AT45DB321D

最新推荐文章于 2024-05-16 17:20:41 发布

慎独yfs

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文章标签：单片机嵌入式硬件

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_29887127/article/details/136869251

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本文是关于AT45DB321D这款串行闪存产品的详细数据手册。AT45DB321D是一款由Atmel公司生产的2.7伏特至3.6伏特单电源供电的串行接口顺序访问闪存，适用于各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。

产品特性

- 支持RapidS串行接口，最高时钟频率可达66MHz，兼容SPI模式0和3。
- 用户可配置的页大小，可选择512字节或528字节每页。
- 主存储器包含8,192页，每页512/528字节。
- 灵活的擦除选项，包括页擦除（512字节）、块擦除（4K字节）、扇区擦除（64K字节）和芯片擦除（32M位）。
- 两个SRAM数据缓冲区（512/528字节），允许在重新编程闪存阵列时接收数据。
- 整个阵列的连续读取能力，非常适合代码阴影应用。
- 低功耗消耗，典型主动读取电流为7mA，典型待机电流为25µA，典型深功耗下降电流为15µA。
- 硬件和软件数据保护功能，包括独立扇区保护和扇区锁定，用于安全代码和数据存储。
- 128字节的安全寄存器和64字节的用户可编程空间。
- 独特的64字节设备标识符。
- 符合JEDEC标准的制造商和设备ID读取。
- 每个页面至少100,000次编程/擦除周期。
- 数据保持期为20年。
- 工业温度范围。
- 绿色（无铅/无卤素/符合RoHS标准）封装选项。

引脚配置和引脚图

引脚配置和引脚图部分详细描述了AT45DB321D串行闪存器的物理接口和各个引脚的功能。以下是对这部分内容的详细解读：

### 引脚视图
- **图 2-1. MLF(1) (VDFN) 顶视图**：展示了8引脚的微型扁平无引线封装（Very Thin Dual Flat No Lead Package，VDFN），包括引脚的布局和编号。
- **图 2-2. SOIC 顶视图**：展示了8引脚的小外形集成电路封装（Small Outline Integrated Circuit，SOIC）的布局。
- **图 2-3. BGA封装球出（顶视图）**：展示了球栅阵列封装（Ball Grid Array，BGA）的球布局。
- **图 2-4. TSOP顶视图：类型1**：展示了薄型小外形封装（Thin Small Outline Package，TSOP）的布局。

### 引脚描述
- **CS (Chip Select)**：片选引脚。当CS引脚被拉低时，设备被选中并开始操作；当CS引脚被拉高时，设备被取消选中并进入待机模式。CS引脚的低至高转换是启动操作的必要条件。
- **SCK (Serial Clock)**：串行时钟引脚。SCK提供时钟信号，控制数据流向和流出的时序。数据在SI引脚上在SCK的上升沿被锁存，在SO引脚上在SCK的下降沿被输出。
- **SI (Serial Input)**：串行输入引脚。SI用于将数据移位进入设备，包括命令和地址序列。数据在SI引脚上在SCK的上升沿被锁存。
- **SO (Serial Output)**：串行输出引脚。SO用于将数据移位出设备。数据在SO引脚上在SCK的下降沿被输出。
- **WP (Write Protect)**：写保护引脚。当WP引脚被拉高时，由扇区保护寄存器指定的所有扇区将受到保护，防止编程和擦除操作。WP引脚独立于软件控制的保护方法。
- **RESET**：复位引脚。当RESET引脚被拉低时，将终止正在进行的操作并将内部状态机重置到空闲状态。只要RESET引脚保持低电平，设备就会保持在重置状态。
- **RDY/BUSY**：就绪/忙引脚。这是一个开漏输出引脚，当设备忙于内部自定时操作时，该引脚会被拉低。当这个引脚处于高电平状态时（通过外部上拉电阻），表示设备空闲；在编程/擦除操作、比较操作和页到缓冲区传输期间，该引脚会被拉低。
- **VCC**：设备电源引脚。VCC引脚用于为设备提供电源电压。
- **GND**：地线引脚。GND引脚是电源供应的地线参考。

### 引脚配置表
- **表 2-1. 引脚配置**：列出了每个引脚的符号、名称和功能，以及它们在断言时的状态和类型。

### 引脚功能总结
- **CS**：用于选择设备并启动操作。
- **SCK**：用于提供时钟信号，控制数据流。
- **SI**：用于数据输入。
- **SO**：用于数据输出。
- **WP**：用于硬件控制的数据保护。
- **RESET**：用于重置设备状态。
- **RDY/BUSY**：用于指示设备的状态，忙碌或就绪。
- **VCC**：用于供电。
- **GND**：用于接地。

