利用激光切割降低垂直MOSFET的成本

使用532nm激光器切割衬底有望降低生产GaN功率MOSFET的成本，而不会影响性能
氮化镓垂直MOSFET是电动汽车非常有前景的功率器件，在关键指标——沟道迁移率方面优于碳化硅。然而，原生衬底的高成本阻碍了商业上的成功。
为了解决这个问题，许多团队一直在研究回收氮化镓基板的技术。其中包括Mirise Technologies、名古屋大学和滨松大学的研究人员之间的合作，他们声称已经用这种方法进行了最全面的成功示范。
Mirise的团队发言人Takashi Ishida表示，之前关于回收GaN基板的报道仅限于评估该过程的一部分。Ishida认为，“评估在回收晶片上制造的器件特性是必不可少的，我们的论文首次报告了这一结果。”
石田补充说，虽然他们的结果令人鼓舞，但在他们的工艺应用于工业规模之前，还有更多的工作要做。由于氮化镓基板需要多次回收以降低制造成本，因此需要证明在经过几轮回收生产的基板上生长的器件不会受到影响。
图中概述的日本合作伙伴的回收过程涉及用532nm激光分离设备和基板。该光源从N面照射到基板上，通过焦平面上的双光子吸收，将分解为金属镓和氮。
分离后，在金属沉积和封装之前，芯片的N面被研磨和抛光以获得光滑的表面。
在化学机械抛光之前，对释放的基板的Ga面进行接地和抛光，以实现原子水平的平坦度，然后进行HVPE，用于沉积厚度约为90μm的GaN层。据该团队称，经过额外的化学机械抛光步骤后，GaN基板完好如新。
为了评估其工艺，该团队测量了由同一晶片制造的横向MOSFET和垂直p-n二极管。这两类器件都是用MOCVD期间生产的外延晶片制成的：4μm厚的n型GaN层，掺杂至1×1017cm-3；然后是2μm厚的p型GaN层，掺杂至5×1017cm-3。
本研究首先评估了从GaN基板切片前后两类器件的性能。MOSFET漏极和栅极电流在不同栅极电压下的曲线，以及不同反向偏压值下的二极管反向电流，显示没有因激光切片而发生明显变化。这使研究小组得出结论，器件“几乎不受”切片过程的影响，这可能导致激光源的加热和与分离步骤相关的应力。
Ishida及其同事将这些测量结果与使用回收基板生产的横向MOSFET和垂直p-n二极管的测量结果进行了比较。结果非常相似，横向MOSFET的栅极泄漏差异归因于栅极绝缘体质量的变化。
根据该团队的研究，他们的结果表明，在GaN回收过程后，器件性能没有出现严重退化。
Ishida表示，除了回收GaN基板外，还需要增加其尺寸，以使器件生产的成本更具竞争力。该团队有兴趣用更大的GaN基板来演示他们的回收过程

永霖光电-UVSIS-UVLED紫外线应用专家-独家发布