嵌入式~PCB专辑63

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一、充电器IC中的电源路径管理

本文讨论了一种常用的电源路径管理方案，即动态电源路径管理（DPPM）。DPPM控制回路可以根据输入源的电流能力和负载电流水平动态调整充电电流，以实现给定电源和系统负载下的最短充电时间。有了DPPM，即使电池已深度放电，系统也可以在接入输入源后立即获得电力。另外，本文还讨论了系统电压的调节方法。

具有可充电电池的移动设备在使用外部电源时，需要充电器IC来为电池充电。移动设备内部的系统负载可以由电池、输入源或两者同时供电，具体取决于电池和系统负载之间的连接。而电源路径管理方案即用来实现这种电源选择。

动态电源路径管理（DPPM）是移动应用中最常见的电源路径管理方案。DPPM的基本功率级结构如图1所示。

图1：NVDC电源路径管理结构

在DPPM系统中，系统负载连接至系统总线（VSYS）。VSYS通过电池FET从电池供电，或者通过DC / DC变换器或LDO从输入源供电。当输入源不可用时，电池FET完全导通，由电池为系统负载供电。

当接入输入源时，VSYS由输入DC/DC变换器或LDO调节。同时，VSYS通过电池FET向电池提供充电电流。在这种充电模式下，系统负载优先供电，剩余电量用于充电。充电电流可根据输入源能力和系统负载水平进行动态调整，以实现最短的充电时间。

在上述充电过程中，如果系统负载超过输入源的电源能力，VSYS 将降低。一旦VSYS下降至DPPM阈值，DPPM控制环路就会激活并自动减少充电电流，以防止VSYS 进一步下降。这个过程也称为DPPM模式。

在DPPM模式下，如果充电电流减小到零，并且系统负载仍超过输入电源能力，则VSYS继续下降。一旦VSYS 降至低于电池电压（VBAT），电池便通过电池FET向VSYS 提供电源。这称为补充模式。在补充模式下，输入源和电池同时为系统供电。

在进入补充模式之前，如果电池FET处于线性模式（例如，当VBAT < VSYS_MIN + DV或在启动瞬态过程中未完全导通），建议采用理想二极管模式来控制电池FET（如MP2624A中所采用的模式），以确保与补充模式之间的平稳过渡。

在理想二极管模式下，电池FET作为理想二极管工作。当系统电压低于电池电压40mV时，电池FET导通并调节电池FET的栅极驱动。电池FET的压降（VDS）约为20mV。随着放电电流的增加，电池FET将获得更强的栅极驱动和更小的导通电阻（RDS），直到电池FET完全导通为止。当放电电流降低时，理想二极管环路会产生较弱的栅极驱动和较大的RDS(ON) ，以保持电池和系统之间20mV的差值，直到电池FET关闭。

DPPM模式下的VSYS 可根据系统要求灵活调节。如果从输入到系统的前端变换器是LDO，则可以将VSYS设置为一个满足系统要求的特定水平。例如，MP2661的VSYS 设置为4.65V， MP2660的VSYS 设置为5.0V。

如果输入到系统之间的前端变换器是DC / DC变换器，则通常将VSYS设置为跟随电池电压，从而提高效率。我们通常称其为窄电压DC（NVDC）。

DPPM控制有几个优点。首先，无论电池是否耗尽，一旦接入了输入源，系统都会立即获得电力。其次，充电电流可根据输入源和系统负载进行动态调整，以实现最短的充电时间。

DPPM控制的局限性在于，确保不同操作模式之间的平稳过渡会比较复杂。通常，电池FET控制需要VSYS环路、理想二极管环路、充电电压和充电电流环路。

二、开关电源的频率无限提升会发生什么

估计很多新手工程师在设计开关电源计算变压器时发现，把电源的开关频率提高后变压器磁芯更加不容易饱和，或者说可以用更小的磁性做出同样功率的电源，甚至在想把开关频率无限制提高来无限制缩小变压器的体积。

