印度团队自制GaN功率开关

印度科学研究所 (IISc) 的研究人员开发了一种国产 GaN 电源开关，该开关可在电动汽车和笔记本电脑的电源转换器以及无线通信等系统中具有潜在的应用。 构建开关的整个过程——从材料生长到器件制造再到封装——都是在 IISc 纳米科学与工程中心 (CeNSE) 内部开发的。

CeNSE 副教授、《微电子工程》杂志上发表的这项研究的通讯作者 Digbijoy Nath 表示：“这是一项非常有前途和颠覆性的技术。” “但材料和设备的进口受到严格限制……我们在印度尚不具备商业规模的 GaN 晶圆生产能力。” 他补充说，制造这些设备的技术也是一个严格保密的秘密，很少有关于所涉及工艺细节的研究发表。

为了设计 GaN 功率开关，IISc 团队使用了 CeNSE 教授兼主席 Srinivasan Raghavan 实验室的研究人员十多年来开发和优化的 MOCVD 技术。

GaN 晶体管通常在耗尽模式下工作 - 它们始终处于导通状态，除非施加负电压将其关闭。 但充电器和适配器中使用的电源开关需要以相反的方式工作。 为了实现这一操作，该团队将 GaN 晶体管与商用硅晶体管结合起来，以保持设备正常关闭。

“该设备的包装也是自主开发的，”CeNSE 博士生、该研究的第一作者 Rijo Baby 解释道。 经过封装和测试后，该团队发现该设备的性能可与市售最先进的开关相媲美，开关操作之间的切换时间约为 50 纳秒。

展望未来，研究人员计划扩大器件尺寸，使其能够在高电流下工作。 他们还计划设计一种可以升压或降压的电源转换器。

“如果你看看印度的战略组织，他们很难采购 GaN 晶体管……不可能进口超过一定数量或功率/频率额定值的晶体管，”Nath 说。 “这本质上是本土 GaN 技术开发的展示。”

永霖光电-UVSIS-UVLED紫外线应用专家-独家发布