表面纹理提高红色迷你LED的效率

研究人员通过表面纹理技术提高AlGaInP基红色迷你LED的效率
武汉大学、滑铁卢大学和江西SMTC半导体公司的研究人员报道了一种表面纹理技术，以提高AlGaInP基红色垂直迷你LED的光提取效率（LEE）。
“我们利用湿化学蚀刻方法在基于AlGaInP的红色垂直迷你LED上制备多孔n-AlGaInP表面，这抑制了n-AlGaInP/空气界面的全内反射（TIR），增强了光散射效应。因此，与具有光滑n-AlGaInP表面的红色迷你LED相比，具有多孔n-AlGaAInP表面的垂直迷你LED显示出光输出功率和外部量子效率（EQE）的提高。”领导该团队的周胜军教授说。
AlGaInP基红色迷你LED具有体积小、亮度高、显色指数高、寿命长等优点，已广泛应用于高分辨率全彩自发光显示器和局部可调光背光单元中。然而，需要进一步改进以提高基于AlGaInP的红色迷你LED的EQE。尽管基于AlGaInP的红色迷你LED的内部量子效率可以达到近100%，但由于半导体-空气界面处的严重TIR和菲涅耳反射，导致基于AlGaInP的红色微型LED的EQE较低，因此LEE受到限制。
研究人员通过使用湿法蚀刻方法在基于AlGaInP的红色迷你LED上引入多孔n-AlGaInP表面，以提高光提取率。进一步研究了刻蚀时间对多孔n-AlGaInP表面形貌的影响。与具有光滑n-AlGaInP表面的AlGaInP-基红色迷你LED相比，具有最大孔密度的AlGaInP-基红色微型LED在20mA时表现出高达38.9%的EQE增量。表面纹理技术具有提高LEE的潜力，对高效AlGaInP基红色垂直迷你LED的大规模生产做出了重大贡献。