但实际上一般开关电源的频率都不会特别高，也不可能使频率无限提高，其中到底有哪些原因？请看下文！

器件限制、损耗、EMI、PCB布局难度提升等问题都是制约开关频率无限提升的因素，下面稍微展开来讲一下！

 器件的限制 

对于一个开关管来说，在实际应用中，不是给个驱动就开，驱动撤掉就关了。它有开通延迟时间（tdon），上升时间（tr），关断延迟时间（tdoff），下降时间tf，对应的波形如下：

通俗的讲，开关管开通关断不是瞬间完成的，需要一定的时间，开关管本身的开关时间就限制了开关频率的提升。

曾经笔者在delta用在3kW的逆变器上的一款600V的coolmos为例。看看这些具体的开关时间是多少？

那么对于这个mos管来说，它的极限开关频率(在这种极限情况下，mos管刚开通就关断)fs=1/(16+12+83+5)ns=8.6MHz，当然，在实际应用中，由于要调节占空比，不可能让开关管一开通就关断，所以实际的极限频率是远低于8.6MHz的，所以器件本身的开关速度是限制开关频率的一个因素。

 开关损耗 

当然，随着器件的进步，开关管开关的速度越来越快，尤其是在低压小功率场合，如果仅考虑器件本身的开关速度，开关频率可以run得非常高，但实际并没有，限制就在开关损耗上面。

下面给出开关管实际开通的时候对应的波形图。

可以看到，开关管每开通一次，开关管DS的电压（Vds）和流过开关管的电流（Id）会存在交叠时间，从而造成开通损耗，关断亦然。假设每次开关管每开关一次产生的能量损耗是一定的，记为Esw，那么开关管的开关损耗功率就为Psw=Esw*fs，显然，开关频率越高，开关损耗越大。5M开关频率下开关损耗比500K要大10倍，这对于重视效率的开关电源来说，显然是不可接受的。所以，开关损耗是限制开关频率的第二因素。

开关损耗确实是限制因素之一，但是氮化镓器件的推出已经让开关损耗在1-3Mhz这个范围内变得可以接受，我下面附一张图片，这是三家公司推出的650V的GaN device，可以看出最好的管子开通损耗已经4uJ，关断损耗在8uJ(测试条件在400V, 12A)，甚至有家公司的650V的管子基本可以和Transphorm平齐。而同电压电流等级的硅器件很多管子都还在以mJ为单位。

下面在贴出一张低压氮化镓和硅器件的比较，可以看出，总体来说，驱动损耗也会变得很小。

还有一点很重要，宽禁带半导体的工作结温很高，以目前的工艺来说，Sic的结温可以工作到200°，氮化镓可以工作到150°。而硅器件呢，我觉得最多100°就不得了。结温高，意味着相同损耗下，需要给宽禁带半导体设计的散热器表面积要小很多，何况宽禁带半导体的损耗本身还小。

是开关频率的提高，往往只能使用QFN或者其他一些表贴器件减少封装寄生参数，这给散热系统带来了极大的挑战，原来To封装可以加散热器，减少到空气对流的热阻，而现在不行了。所以如果想在高频下工作，第一问题就是解决散热，把高开关损耗导出去，尤其是在kW级别，散热系统非常重要。现在学界解决这个问题的手段偏向于把器件做成独立封装，采用一种叫DCB的技术，用陶瓷基板散热，器件从陶瓷上表面到下表面的热阻基本为0.4°C/W（有些人也用metal core PCB, 但是要加绝缘层，热阻一般在4°C/W），而FR4为20°C/W。

半导体不断在发展，开关损耗也在显著下降，而封装越来越小，现在来看，我们要做的是怎么把那些热量从那么小的表贴封装下散出去。

 磁元件损耗

绕组的趋肤效应和临近效应。在变压器的高频工作时，影响更加严重。会引起较大的绕组涡流耗损，当然开关频率提高，绕组的匝数会降低。相应的绕组交流阻抗变大了，但是绕线长度减少了。问题貌似也不会很大，谐振半桥应用，我们经常会选200KHZ的频率。这样磁性元件的体积和耗损，是一个比较合适的范围。