这些引脚配置和功能对于设计和实现与AT45DB321D串行闪存器的接口至关重要，确保了设备能够正确地与外部系统通信和操作。

内存阵列

内存阵列部分详细描述了AT45DB321D串行闪存器的内部存储结构和组织方式。以下是对这部分内容的详细解读：

### 内存阵列的组织
AT45DB321D的内存阵列被分为三个层次：扇区（Sectors）、块（Blocks）和页（Pages）。这种分层的结构提供了优化的灵活性，使得设备能够高效地存储和管理数据。

#### 扇区（Sectors）
- 整个内存阵列被分为64个扇区（Sector 0至Sector 63）。
- 扇区是内存中的最大保护单元，每个扇区可以独立地被锁定为只读状态，或者通过软件或硬件方法进行保护。

#### 块（Blocks）
- 每个扇区进一步被分为多个块。
- 每个块包含8个页，块是擦除操作的最小单元。

#### 页（Pages）
- 每个块内的页是实际存储数据的单元。
- AT45DB321D提供了两种页大小配置选项：528字节的DataFlash标准页大小和512字节的二进制页大小。
- 每个页可以独立地进行编程（写入）和擦除操作。

### 内存阵列的容量
- AT45DB321D的总存储容量为32M位，这是通过组织8,192页，每页512或528字节来实现的。

### 内存阵列的访问
- 数据可以通过页顺序访问，即通过指定页地址来读取或写入数据。
- 为了提高效率，AT45DB321D支持连续数组读取（Continuous Array Read），允许用户通过简单的时钟信号顺序读取整个内存阵列中的连续数据流。

### 内存阵列的擦除和编程
- 擦除操作可以在不同的层次上执行：单页擦除、块擦除、扇区擦除和全芯片擦除。
- 编程操作也是在页级别上执行的，数据可以通过使用缓冲区或直接编程到主内存页中。

### 内存阵列的保护机制
- 扇区保护和扇区锁定功能为用户提供了防止数据意外擦除或编程的安全措施。
- 用户可以通过软件命令或硬件方法（使用WP引脚）来启用或禁用扇区保护。

### 总结
AT45DB321D的内存阵列设计提供了灵活的数据存储和访问选项，同时通过扇区保护和锁定功能增强了数据的安全性。这种结构使得AT45DB321D非常适合需要高密度、低功耗和高可靠性存储解决方案的应用。

设备操作

设备操作部分详细描述了AT45DB321D串行闪存器如何响应来自主机处理器的指令，以及如何执行各种内存操作。以下是对这部分内容的详细解读：

### 指令的开始和结束
- 设备操作始于主机处理器发出的指令。一个有效的指令从片选信号（CS）的下降沿开始，随后是适当的8位操作码和所需的缓冲区或主存储器地址位置。
- 所有指令、地址和数据都以最高有效位（MSB）首先传输，这是通过串行输入（SI）引脚完成的。
- 一个操作的结束需要CS引脚的上升沿。

### 地址和数据传输
- 地址和数据传输是通过SI引脚进行的，传输顺序是从最高有效位到最低有效位。
- 地址和数据的具体位数取决于所执行的操作（如读取、编程或擦除）和页大小配置。

### 内部自定时操作
- 所有编程和擦除周期都是自定时的，这意味着设备会在内部控制操作的持续时间。
- 设备在结束自定时操作之前不会进入待机模式，直到操作完成后，设备才会返回到空闲状态。

### 操作示例
- 例如，要执行一个页编程操作，主机处理器需要发送一个特定的操作码，然后是目标页的地址，最后是要编程的数据。
- 在数据传输完成后，CS引脚必须从低电平转换到高电平，以通知设备开始执行编程操作。

### 状态指示
- 设备的状态可以通过就绪/忙（RDY/BUSY）引脚来监测。当设备忙于执行操作时，RDY/BUSY引脚会被拉低。
- 状态寄存器也可以用来检查设备是否处于忙碌状态，或者来读取操作的结果，如比较操作的匹配状态。

### 保护和安全特性
- 设备提供了硬件和软件控制的数据保护特性，包括扇区保护和扇区锁定。
- 这些特性可以通过发送特定的指令和操作码来启用或禁用。

### 总结
设备操作部分为设计者和程序员提供了必要的信息，以确保他们能够正确地与AT45DB321D串行闪存器进行通信，并有效地执行所需的内存操作。通过理解指令集、地址和数据传输机制以及状态监测方法，用户可以确保数据的安全存储和可靠访问。

读取命令

读取命令部分详细描述了如何从AT45DB321D串行闪存器中读取数据。以下是对这部分内容的详细解读：

### 读取主存储器页
**主存储器页读取（Main Memory Page Read）** 允许用户直接从主存储器的任意一页读取数据，绕过数据缓冲区，保持缓冲区内容不变。要开始从标准页大小（528字节）的DataFlash读取，需要将操作码D2H时钟到设备，然后是三个地址字节（包含24位页和字节地址序列），以及4个无关字节。对于二进制页大小（512字节），操作码相同，但地址字节和无关字节的数量有所不同。

