用于倒装芯片 LED 的热稳定 Ag 反射镜

 

WHU团队通过提高高温退火下Ag镜的热稳定性来提高倒装芯片LED的性能

中国武汉大学的研究人员报告了通过控制热应力分布来抑制 Ag 团聚并提高大功率倒装芯片发光二极管 (FCLED) 的光电性能。 “我们通过模拟和实验揭示了由于高温退火导致芯片边缘出现Ag团聚的机制。 此外，我们提出了一种通过调整TiW扩散阻挡层厚度来控制应力分布的策略，有效解决了Ag团聚问题，提升了大功率FCLED的性能。” 负责这项研究的周胜军说。

GaN基LED以其优异的光电性能、低功耗和长工作寿命等优点，一直受到工业界和学术界的高度关注。 在不同的 LED 芯片配置中，倒装芯片技术在照明应用中展示了几个独特的优势，包括更高的光提取效率和更好的散热。 实现具有较低比接触电阻和较高光反射率的 p 型欧姆接触对于提高 FCLED 的光电性能至关重要。 Ag 具有低电阻率、高导热性和高光反射率，是反射欧姆接触层的理想选择。 然而，Ag薄膜在退火过程中容易发生团聚，导致FCLED的性能和可靠性下降，长期以来制约了FCLED的发展。

研究人员通过对芯片在高温退火过程中的应力分布进行建模，揭示了 Ag 团聚边缘集中的潜在机制。 他们提出了一种实用的策略，通过调整 TiW 扩散阻挡层的厚度来控制热应力分布。 此外，通过在 Ag 和 p-GaN 之间插入 ITO 层作为接触层，可以获得较低的接触电阻率。 优化后的 FCLED 在 350 mA 的注入电流下，正向电压下降了 0.17 V，光输出功率提高了约 3%。 该研究对于提高大功率FCLED的性能，促进其在固态照明、汽车前照灯等领域的应用具有重要价值。

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