变压器的铁损主要由变压器涡流损耗产生，如下图所示，给线圈加载高频电流时，在导体内和导体外产生了变化的磁场垂直于电流方向(图中1→2→3和4→5→6)。根据电磁感应定律，变化的磁场会在导体内部产生感应电动势，此电动势在导体内整个长度方向(L面和N面)产生涡流(a→b→c→a和d→e→f→d)，则主电流和涡流在导体表面加强，电流趋于表面，那么，导线的有效交流截面积减少，导致导体交流电阻(涡流损耗系数)增大，损耗加大。

如下图所示，变压器铁损是和开关频率的kf次方成正比，又与磁性温度的限制有关，所以随着开关频率的提高，高频电流在线圈中流通产生严重的高频效应，从而降低了变压器的转换效率，导致变压器温升高，从而限制开关频率提高。

软开关的困难 

题主提到了软开关，没错，软开关确实是解决开关损耗的有力手段。而在各种研究软开关的paper上，提出了无数种让人眼花缭乱的软开关方案，似乎软开关能解决一切问题。但是实际工程应用和理论分析不同，实际工程追求的是低成本，高效率，高可靠性，那些需要添加一堆辅助电路，或者要非常精确控制的软开关方案在实际工程中其实都是不太被看好的，所以即使到现在，在工业界最常应用软开关的拓扑也只要移相全桥和一些谐振的拓扑（比如LLC），至于题主提到的flyback,没错，我也听说过有准谐振的flyback（但没研究过），但即使有类似的方案，对于能不能真正工程应用，题主也需要从我上面提到的几个问题去考量一下。

ps，对于小功率高频电源，现在class E非常火，我觉得它火的原因就是电路简单，所以才能被工业界接受，题主有兴趣可以去研究下。

 高频化带来的一系列问题 

假设上面的一系列问题都解决了，真正做到高频化还需要解决一系列工程上的问题，比如在高频下，电路的寄生参数往往会严重影响电源的性能（如变压器原副边的寄生电容，变压器的漏感，PCB布线之间的寄生电感和寄生电容等等），造成一系列电压电流波形震荡和EMI的问题，如何消除寄生参数的影响，甚至进一步地，如何利用寄生参数为电路服务，都是有待研究的问题。

ps，对于高频化应用的实际工程应用的问题，还有很重要的一块是高频驱动电路的设计。

当然，随着新器件（SiC, GaN）的兴起，开关电源高频化的研究方兴未艾，开关电源的高频化一定是趋势，而且有望给电力电子带来又一次革命。让我们拭目以待。

 EMI和干扰，pcb布局难度增大 

在我接触EMI前，很多老工程师以他们有丰富的EMI调试经验来鄙视我们这些菜鸟，搞的我一直以为EMI是门玄学，也有很多人动不动就拿EMI出来吓人。我想说EMI确实很难理解，很难有精确的纸面设计，但是通过研究我们还是能知道大概趋势指导设计，而不是一些工程嘴里完全靠trial and error的流程。我先给出结论，EMI确实和开关频率不成线性关系，某些开关频率下，EMI滤波器的转折频率较高，但是总体趋势而言，是开关频率越高，EMI体积越小！

我知道很多人可能开始喷我了，怎么可能，di/dt和dv/dt都大了，怎么可能EMI滤波体积还小了。我想说一句，共模和差模滤波器的没有区别，相同的截止频率下，高频的衰减更大！就算你高频下共模噪声越大，但是你的记住，这个频率下LC滤波器的衰减更大，想想幅频曲线吧。为了说明这个结论，我给出一些定量分析结果。这些EMI分析均基于AC/DC三相整流，拓扑为维也纳整流。我分别给出了1Mhz和500Khz的共模噪声，可以看出，500khz共模滤波器需要的截止频率为19.2kHz，1MHz为31.2kHz。