### 连续数组读取
**连续数组读取（Continuous Array Read）** 命令允许设备通过简单地提供时钟信号，顺序读取来自主存储器阵列的连续数据流。这个命令有三个变体，支持不同的时钟频率：

1. **高频率模式（High Frequency Mode）** 使用操作码0BH，支持高达66MHz的时钟频率。
2. **低频率模式（Low Frequency Mode）** 使用操作码03H，支持高达33MHz的时钟频率。
3. **传统命令（Legacy Command）** 使用操作码E8H，这是一个向后兼容的命令，不推荐用于新设计。

### 缓冲区读取
**缓冲区读取（Buffer Read）** 命令允许用户直接从SRAM数据缓冲区中顺序读取数据。缓冲区读取命令有四个操作码，D4H或D1H用于缓冲区1，D6H或D3H用于缓冲区2。使用哪个操作码取决于用于从缓冲区读取数据的最大SCK频率。

### 读取时序
对于所有读取命令，CS引脚必须保持低电平状态，以便加载操作码、地址字节、无关字节以及读取数据。当读取到缓冲区或主存储器页的末尾时，设备将从缓冲区或页的开头继续读取。CS引脚的低电平到高电平转换将终止读取操作，并使输出引脚（SO）变为高阻态。

### 总结
读取命令部分为设计者和程序员提供了必要的信息，以确保他们能够从AT45DB321D串行闪存器中有效地读取数据。通过理解不同类型的读取命令和它们的时序要求，用户可以设计出能够可靠地从闪存器中获取数据的系统。

编程和擦除命令

编程和擦除命令部分详细描述了如何对AT45DB321D串行闪存器进行数据编程和内存擦除的操作。以下是对这部分内容的详细解读：

### 缓冲区写入（Buffer Write）
数据可以通过串行输入（SI）引脚被时钟输入到任一缓冲区。要将数据加载到标准缓冲区（528字节），需要发送一个1字节的操作码（84H用于缓冲区1，87H用于缓冲区2），然后是三个地址字节，这些地址字节指定了缓冲区中要写入数据的起始地址。对于二进制缓冲区（512字节），操作码略有不同。

### 缓冲区到主存储器页编程
数据可以从任一缓冲区编程到主存储器的指定页中。这个操作包括内置的擦除功能，意味着在数据被编程到主存储器之前，目标页会被自动擦除。操作码取决于所使用的缓冲区和页大小。

### 页擦除（Page Erase）
页擦除命令用于单独擦除主存储器阵列中的任何一页，允许稍后使用缓冲区到主存储器页编程操作。操作码和地址字节的配置与缓冲区到主存储器页编程类似，但不需要内置擦除功能。

### 块擦除（Block Erase）
块擦除命令可以一次性擦除八个页。这个命令在需要将大量数据写入设备时非常有用，因为它避免了使用多个页擦除命令。

### 扇区擦除（Sector Erase）
扇区擦除命令用于单独擦除主存储器中的任何扇区。每个扇区可以独立擦除，但一次只能擦除一个扇区。

### 芯片擦除（Chip Erase）
芯片擦除命令用于一次性擦除整个主存储器。然而，根据勘误部分的说明，芯片擦除功能可能存在问题，因此建议使用块擦除作为替代方案。

### 编程和擦除命令的注意事项
- 所有编程和擦除操作都是自定时的，意味着设备会在内部控制操作的持续时间。
- 在编程或擦除操作期间，设备的状态会通过就绪/忙（RDY/BUSY）引脚和状态寄存器来指示。
- 擦除和编程操作应在设备电源稳定后执行，以避免数据损坏或不一致。

### 总结
编程和擦除命令部分为设计者和程序员提供了必要的信息，以确保他们能够有效地对AT45DB321D串行闪存器进行数据编程和内存擦除。通过理解不同类型的编程和擦除命令及其操作码、地址配置和执行时序，用户可以设计出能够可靠地写入和管理闪存器数据的系统。

