任 Sanjay Banerjee 教授说。

AIXTRON MOCVD 系统可以轻松地从氧化镓模式切换到氮化镓模式，从而实现系统安全、完美地运行。 MOCVD 工具的核心是先进的三室喷头，使氧化材料与金属有机物和气体前体完全分离，直到注入工艺室。该系统通过整个基座的 ARGUS 全温度映射确保高度的热均匀性，并且它的尺寸非常适合高端研究和开发——学术机构以及创新型私营企业。

“我们为再次与李教授和这样一所著名的美国大学建立合作伙伴关系感到自豪。我们的 CCS MOCVD 工具在支持学术工作和后来扩展到一级工业参与者方面有着出色的记录，我们非常高兴看到氧化镓在下一代功率器件方面取得进展”，AIXTRON 首席执行官兼总裁 Felix Grawert 博士说东南。

永霖光电-UVSIS-独家发布