这张图给出了不同频率下共模和差模滤波器转折频率的关系，可以看出，一些低频点EMI滤波器体现出了非常好的特性。例如70Khz，140Khz。而这两个开关频率是工业界常用的两个开关频率，非常讨巧，因为EMI噪声测试是150KHz到30MHz。不过这个也与拓扑有关。

假设上述的功率器件损耗解决了，真正做到高频还需要解决一系列工程问题，因为在高频下，电感已经不是我们熟悉的电感，电容也不是我们已知的电容了，所有的寄生参数都会产生相应的寄生效应，严重影响电源的性能，如变压器原副边的寄生电容、变压器漏感，PCB布线间的寄生电感和寄生电容，会造成一系列电压电流波形振荡和EMI问题，同时对开关管的电压应力也是一个考验。

 小结 

不是开关频率越高，功率密度就越高，目前这个阶段来说真正阻碍功率密度提高的是散热系统和电磁设计（包括EMI滤波器和变压器）和功率集成技术。

慎重选择开关频率，开关频率会极大的影响整个变化器的功率密度，而且针对不同器件，拓扑，最佳的开关频率是变化的。

高频确实产生很多很难解决的干扰问题，往往要找到干扰回路，然后采取一些措施。

为了继续维持电力电子变换器功率密度的增长趋势，高频肯定是趋势。只是针对高频设计的电力电子技术很不成熟，相关配套芯片没有达到要求，一些高频的电磁设计理论不完善和精确，使用有限元软件分析将大大增加开发周期。

要提高开关电源产品的功率密度，首先考虑的是提高其开关频率，能有效减小变压器、滤波电感、电容的体积，但面临的是由开关频率引起的损耗，而导致温升散热设计难，频率的提高也会导致驱动、EMI等一系列工程问题。

三、电源正负极防反接保护电路

电源防反接，应该是很多电路场景下都会采取到此系列得设计。

    前几日，小白在做单板验证时，在接上假电池然后电源供电时，一不小心将假电池的正负极与供电电源的输入输出接反了，导致单板烧坏，瞬间一缕青烟飘荡在我的座位上。由于我们的产品用的是真电池，所以不会存在反接的情况，更不存在电源防反接的设计，但是处于调试验证阶段，真电池有限，所以采用的是假电池，于是乎，，，一不下心出现了上述情况。

    基于此问题，今天，我还是想简单的整理一下，在一些电路中，为防电源反接所采取的电路措施

二极管串联反接保护电路

    在电源的输入端，串联一个正向二极管，其主要利用了二极管的正向导通，反向截止的特性。

    在电路接入正常时，二极管是导通的，电路可以正常工作。

    在电源接反时，二极管截止，电源无法形成回路，电路板无法正常工作，可以有效的防止反接带来的危害。

    但是需要注意的是，二极管存在压降。其中硅材料的二极管压降一般为0.7V。锗材料的二极管压降一般为0.3V。

使用桥式整流电路防反接保护电路

    使用桥式整流电路，无论电源正接还是反接，电路都能正常的工作。

    但存在和第一种方法一样的问题，二极管存在压降，会导致后级电路的输入电压小于电源电压。

使用MOS管进行防反接电路的保护

    MOS管存在导通阻抗，即RDS(on)-漏极/源极间的导通阻抗。所以在进行该类电路设计时，应选择导通阻抗较小的MOS管。一般在几毫欧或者几十毫欧左右。此时存在的压降极小，可以忽略不计

NMOS防护

    在上电的瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统构成回路。源极电压大概为0.6V.此时栅极的电压为Vbat，MOS管的开启电压Vgs=Vbat-0.6。只要大于规格书的标准，DS即可导通，此时MOS管的寄生二极管被短路，系统通过MOS管的DS产生回路。

    若电源反接，NMOS管导通电压为0,NMOS截止，寄生二极管反接，电路出于断开状态，无法形成回路。

PMOS防护

    同上述类似，在上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统构成回路，源极电压为Vbat-0.6V,然而栅极电压为0，MOS管的开启电压为Ugs=0-（Vbat-0.6），栅极为低电平，PMOS，导通，寄生二极管被短路，系统通过PMOS的ds接入形成回路。