保护和安全命令

保护和安全命令部分详细描述了AT45DB321D串行闪存器中用于保护内存数据不被意外编程或擦除的功能。以下是对这部分内容的详细解读：

### 启用扇区保护（Enable Sector Protection）
此命令用于通过软件控制方法启用扇区保护。一旦扇区被保护，任何尝试对这些扇区进行编程或擦除的操作都会被拒绝。要启用扇区保护，需要发送一个4字节的命令序列（3DH, 2AH, 7FH, A9H），之后扇区保护状态会在状态寄存器中反映出来。

### 禁用扇区保护（Disable Sector Protection）
此命令用于通过软件控制方法禁用扇区保护。要禁用扇区保护，需要发送另一个4字节的命令序列（3DH, 2AH, 7FH, 9AH）。注意，当硬件写保护（WP）引脚被断言（即接地）时，禁用扇区保护的命令会被忽略。

### 擦除扇区保护寄存器（Erase Sector Protection Register）
此命令用于擦除扇区保护寄存器，使得所有扇区的保护状态被清除，扇区可以被编程或擦除。在执行此命令后，需要重新启用扇区保护，如果需要的话。

### 编程扇区保护寄存器（Program Sector Protection Register）
在扇区保护寄存器被擦除后，可以使用此命令重新编程扇区保护寄存器，设置哪些扇区应该被保护。这通常在启用扇区保护之前执行。

### 读取扇区保护寄存器（Read Sector Protection Register）
此命令用于读取扇区保护寄存器的内容，以确定哪些扇区当前被保护。这个命令通过发送一个操作码（32H）和一些无关字节来执行。

### 扇区锁定（Sector Lockdown）
扇区锁定功能允许每个扇区被永久锁定为只读状态。一旦扇区被锁定，它就不能再被擦除或编程，也不能被解锁。这个命令通过发送一个4字节的命令序列（3DH, 2AH, 7FH, 30H）和一个地址字节来执行。

### 读取扇区锁定寄存器（Read Sector Lockdown Register）
此命令用于读取扇区锁定寄存器的内容，以确定哪些扇区当前被永久锁定。这个命令通过发送一个操作码（35H）和一些无关字节来执行。

### 安全寄存器编程（Program Security Register）
安全寄存器是一个特殊的128字节区域，其中前64字节是用户可编程的，一旦编程后就不能被重新编程。这个命令通过发送一个4字节的命令序列（9BH, 00H, 00H, 00H）和用户数据来执行。

### 读取安全寄存器（Read Security Register）
此命令用于读取安全寄存器的内容。这个命令通过发送一个操作码（77H）和一些无关字节来执行。

### 总结
保护和安全命令部分为设计者和程序员提供了必要的信息，以确保他们能够保护AT45DB321D串行闪存器中的数据不被意外修改。通过理解和使用这些命令，用户可以为他们的应用程序设置合适的数据保护级别，确保数据的安全性和完整性。

电气规格

电气规格部分提供了AT45DB321D串行闪存器在不同工作条件下的电气参数。这些参数对于确保设备在预期的性能范围内运行至关重要。以下是对这部分内容的详细解读：

### 绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings）
这些是设备可以承受的极端条件，超过这些条件可能会损坏设备。包括：
- 存储温度范围：-65°C至150°C。
- 工作温度范围：对于工业级产品，为-40°C至85°C。
- 电源电压（VCC）：2.7V至3.6V。
- 输入电压：相对于地线（GND）在-0.6V至VCC+0.6V之间。
- 输出电压：相对于地线在-0.6V至VCC+0.6V之间。

### DC和AC操作范围（DC and AC Operating Range）
这些参数描述了设备在正常工作条件下的电气特性：
- 工作温度（Operating Temperature）：工业级产品为-40°C至85°C。
- 电源供应（VCC）：2.7V至3.6V。

### DC特性（DC Characteristics）
这些参数描述了设备在直流条件下的电气性能：
- 深功耗电流（Deep Power-down Current）：在深功耗模式下，当CS、RESET、WP引脚为高电平时，所有输入为CMOS电平时的电流，典型值为15µA至25µA。
- 待机电流（Standby Current）：在待机模式下，当CS、RESET、WP引脚为高电平时，所有输入为CMOS电平时的电流，典型值为25µA至50µA。
- 活动电流（Active Current）：在读取操作期间的工作电流，取决于时钟频率（f）和输出电流（IOUT），典型值在7mA至15mA之间。
- 输入负载电流（Input Load Current）：输入引脚（SI、SCK、CS#、WP#和RESET#）的典型电流为1µA。
- 输出漏电流（Output Leakage Current）：输出引脚（SO）的典型漏电流为1µA。

