电路设计之8：MOS管驱动设计

设计案例：

推挽拓扑，输入电压40V-58V，假设每边用5个IRFP4768 MOS管。请设计驱动电路。

下面是MOS IRFP4768的基本参数：

MOS管在栅极电容充满电后电荷为180nC,MOS管开启延时时间与上升时间之和为36+160=196ns,

关断断延时时间与下降时间之和为57+110=167ns。则所需要驱动电流与放电电流为：

5个MOS管并联则一共需要5到6A的驱动电流，因此可选用驱动芯片为MIC4420。