    若电源接反，NMOS的导通电压大于0V，PMOS截止，寄生二极管反接，电路断开，从而形成保护。

其中，NMOS串接到负极，PMOS串接到正极，寄生二极管朝向正确的电流流经的方向。

    NMOS，电流从D极流入S极流出。PMOS则是，S极流入D极流出。

    实际应用中，G极一般还要串接一个电阻，为了防止MOS管被击穿，也可以加上一个稳压二极管。并联在分压电阻上的电容，有一个软启动的作用。在电流开始流过的瞬间，电容充电，G极电压逐步建立起来。

 对于PMOS，相比于NMOS导通需要Vgs大于阈值电压，由于其开启电压可以为0，DS之间的压差不大，比NMOS更具备优势。

四、二极管的单向导电性

    二极管是电子电路中很常用的元器件，非常常见，二极管具有正向导通，反向截止的特性。

    在二极管的正向端（正极）加正电压，负向端（负极）加负电压，二极管导通，有电流流过二极管。在二极管的正向端（正极）加负电压，负向端（负极）加正电压，二极管截止，没有电流流过二极管。这就是所说的二极管的单向导通特性。下面解释为什么二极管会单向导通。

二极管的单向导电性

    二极管是由 PN 结组成的，即 P 型半导体和 N 型半导体，因此 PN 结的特性导致了二极管的单向导电特性。PN 结如下图所示。

 在 P 型和 N 型半导体的交界面附近，由于 N 区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由 N 区向电子浓度低的 P 区扩散；扩散的结果使 PN 结中靠 P 区一侧带负电，靠 N 区一侧带正电，形成由 N 区指向 P 区的电场，即 PN 结内电场。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散，又称为阻挡层。

PN 结详解

    二极管的单向导电特性用途很广，到底是什么原因让电子如此听话呢？它的微观机理是什么呢？这里简单形象介绍一下。

    假设有一块 P 型半导体（用黄色代表空穴多）和一块 N 型半导体（用绿色代表电子多），它们自然状态下分别都是电中性的，即不带电。如下图所示。

  把它们结合在一起，就形成 PN 结。边界处 N 型半导体的电子自然就会跑去 P 型区填补空穴，留下失去电子而显正电的原子。相应 P 型区边界的原子由于得到电子而显负电，于是就在边界形成一个空间电荷区。为什么叫“空间电荷区”？是因为这些电荷是微观空间内无法移动的原子构成的。

    空间电荷区形成一个内建电场，电场方向由 N 到 P，这个电场阻止了后面的电子继续过来填补空穴，因为这时 P 型区的负空间电荷是排斥电子的。电子和空穴的结合会越来越慢，最后达到平衡，相当于载流子耗尽了，所以空间电荷区也叫耗尽层。这时 PN 结整体还呈电中性，因为空间电荷有正有负互相抵消。如下图所示。

 外加正向电压，电场方向由正到负，与内建电场相反，削弱了内建电场，所以二极管容易导通。绿色箭头表示电子流动方向，与电流定义的方向相反。如下图所示。

    外加反向电压，电场方向与内建电场相同，增强了内建电场，所以二极管不容易导通。如下图所示。当然，不导通也不是绝对的，一般会有很小的漏电流。随着反向电压如果继续增大，可能造成二极管击穿而急剧漏电。