### AC特性（AC Characteristics）
这些参数描述了设备在交流条件下的电气性能，特别是与RapidS/串行接口相关的参数：
- SCK频率（SCK Frequency）：设备可以支持的最大时钟频率为66MHz。
- 连续数组读取的SCK频率（SCK Frequency for Continuous Array Read）：设备可以支持的最大时钟频率，分为高频率模式（fCAR1）和低频率模式（fCAR2），分别为66MHz和33MHz。

### 输入测试波形和测量电平（Input Test Waveforms and Measurement Levels）
这部分提供了用于测试设备输入引脚的测试波形和测量电平的详细信息。

### 总结
电气规格部分为设计者和工程师提供了确保AT45DB321D串行闪存器在安全和有效范围内运行所需的关键参数。这些信息对于电路设计、系统测试和设备可靠性至关重要。在设计和实施过程中，必须遵守这些额定值，以避免设备损坏或性能降低。

输入测试波形和测量电平

输入测试波形和测量电平部分提供了用于验证AT45DB321D串行闪存器输入引脚性能的测试波形和相应的测量电平。这些测试波形和电平是确保设备按照规格正常工作的重要步骤。以下是对这部分内容的详细解读：

### 输入测试波形
- **测试波形** 通常包括设备的输入信号（如串行时钟 SCK 和串行输入 SI）在特定操作（如读取、编程或擦除）期间的电压变化。
- **波形图** 展示了输入信号在操作过程中的预期电压水平和时间间隔，包括信号的上升沿和下降沿，以及信号在不同操作阶段的稳定时间。
- **波形1和2** 展示了SPI模式0和模式3兼容的RapidS串行接口的典型波形，这些波形适用于高达66MHz的频率。
- **波形3和4** 展示了RapidS串行接口的一般波形，这些波形适用于整个频率范围（最大频率为66MHz）。

### 测量电平
- **测量电平** 指的是在测试过程中需要监测的具体电压值，这些值用于确认设备输入信号是否在规格允许的范围内。
- **AC测量水平** 包括了设备在测试过程中的输入和输出信号的预期电压，例如0.45V、1.5V和2.4V。
- **设备测试** 需要使用特定的测试设备，如示波器或逻辑分析仪，来监测和记录输入信号的波形和电平。

### 测试步骤
- 在进行输入测试时，需要按照数据手册中提供的波形图和测量电平来设置测试设备，并执行相应的操作（如读取、编程或擦除）。
- 测试过程中，需要监测输入信号是否在规定的时间内达到预期的电压水平，以确保设备的正常工作。

### 总结
输入测试波形和测量电平部分为设计者和测试工程师提供了必要的信息，以确保AT45DB321D串行闪存器的输入引脚在各种操作下都能正常工作。通过遵循这些测试指南，可以验证设备的性能，确保其在实际应用中的可靠性和稳定性。

系统考虑

系统考虑部分提供了关于如何在系统中设计和实现AT45DB321D串行闪存器接口的重要信息。这些考虑因素包括信号完整性、电源管理、噪声抑制和PCB布局等。以下是对这部分内容的详细解读：

### 信号控制
- **RapidS串行接口** 由时钟SCK、串行输入SI和片选CS引脚控制。这些信号必须单调升降，并且无噪声，以避免设备误操作。
- **PCB布局** 应尽量减少PCB走线距离或适当终止，以确保信号完整性。如果必要，可以在这些引脚上添加去耦电容来提供噪声滤波。

### 电源管理
- **电压调节** 变得越来越重要，尤其是考虑到Flash存储器在编程和擦除操作期间的峰值电流需求。电源调节器需要能够提供足够的电流，以避免电流饥饿，这可能导致系统噪声增加和数据损坏。

### 噪声管理
- **系统复杂性** 随着系统复杂性的增加，电压调节变得更加重要。电源调节器的电流输出能力是关键元素之一。
- **噪声滤波** 为了减少系统噪声，可能需要在PCB上为SCK、SI和CS引脚添加去耦电容。

### 初始上电/复位状态
- **上电或复位恢复** 设备在首次上电或从复位状态恢复时，默认进入模式3。此外，输出引脚（SO）将处于高阻态，需要在CS引脚上进行高至低的转换才能开始有效指令。

### 电气规格
- **电气规格表** 提供了设备在不同工作条件下的电气参数，包括绝对最大额定值、DC和AC操作范围、DC特性和AC特性。

### 总结
系统考虑部分为设计者和工程师提供了关于如何确保AT45DB321D串行闪存器在系统中稳定运行的实用信息。通过遵循这些指导原则，可以设计出与设备兼容的系统，从而确保数据的完整性和系统的可靠性。