    如下图，是二极管的电流电压曲线供参考。

如下图，形象的展示了不同方向二极管为什么能导通和不能导通，方便理解。

    生活中单向导通的例子也不少，比如地铁进站口的单向闸机，也相当于二极管的效果：正向导通，反向不导通，如果硬要反向通过，可能就会因为太大力“反向击穿”破坏闸机了。

五、电路设计中零欧姆电阻的作用

调试

    在电路中没有任何功能，只是在PCB上为了调试方便或兼容设计等原因。

跳线 

    可以做跳线用，如果某段线路不用，直接不贴该电阻即可。

替代电阻

    在匹配电路参数不确定的时候，以0欧姆代替，实际调试的时候，确定参数，再以具体数值的元件代替。

测功耗

    想测某部分电路的耗电流的时候，可以去掉0ohm电阻，接上电流表，这样方便测耗电流。

便于布线

    在布线时，如果实在布不过去了，也可以加一个0欧的电阻。

充当电感电容

    在高频信号下，充当电感或电容。

    做电感用时与外部电路特性有关，主要是解决EMC问题。如地与地、电源与芯片引脚之间。

单点接地

    指保护接地、工作接地、直流接地在设备上相互分开，各自成为独立系统。

熔丝作用

拟地和数字地单点接地

    只要是地，最终都要接到一起，然后入大地，如果不接在一起就是"浮地"，存在压差，容易积累电荷，造成静电。

    地是参考0电位，所有电压都是参考地得出的，地的标准要一致，故各种地应短接在一起。人们认为大地能够吸收所有电荷，始终维持稳定，是最终的地参考点。

    虽然有些板子没有接大地，但发电厂是接大地的，板子上的电源最终还是会返回发电厂入地。

    如果把模拟地和数字地大面积直接相连，会导致互相干扰。不短接又不妥，理由如上有四种方法解决此问题：

• 用磁珠连接

• 用电容连接

• 用电感连接

• 用0欧姆电阻连接

    磁珠的等效电路相当于带阻限波器，只对某个频点的噪声有显著抑制作用，使用时需要预先估计噪点频率，以便选用适当型号，对于频率不确定或无法预知的情况，磁珠不合。

    电容隔直通交，造成浮地。

    电感体积大，杂散参数多，不稳定。

    0欧电阻相当于很窄的电流通路，能够有效地限制环路电流，使噪声得到抑制。电阻在所有频带上都有衰减作用(0欧电阻也有阻抗)，这点比磁珠强。

    以下两个图是一个电路，只是由于元件的标号不一样。R7(R33)就是模拟地和数字地的单点链接端。

跨接时用于电流回路

    当分割电地平面后，造成信号最短回流路径断裂，此时，信号回路不得不绕道，形成很大的环路面积，电场和磁场的影响就变强了，容易干扰/被干扰。在分割区上跨接0欧电阻，可以提供较短的回流路径，减小干扰。

配置电路

    一般，产品上不要出现跳线和拨码开关。有时用户会乱动设置，易引起误会，为了减少维护费用，应用0欧电阻代替跳线等焊在板子上。空置跳线在高频时相当于天线，用贴片电阻效果好。

其他用途

    布线时跨线，调试/测试用，临时取代其他贴片器件，作为温度补偿器件，更多时候是出于EMC对策的需要。

    另外，0欧姆电阻比过孔的寄生电感小，而且过孔还会影响地平面（因为要挖孔）。

    还有就是不同尺寸0欧电阻允许通过电流不同，一般0603的1A，0805的2A，所以不同电流会选用不同尺寸的还有就是为磁珠、电感等预留位置时，得根据磁珠、电感的大小还做封装，所以0603、0805等不同尺寸的都有了 。

六、直流电压有效值

  什么是有效值？一个变化电压的有效值，是指把它加载到一个确定的阻性负载上，在一个周期内的功，与电压为A的直流量作用在相同的负载上，在等长时间内的功相同，那么该变化电压的有效值就是A。广义理解，一个电池的电压有效值就是1.5V，一个幅度为A的方波，如果是单极性方波，占空比50%，有效值为幅值A的0.707倍。这时候，又有人问我，什么是方波啊？

    以前的一个学生，参与的一个题目，用一个10欧姆电阻把一个待测的1uA左右的电流转变成10uV左右的电压，然后用AD620和多级直流放大进入ADC，却发现输出总有很大的偏移量。于是就买了好些个放大器，挑选，想让偏移量小些。查查资料就知道，AD620A级的输入失调电压典型值为30uV，最大值为125uV，已经远大于被测信号10uV。至少应该知道，此处使用被大家广为推崇的AD620是不靠谱的。

    但是，设计者就是不知道这个道理。

    昨晚我的学生来聊天，问我，学这些基础有用吗？其实，不用问我，问问歌唱演员就可以了，问他们，吊嗓子重要吗？问问厨师，刀工重要吗？

    现阶段，很多比赛都是些花里胡哨的作品，很吸引眼球，功能也很强悍。但是面对这些竞赛的孩子，你就是不能问他们问题，一问就露馅了——底子很薄，但成果很强。就像以“满汉全席”夺得厨师大赛冠军一样，回家后做不好一个炒土豆丝。

    所以，我特别希望能多一些比赛，就赛那些基础的东西。比如12V电源，谁能做出动态范围最大的单管放大器，或者做一个最准的电子秤，就比这些指标。噪声最小、频带最宽、带内最平坦、失真度最小、温度稳定性最好等等，可以研究的东西很多。

    但很遗憾，谁也不会对此感兴趣。就比赛一个放大器，外行看起来一点都不拉风，没劲透顶了。

    可是看看身边现状，看看某些日益堕落的教师和学生，好大喜功的媒体，谁能救救我们的基础教育，谁能把孩子们拉回来，静静地在实验室做一些看似枯燥，却蕴含玄机的实验？

下面科普基本概念

一、基本概念：

    交流电的有效值：

    在相同的电阻上分别通以直流电流和交流电流，经过一个交流周期的时间，如果它们在电阻上所损失的电能相等的话，则把该直流电流（电压）的大小作为交流电流（电压）的有效值，正弦电流（电压）的有效值等于其最大值(幅值)的0.707倍。

    交流电的平均值：

    对于交流电来说，数学上的平均值是0（因为是正负是对称的）。但电工技术上我们关心的是其量值（绝对值）的大小。所以电工技术上的平均值指的是电流（电压）的绝对值在一个周期内的平均值。

二、例子：

    1、10V的直流电压加在10Ω电阻的两端，电阻的发热功率是多少？

    这个答案很简单，坛里所有的朋友都会：P=U×U/R=10V×10V/10Ω=10W

    2、如果把上面的10V直流电压改成下图±10V的方波呢，电阻的发热功率又是多少？

答案是否也不难？因为负半周时电压的平方和正半周时是一样的，所以功率也和上面一样还是10W！

    电压是负的功率还是正的，也就是功率和电压的正负无关。

    图中红色部分是正半周做的功，蓝色部分是负半周作的功。

    问：这个±10V的方波电压的平均值是多少？有效值是多少？峰值是多少？

    根据上面的定义，很明显:

    ①平均值是10V（其电压的绝对值在一个周期内的平均值是10V）;

    ②有效值是10V（发热功率相同的等效直流电压是10V）;

    ③峰值是10V

    3、如果把上面的方波去掉负半周部分（也就是+10V方波），那电阻上的功率又会是多少呢？

    很明显，只有一半时间在做功，从宏观上看其平均功率只有一半了，也就是5W！

同问：这个+10V的方波电压的平均值是多少？有效值是多少？峰值是多少？

    根据上面的定义，很明显：

    ①平均值是5V（其电压的绝对值在一个周期内的平均值是5V）;

    ②有效值是7.07V：（发热功率相同的等效直流电压是：U^2=PR=5W×10Ω，U=根号50≈7.07V）；

    ③峰值是10V

    可见：去掉负半周后其电压的平均值是原来的一半，而有效值并不是原来的一半，而是原来的0.707倍！峰值不变。

    以上为了便于理解，用了方波做例子计算。

    如果用正弦波，那么就需要有高等数学的微积分知识，对于某些朋友可能理解困难。

    事实上为什么正弦交流电的峰值和有效值之间是根号2倍的关系，以及平均值之间的关系等都是通过积分计算得出的，对于非正弦波其关系就不一定相同了，所以千万别乱套用。

    对于正弦波现在我们可以用有效值相同的方波去等效，那么也可以得出这样的结论：半波整流后的电压有效值是整流前的有效值的0.707倍，而并不是有些朋友理解的一半。